封装结构及其制作方法以及形成引线框架结构的方法技术

本发明专利技术公开一种封装结构及其制作方法以及形成引线框架结构的方法。在一实施例中，封装结构包括芯片、安置在芯片周围且电性耦接至芯片的多个引线以及形成于芯片以及所述多个引线上的封装体。至少一个引线包括具有上表面以及下表面的中央金属层、具有上表面且自中央金属层的上表面向上延伸的第一突出金属块、具有下表面且自中央金属层的下表面向下延伸的第二突出金属块、在第一突出金属块的上表面上的第一饰面层、以及在第二突出金属块的下表面上的第二饰面层。所述封装体实质上覆盖引线中的每一者的第一突出金属块以及第一饰面层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体而言是涉及电子装置封装(electronic device packaging) 0更特定 而言，本专利技术是涉及引线框架结构(leadframe structure)以及使用引线框架结构的进阶 四方扁平无引线(advanced quad flat no lead, aQFN)封装结构，以及其制造方法。
技术介绍
在射频(radio frequency, RF)/无线、携带型应用及个人电脑 (personalcomputer, PC)周边设备市场中，一般对于提高较小封装的效能以及增加的输入 /输出(input/output，1/0)数目存在较高的需求。包括四方扁平无引线(QFN)封装以及 增强型无引线的引线框架式封装的进阶引线框架封装已被广泛接受，且通常适用于包括高 频传输(诸如经由RF频宽进行的高频传输)的芯片封装。对于QFN封装结构而言，通常以平面引线框架基板制成管芯垫(die pad)以 及周围接触端子(引线垫)。QFN封装结构通常通过表面粘着技术(surfacemoimting technology ；SMT)焊接至印刷电路板(printed circuit board, PCB) 因此，QFN 封装结构 的管芯垫及/或接触端子/接触垫应设计成诸如通过促进表面粘着而可与封装处理能力相 配，以及提升长期焊点可靠性。有鉴于此，而产生了对开发本文所述的引线框架结构、封装结构以及相关方法的需要。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种针对引线框架结构、使用引线框架结构的进阶 四方扁平无引线(aQFN)封装结构，以及其制造方法。为达上述目的，本专利技术提供一种封装结构。在一实施例中，所述封装结构包括芯 片、安置在芯片周围且电性耦接至芯片的多个引线以及形成于芯片以及所述多个引线上 的封装本体。所述多个引线中的至少一者包括(a)具有上表面以及下表面的中央金属层； (b)自中央金属层的上表面向上延伸且具有上表面的第一突出金属块；(c)自中央金属层 的下表面向下延伸且具有下表面的第二突出金属块；(d)在第一突出金属块的上表面上的 第一饰面层；以及(e)在第二突出金属块的下表面上的第二饰面层。封装本体实质上覆盖 所述多个引线中的每一者的第一突出金属块以及第一饰面层。此外，第一突出金属块可自中央金属层的上表面向上延伸达中央金属层的厚度的 百分之三十五与百分之百之间的距离，且第二突出金属块可自中央金属层的下表面向下延 伸达中央金属层的厚度的百分之三十五与百分之百之间的距离。此外，第一突出金属块可具有实质上垂直于第一突出金属块的上表面的侧表面。此外，封装可包括具有上表面以及下表面的管芯垫，芯片安置在管芯垫的上表面 上。封装也可包括具有上表面以及下表面的第一金属层，管芯垫安置在第一金属层的上表 面上，其中第一金属层与中央金属层实质上厚度相同。封装也可包括具有上表面以及下表面的第二金属层，第一金属层安置在第二金属层的上表面上，其中第二金属层与第二突出 金属块实质上厚度相同。封装也可包括安置在第二金属层的下表面上的金属饰面层。此外，管芯垫的上表面与中央金属层的上表面可实质上在同一平面中。此外，管芯垫可自第一金属层的上表面向上延伸达第一金属层的厚度的百分之 三十五与百分之百之间的距离。在另一态样中，本专利技术是关于一种形成引线框架结构的方法。在一实施例中，所述 方法包括提供金属片、形成于金属片的上表面上的第一经图案化光致抗蚀剂层以及形成于 金属片的下表面上的第二经图案化光致抗蚀剂层，其中上表面与下表面之间的距离对应于 金属片的厚度。