本实用新型专利技术涉及一种用于高压集成电路的延时电路，由限窄延时电路、脉冲发生电路和电平转换电路组成，输入信号连接至限窄延时电路的输入端，限窄延时电路的输出端连接脉冲发生电路的输入端，脉冲发生电路的两输出端连接电平转换电路的两输入端，所述限窄延时电路用于在输入信号VIN的脉冲宽度较宽时，实现传统延时电路的功能，为输入信号VIN的上升沿产生延时TON，为输入信号脉冲VIN的下降沿产生延时TOFF，并使TON＞TOFF；并且能够在输入信号VIN的脉冲宽度较窄时，保证经过限窄延时电路后的信号的脉冲宽度不小于某一预定值TMIN。该电路能够确保低压区的输入信号都能成功传送至高压区，避免了高压集成电路发生误动作，从而能有效提高高压集成电路的可靠性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及延时电路和滤波电路技术，尤其涉及高压集成电路(HVIC)中的 对输入信号的延时和滤波控制电路，该延时电路还涉及到高压集成电路中的高压DMOS技 术。
技术介绍
高压集成电路是一种带有欠压保护、逻辑控制等功能的栅极驱动电路，它将电 力电子与半导体技术结合，逐渐取代传统的分立元件，越来越多地被应用在IGBT、大功率 MOSFET的驱动领域。高压集成电路的核心部分是电平转换电路，该电路的功能是在同一晶 圆上将对地0 15V的信号转换成对地600V 615V的信号。因为应用场合的需要，输入信号进入高压集成电路内部后，通常需要一个延时电 路对信号进行延时处理，该延时电路的作用是使输入信号的上升沿延时长于下降沿延时， 处理后的信号进入脉冲发生电路，脉冲发生电路使信号的上升沿和下降沿分别产生一个脉 冲去控制后续的电平转换电路中的高压DMOS的导通，从而使低压区的信号传入高压区。但是，由于电路外部的干扰或者是由于输入信号中带有干扰信号，使输入信号中 存在一些比噪声宽比通常的有效信号窄的脉冲，这些脉冲可能使高压集成电路的输出端产 生持续的高电平而不能复位到低电平，从而导致高压集成电路产生误动作。
技术实现思路
本技术的目的在于解决现有技术的上述不足，提供一种用于高压集成电路的 延时电路，即考虑更周全的针对高压集成电路的新型延时电路，该延时电路电路考虑到了 复杂的应用场合，确保低压区的输入信号都能成功传送至高压区，避免了高压集成电路发 生误动作，从而能有效提高高压集成电路的可靠性。所述的一种用于高压集成电路的延时电路，由延时电路、脉冲发生电路和电平转 换电路组成，所述延时电路是限窄延时电路，所述限窄延时电路由低压侧电源(VCC-GND) 进行供电，输入信号连接至限窄延时电路的输入端，限窄延时电路的输出端连接脉冲发生 电路的输入端，所述脉冲发生电路由低压侧电源(VCC-GND)进行供电，脉冲发生电路的两 输出端连接电平转换电路的两输入端，所述电平转换电路由高压侧电源(VB-VS)进行供 电。所述限窄延时电路用于在输入信号VIN的脉冲宽度较宽时，实现传统延时电路的功能， 为输入信号脉冲VIN的上升沿产生延时TON，为输入信号脉冲VIN的下降沿产生延时T0FF， 并使TON > TOFF ；并且能够在输入信号VIN的脉冲宽度较窄时，保证经过限窄延时电路后 的脉冲信号宽度不小于某一预定值TMIN，TMIN是确保电平转换电路能正常工作，使信号能 从低压区向高压区正确传送的最小信号宽度。所述限窄延时电路的构成是输入信号VIN连接第一 PMOS管和第一 NMOS管的栅 极，所述第一 PMOS管的源极和衬底相连并接到VCC，所述第一 NMOS管的源极和衬底相连并 接到GND，第一 PMOS管的漏极接到第一电阻的一端，第一 NMOS管的漏极接到第二电阻的一端，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端相连并接到第一电容的一端和施密特 触发器的输入端，所述第一电容的另一端与GND相连，所述施密特触发器的输出端链接脉 冲发生电路的输入端。所述第一电阻阻值为RON、所述第二电阻阻值为R0FF，所述第一电容容值为C，施 密特触发器的高电平触发电压为VTHVH、低电平触发电压为VTHVL。当输入信号VIN的脉冲宽度较宽时权利要求1.