双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构，包括引脚(2)、无填料的塑封料(环氧树脂)(3)、锡金属的粘结物质(6)、芯片(7)有填料塑封料(环氧树脂)(9)，在所述引脚(2)外围的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸，形成上大下小的引脚结构，引脚(2)正面延伸到后续贴装芯片的下方，在所述引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在后续贴装芯片的下方的引脚(2)正面第一金属层(4)上通过锡金属的粘结物质(6)设置有芯片(7)，在所述引脚(2)的上部以及芯片(7)外包封有填料塑封料(9)，该有填料塑封料(9)将引脚(2)正面局部单元进行包覆。本实用新型专利技术芯片封装结构不会再有产生掉脚的问题。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构。属于半导体封装

技术介绍
传统的芯片封装结构的制作方式是采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图7所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行蚀刻。该法存在以下不足因为塑封前只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只有包裹住引脚半只脚的高度，所以塑封体与引脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB 板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图8所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越硬越脆越容易产生裂缝。另外，由于芯片与引脚之间的距离较远，金属线的长度较长，如图9 10所示，金属线成本较高(尤其是昂贵的纯金质的金属线)；同样由于金属线的长度较长，使得芯片的信号输出速度较慢(尤其是存储类的产品以及需要大量数据的计算，更为突出)；也同样由于金属线的长度较长，所以在金属线所存在的寄生电阻/寄生电容与寄生电杆对信号的干扰也较高；再由于芯片与引脚之间的距离较远，使得封装的体积与面积较大，材料成本较高，废弃物较多。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种不会再有产生掉脚的问题的双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构。本技术的目的是这样实现的一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构，包括引脚、无填料的塑封料(环氧树脂)、锡金属的粘结物质、芯片有填料塑封料(环氧树脂)，在所述引脚外围的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料(环氧树脂)，所述无填料的塑封料(环氧树脂)将引脚下部外围以及引脚下部与引脚下部连接成一体，且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸，形成上大下小的引脚结构，所述引脚正面延伸到后续贴装芯片的下方，在所述引脚的正面设置有第一金属层，在所述引脚的背面设置有第二金属层，在所述后续贴装芯片的下方的引脚正面第一金属层上通过锡金属的粘结物质设置有芯片，在所述引脚的上部以及芯片外包封有填料塑封料(环氧树脂)，该有填料塑封料(环氧树脂)将引脚正面局部单元进行包覆。本技术的有益效果是1、确保不会再有产生掉脚的问题由于引线框采用了双面蚀刻的工艺技术，所以可以轻松的规划设计与制造出上大下小的引脚结构，可以使上下层塑封料紧密的将上大下小的引脚结构一起包裹住，所以塑封体与引脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。2、由于应用了引线框背面与正面分开蚀刻的技术，所以能够将引线框正面的引脚尽可能的延伸到封装体的中心，促使芯片与引脚位置能够与芯片键合的位置相同，如图6 所示，如此电性的传输将可大幅度提升(尤其存储类的产品以及需要大量数据的计算，更为突出)。3、使封装的体积与面积可以大幅度的缩小因运用了引脚的延伸技术，所以可以容易的制作出高脚数与高密度的脚与脚之间的距离，使得封装的体积与面积可以大幅度的缩小。4、材料成本和材料用量减少因为将封装后的体积大幅度的缩小，更直接的体现出材料成本大幅度的下降与因为材料用量的减少也大幅度的减少废弃物环保的困扰。5、采用局部单元的单颗封装的优点有1)在不同的应用中可以将塑封体边缘的引脚伸出塑封体。2)塑封体边缘的引脚伸出塑封体外可以清楚的检查出焊接在PCB板上的情况。3)模块型的面积较大会容易因为多种不同的材料结构所产生收缩率不同的应立变形，而局部单元的单颗封装就可以完全分散多种不同的材料结构所产生收缩率不同的应立变形。4)单颗封装在进行塑封体切割分离时，因为要切割的厚度只有引脚的厚度，所以切割的速度可以比模块型的封装结构要来得快很多，且切割用的刀片因为切割的厚度便薄了所以切割刀片的寿命相对的也就变的更长了。附图说明图1 (A) 图1 (Q)为本技术双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构实施例 1各工序示意图。