所述方法更包括在未由第一经图案化光致抗蚀剂层覆盖的金属片的上表面 的区域上形成第一金属层、以及在未由第二经图案化光致抗蚀剂层覆盖的金属片的下表面 的区域上形成第二金属层，其中第一金属层自金属片的上表面向上延伸达金属片的厚度的 百分之三十五与百分之百之间的距离，且其中第二金属层自金属片的下表面向下延伸达金 属片的厚度的百分之三十五与百分之百之间的距离。所述方法更包括在第一金属层上形成 第一饰面层以及在第二金属层上形成第二饰面层，以及移除第一经图案化光致抗蚀剂层 以及第二经图案化光致抗蚀剂层。此外，第一金属层可包括各自包括上表面以及侧表面的多个突出金属块。所述多 个突出金属块中的每一者的侧表面可实质上垂直于金属片的上表面。此外，第一金属层以及第二金属层可通过执行镀覆(plating)制作工艺而形成。此外，第一饰面层以及第二饰面层可通过执行表面修饰制作工艺而形成。此外，表面修饰制作工艺可包括电镀覆(electroplating)制作工艺、无电镀覆 (electroless plating)制作工艺以及浸渍(immersion)制作工艺中的至少一者。在另一态样中，本专利技术是关于一种制造封装结构的方法。在一实施例中，所述方 法包括提供具有上表面以及下表面的金属片、形成于上表面上的多个第一突出金属块、形 成于所述多个第一突出金属块上的第一饰面层、形成于下表面上的多个第二突出金属块 以及形成于所述多个第二突出金属块上的第二饰面层。所述方法更包括将芯片电性耦接 至所述多个第一突出金属块中所包括的至少一第一突出块，以及在金属片上形成封胶体 (moldingcompound)以包封芯片、所述多个第一突出金属块以及形成于所述多个第一突出 金属块上的第一饰面层。所述方法更包括使用第二饰面层作为蚀刻罩幕(etching mask), 进行蚀刻穿透金属片的下表面上的区域直至封胶体暴露出来，以便界定多个引线。此外，所述多个第一突出金属块可自金属片的上表面向上延伸达金属片的厚度的 百分之三十五与百分之百之间的距离。所述多个第二突出金属块可自金属片的下表面向下 延伸达金属片的厚度的百分之三十五与百分之百之间的距离。此外，所述提供步骤可包括在金属片的上表面上形成第一经图案化光致抗蚀剂层 以及在金属片的下表面上形成第二经图案化光致抗蚀剂层。所述提供步骤也可包括在未由 第一经图案化光致抗蚀剂层覆盖的金属片的上表面的区域上形成所述多个第一突出金属 块以及在未由第二经图案化光致抗蚀剂层覆盖的金属片的下表面的区域上形成所述多个 第二突出金属块。所述提供步骤也可包括在所述多个第一突出金属块上形成第一饰面层 以及在所述多个第二突出金属块上形成第二饰面层，且也可包括移除第一经图案化光致抗 蚀剂层以及第二经图案化光致抗蚀剂层。 此外，所述多个第一突出金属块各自可包括实质上垂直于金属片的上表面的侧表此外，所述多个第一突出金属块以及所述多个第二突出金属块可通过执行镀覆制 作工艺而形成。此外，第一饰面层以及第二饰面层可通过执行表面修饰制作工艺而形成。此外，所述提供步骤可包括在形成第一经图案化光致抗蚀剂层以及第二经图案化 光致抗蚀剂层后，在金属片的上表面上形成第一中央突出块以及在金属片的下表面上形成 第二中央突出块。所述提供步骤可包括将芯片附着至第一中央突出块的上表面。封胶体可 囊封第一中央突出块。此外，第一中央突出块可自金属片的上表面向上延伸达金属片的厚度的百分之 三十五与百分之百之间的距离。第二中央突出块可自金属片的下表面向下延伸达金属片的 厚度的百分之三十五与百分之百之间的距离。此外，第一中央突出块的上表面与所述多个第一突出金属块中所包本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种封装结构，包含：芯片；多个引线，安置在所述芯片周围且电性耦接至所述芯片，其中所述多个引线中的至少一者包括：中央金属层，具有上表面以及下表面；第一突出金属块，自所述中央金属层的所述上表面向上延伸且具有第一上表面；第二突出金属块，自所述中央金属层的所述下表面向下延伸且具有第一下表面；第一饰面层，位于所述第一突出金属块的所述第一上表面上；以及第二饰面层，位于所述第二突出金属块的所述第一下表面上；封装本体，形成于所述芯片以及所述多个引线上，以使得所述封装本体实质上覆盖所述多个引线中的每一者的所述第一突出金属块以及所述第一饰面层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李瑜镛，金锡奉，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71