一种用于高压集成电路的延时电路，由延时电路、脉冲发生电路和电平转换电路组 成，其特征在于所述延时电路是限窄延时电路(801)，由低压侧电源(VCC-GND)进行供电， 输入信号连接至限窄延时电路(801)的输入端，限窄延时电路(801)的输出端连接脉冲发 生电路(80 的输入端，所述脉冲发生电路(802)由低压侧电源(VCC-GND)进行供电，脉冲 发生电路(80 的两输出端连接电平转换电路(80 的两输入端，所述电平转换电路(803) 由高压侧电源(VB-VS)进行供电，所述限窄延时电路(801)用于在输入信号VIN的脉冲宽 度较宽时，实现传统延时电路的功能，为输入信号脉冲VIN的上升沿产生延时TON，为输入 信号脉冲VIN的下降沿产生延时T0FF，并使TON > TOFF ；并且能够在输入信号VIN的脉冲宽 度较窄时，保证经过限窄延时电路(801)后的脉冲信号宽度不小于某一预定值TMIN，TMIN 是确保电平转换电路能正常工作，使信号能从低压区向高压区正确传送的最小信号宽度。2.如权利要求1所述的一种用于高压集成电路的延时电路，其特征在于所述限窄延 时电路(801)由低压侧电源供电，所述低压侧电源的正端为VCC、负端为GND，所述限窄延时 电路(801)的构成是输入信号VIN端连接第一 PMOS管(804)和第一 NMOS管(805)的栅 极，所述第一 PMOS管(804)的源极和衬底相连并接到VCC，所述第一 NMOS管(805)的源极 和衬底相连并接到GND，第一 PMOS管(804)的漏极接到第一电阻(806)的一端，第一 NMOS 管(805)的漏极接到第二电阻(807)的一端，所述第一电阻(806)的另一端和所述第二电 阻(807)的另一端相连并接到第一电容(800)的一端和施密特触发器(808)的输入端，所 述第一电容(800)的另一端与GND相连，所述施密特触发器(808)的输出端链接脉冲发生 电路(802)的输入端。专利摘要本技术涉及一种用于高压集成电路的延时电路，由限窄延时电路、脉冲发生电路和电平转换电路组成，输入信号连接至限窄延时电路的输入端，限窄延时电路的输出端连接脉冲发生电路的输入端，脉冲发生电路的两输出端连接电平转换电路的两输入端，所述限窄延时电路用于在输入信号VIN的脉冲宽度较宽时，实现传统延时电路的功能，为输入信号VIN的上升沿产生延时TON，为输入信号脉冲VIN的下降沿产生延时TOFF，并使TON＞TOFF；并且能够在输入信号VIN的脉冲宽度较窄时，保证经过限窄延时电路后的信号的脉冲宽度不小于某一预定值TMIN。该电路能够确保低压区的输入信号都能成功传送至高压区，避免了高压集成电路发生误动作，从而能有效提高高压集成电路的可靠性。文档编号H03K5/13GK201878108SQ20102058782公开日2011年6月22日 申请日期2010年11月2日 优先权日2010年11月2日专利技术者冯宇翔, 吴建兴, 吴美飞 申请人:杭州士兰微电子股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于高压集成电路的延时电路，由延时电路、脉冲发生电路和电平转换电路组成，其特征在于：所述延时电路是限窄延时电路（８０１），由低压侧电源（ＶＣＣ－ＧＮＤ）进行供电，输入信号连接至限窄延时电路（８０１）的输入端，限窄延时电路（８０１）的输出端连接脉冲发生电路（８０２）的输入端，所述脉冲发生电路（８０２）由低压侧电源（ＶＣＣ－ＧＮＤ）进行供电，脉冲发生电路（８０２）的两输出端连接电平转换电路（８０３）的两输入端，所述电平转换电路（８０３）由高压侧电源（ＶＢ－ＶＳ）进行供电，所述限窄延时电路（８０１）用于在输入信号ＶＩＮ的脉冲宽度较宽时，实现传统延时电路的功能，为输入信号脉冲ＶＩＮ的上升沿产生延时ＴＯＮ，为输入信号脉冲ＶＩＮ的下降沿产生延时ＴＯＦＦ，并使ＴＯＮ＞ＴＯＦＦ；并且能够在输入信号ＶＩＮ的脉冲宽度较窄时，保证经过限窄延时电路（８０１）后的脉冲信号宽度不小于某一预定值ＴＭＩＮ，ＴＭＩＮ是确保电平转换电路能正常工作，使信号能从低压区向高压区正确传送的最小信号宽度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，吴建兴，吴美飞，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86
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