图2为本技术双面图形芯片倒装单颗封装结构实施例1结构示意图。图3为图2的俯视图。图4(A) 图4(Q)为本技术双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构实施例 2各工序示意图。图5为本技术双面图形芯片倒装单颗封装结构实施例2结构示意图。图6为图5的俯视图。图7为以往采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层作业图。图8为以往形成的掉脚图。图9为以往的封装结构一示意图。图10为图9的俯视图。图中附图标记引脚2、无填料的塑封料(环氧树脂)3、第一金属层4、第二金属层5、锡金属的粘结物质6、芯片7、有填料塑封料(环氧树脂)9、金属基板10、光阻胶膜11、光阻胶膜12、光阻胶膜13、光阻胶膜14、光阻胶膜15、光阻胶膜16。具体实施方式本技术双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构如下实施例1 单芯片单圈引脚参见图2和图3，图2为本技术双面图形芯片倒装单颗封装结构实施例1结构示意图。图3为图2的俯视图。由图2和图3可以看出，本技术双面图形芯片倒装单颗封装结构，包括引脚2、无填料的塑封料(环氧树脂)3、锡金属的粘结物质6、芯片7有填料塑封料(环氧树脂)9，所述引脚2正面尽可能的延伸到后续贴装芯片的下方，在所述引脚2的正面设置有第一金属层4，在所述引脚2的背面设置有第二金属层5，在所述后续贴装芯片的下方的引脚2正面第一金属层4上通过锡金属的粘结物质6设置有芯片7，在所述引脚2的上部以及芯片7外包封有填料塑封料(环氧树脂)9，该有填料塑封料(环氧树脂)9将引脚2正面局部单元进行包覆，在所述引脚2外围的区域以及引脚2与引脚2之间的区域嵌置有无填料的塑封料(环氧树脂)3，所述无填料的塑封料(环氧树脂)3将引脚下部外围以及引脚2下部与引脚2下部连接成一体，且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸，形成上大下小的引脚结构。其封装结构如下步骤一、取金属基板参见图1(A)，取一片厚度合适的金属基板10。金属基板的材质可以依据芯片的功能与特性进行变换，例如铜、铝、铁、铜合金或镍铁合金等。步骤二、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜参见图1 (B)，利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜11和12，以保护后续的电镀金属层工艺作业。而此光阻胶膜可以是干式光阻薄胶膜也可以是湿式光阻胶膜。步骤三、金属基板正面的光阻胶膜进行需要电镀金属层区域的曝光/显影以及开窗参见图1 (C)，利用曝光显影设备将步骤二完成光阻胶膜被覆作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀金属层的区域。步骤四、金属基板正面已开窗的区域进行金属层电镀被覆参见图1(D)，对步骤三中金属基板正面已开窗的区域进行第一金属层4电镀被覆，该第一金属层4置于所述引脚2的正面。步骤五、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜参见图1 (E)，将金属基板正面余下的光阻胶膜以及金属基板背面的光阻胶膜全部揭除。步骤六、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜参见图1 (F)，利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜13和14，以保护后续的蚀刻工艺作业。而此光阻胶膜可以是干式光阻薄胶膜也可以是湿式光阻胶膜。步骤七、金属基板背面的光阻胶膜进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗参见图1 (G)，利用曝光显影设备将步骤六完成本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双面图形芯片倒装先镀后刻单颗封装结构，包括引脚（２）、无填料的塑封料（３）、锡金属的粘结物质（６）、芯片（７）有填料塑封料（９），在所述引脚（２）外围的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚下部外围以及引脚（２）下部与引脚（２）下部连接成一体，且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸，形成上大下小的引脚结构，其特征在于：所述引脚（２）正面延伸到后续贴装芯片的下方，在所述引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），在所述引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在所述后续贴装芯片的下方的引脚（２）正面第一金属层（４）上通过锡金属的粘结物质（６）设置有芯片（７），在所述引脚（２）的上部以及芯片（７）外包封有填料塑封料（９），该有填料塑封料（９）将引脚（２）正面局部单元进行包覆。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32