一种双镶嵌结构的形成方法技术

一种双镶嵌结构的形成方法，提供衬底，所述衬底上形成有介质层，对所述介质层进行刻蚀，形成露出衬底表面的通孔；对位于通孔间的介质层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽用于连接相邻的通孔；对所述通孔间的介质层进行修复刻蚀，使其具有光滑的表面，所述刻蚀气体中包含有碳氟比例大于等于1∶2的气体。本发明专利技术可以提高填充的导电材料与通孔间介质层之间的密致程度，减少导电材料的填充孔洞，对应地，也减少了因孔洞产生的电子迁移失效的散点，提高双镶嵌结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，特别涉及。
技术介绍
随着半导体器件的发展，半导体器件已经具有深亚微米结构，半导体集成电路IC 中包含巨大数量的半导体元件。在这种大规模集成电路中，不仅包括单层互连结构，而且要在多层之间进行互连，因此，还包括多层互连结构，其中多个互连层互相堆叠，并通过位于多个互连层之间的介质层进行隔离。特别地，利用双镶嵌(dual-damascene)工艺形成多层互连结构时，需要预先在介质层中形成用于互连的沟槽和通孔，然后用导电材料如铜填充所述沟槽和通孔。所述双镶嵌工艺，按照工艺实现先后方式的不同可分为两类先沟槽工艺(Trench First)和先通孔(Via First)工艺。先沟槽工艺包括首先在已沉积的介质层上刻蚀出沟槽图形，然后再刻蚀出通孔图形；先通孔工艺包括首先在介质层中定义出穿过介质层的通孔，然后利用另一光刻胶层定义并形成沟槽。在申请号为200610025649.4的中国专利申请中，提供了一种先通孔工艺的双镶嵌结构的形成方法，包括如图1所示，提供衬底100、依次在所述衬底100上形成刻蚀阻挡层101、介质层 102、及位于所述介质层102上的光刻胶层103本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，对所述介质层进行刻蚀，形成露出衬底表面的通孔；对位于通孔间的介质层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽用于连接相邻的通孔；对所述通孔间的介质层进行修复刻蚀，使其具有光滑的表面，所述刻蚀气体中包含有碳氟比例大于等于１∶２的气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩宝东，张海洋，孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31