智能功率模块制造技术

技术编号:11090604 阅读:96 留言:0更新日期:2015-02-26 19:22
本实用新型专利技术公开了一种智能功率模块,包括:本体、功率器件、高压集成电路、采样电阻以及隔热件,本体包括依次叠置的金属层、绝缘层和电路层;功率器件、高压集成电路和采样电阻彼此间隔开地设在本体上且位于电路层侧,金属层上形成有第一和第二隔离槽,第一隔离槽在电路层上的投影环绕高压集成电路,第二隔离槽在电路层上的投影环绕采样电阻;隔热件填充在第一隔离槽和第二隔离槽内。根据本实用新型专利技术的智能功率模块,温度不易从高温的功率器件区域传递到非功率区域,从而不会影响到其它器件例如高压集成电路、采样电阻的工作环境,有效地保证了高压集成电路、采样电阻能够正常工作,而不会出现寿命衰减或参数衰减的情况。

【技术实现步骤摘要】
智能功率模块
本技术涉及电子器件
,尤其是涉及一种智能功率模块。
技术介绍
相关技术中指出,IPM(Intelligent Power Module)模块,即智能功率模块,其内部集成了功率器件、驱动芯片、采样电阻、其它IC(Integrated Circuit,集成电路)等器件。功率器件由于长时间进行开关工作以及长时间有大电流通流,因此功率器件比其它器件发热大,且功率器件发热通过热传导直接影响到其它器件的工作环境,使其它器件也长时间在高温下工作,从而驱动芯片、采样电阻等器件长期在高温环境下工作会加快寿命衰减或参数衰减。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术的一个目的在于提出一种智能功率模块,所述智能功率模块上的高温的功率器件不会影响到其它器件例如高压集成电路、采样电阻的工作环境。 根据本技术的智能功率模块,包括:本体,所述本体包括依次叠置的金属层、绝缘层和电路层;功率器件、高压集成电路和采样电阻,所述功率器件、高压集成电路和采样电阻彼此间隔开地设在所述本体上且位于所述电路层侧,其中所述金属层上形成有第一隔离槽和第二隔离槽,所述第一隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述高压集成电路,所述第二隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述采样电阻;以及隔热件,所述隔热件填充在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内。 根据本技术的智能功率模块,通过在金属层上设置第一隔离槽和第二隔离槽,并在第一隔离槽和第二隔离槽内填充隔热件,使得温度不易从高温的功率器件区域传递到非功率区域,从而不会影响到其它器件例如高压集成电路、采样电阻的工作环境,有效地保证了高压集成电路、采样电阻能够正常工作,而不会出现寿命衰减或参数衰减的情况。 可选地,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均形成为盲孔,且所述盲孔的开口端贯穿所述金属层的远离所述电路层的一侧表面。 进一步可选地,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽的底壁与所述金属层的邻近所述电路层的一侧表面之间的距离为0.01?0.1mm。 进一步可选地,所述隔热件的远离所述电路层的一侧表面与所述金属层的远离所述电路层的一侧表面平齐。 或者可选地,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均贯穿所述金属层。 可选地,所述高压集成电路和所述采样电阻均与所述功率器件在所述本体的纵向上彼此间隔开。 进一步可选地,所述高压集成电路和所述采样电阻在所述本体的横向上彼此间隔开,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽彼此连通。 可选地,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽采用机械加工、激光或化学蚀刻的方式加工而成。 可选地,所述隔热件为环氧树脂件或酚醛树脂件。 本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。 【附图说明】 本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中: 图1是根据本技术实施例的智能功率模块的示意图; 图2是根据本技术实施例的智能功率模块的剖面图; 图3是图2中所示的智能功率模块的俯视图; 图4是根据本技术另一个实施例的智能功率模块的剖面图; 图5是图4中所示的智能功率模块的俯视图; 图6a-图6c是根据本技术实施例的智能功率模块的加工过程示意图。 附图标记: 100:智能功率模块; 1:本体;11:金属层;111:第一隔离槽;112:第二隔离槽; 12:绝缘层;13:电路层; 2:功率器件;21:功率器件岛;3:高压集成电路;31:高压集成电路岛; 4:采样电阻;41:采样电阻岛; 5:隔热件。 【具体实施方式】 下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。 在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“厚度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。 此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。 在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。 下面参考图1-图6描述根据本技术实施例的智能功率模块100,智能功率模块100是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品,它把功率开关器件和高压驱动电路集成在一个封装内,并且包含过流、欠压、过热等故障检测电路。智能功率模块100—方面接收MCU (Micro Control Unit,即微控制单元)的控制信号,驱动压缩机、风机工作,另一方面将系统状态检测信号送回MCU。由于智能功率模块100具有高集成度,高可靠性等优势,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的一种理想的电力电子器件。 如图1和图2所示,根据本技术实施例的智能功率模块100,包括本体1、功率器件2、高压集成电路(即High Voltage Integrated Circuit,简称HVIC) 3、采样电阻4以及隔热件5。 参照图2和图4,本体I包括依次叠置的金属层11、绝缘层12和电路层13,也就是说,绝缘层12位于金属层11和电路层13之间,从而将金属层11和电路层13隔离开,功率器件2、高压集成电路3和采样电阻4彼此间隔开地设在本体I上,且功率器件2、高压集成电路3和采样电阻4均位于电路层13侧,换言之,功率器件2、高压集成电路3和采样电阻4布置在电路层13上。其中,电路层13可以为多个,多个电路层13彼此间隔开地设在绝缘层12的背离金属层11的一侧(例如,图2和图4中的下侧),功率器件2、高压集成电路3和采样电阻4可以分别连接在对应的电路层13上。 其中,金属层11上形成有第一隔离槽111和第二隔离槽112,如图3和图5所示,第一隔离槽111在电路层13上的投影环绕高压集成电路3,第二隔离槽112在电路层13上的投影环绕采样电阻4,换言之,第一隔离槽111和第二隔离槽112将金属层11划分成三个独立的“岛”,即功率器件岛21、高压集成电路岛31、采样电阻岛41,这三个岛的对面是相应的电路区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能功率模块,其特征在于,包括: 本体,所述本体包括依次叠置的金属层、绝缘层和电路层; 功率器件、高压集成电路和采样电阻,所述功率器件、高压集成电路和采样电阻彼此间隔开地设在所述本体上且位于所述电路层侧,其中所述金属层上形成有第一隔离槽和第二隔离槽,所述第一隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述高压集成电路,所述第二隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述采样电阻;以及 隔热件,所述隔热件填充在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内。

【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块,其特征在于,包括: 本体,所述本体包括依次叠置的金属层、绝缘层和电路层; 功率器件、高压集成电路和采样电阻,所述功率器件、高压集成电路和采样电阻彼此间隔开地设在所述本体上且位于所述电路层侧,其中所述金属层上形成有第一隔离槽和第二隔离槽,所述第一隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述高压集成电路,所述第二隔离槽在所述电路层上的投影环绕所述采样电阻;以及 隔热件,所述隔热件填充在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内。2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均形成为盲孔,且所述盲孔的开口端贯穿所述金属层的远离所述电路层的一侧表面。3.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽的底壁与所述金属层的邻近所述电路层的一侧表面之间的距离为0.0l?...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘志坚黄祥钧冯宇翔
申请(专利权)人:美的集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1