具有InGaN层的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及具有InGaN层的半导体器件。本发明专利技术还涉及一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底和形成在第一衬底上的InGaN晶种层的堆叠；b)在InGaN晶种层上生长InGaN层，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层的表面的第一反光镜层；d)分离第一衬底；以及e)形成覆盖InGaN的相对表面的第二反光镜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括载体衬底(carrier substrate)上的InGaN层的半导体器件的制 造，特别涉及包括作为有源层的hGaN层的垂直光电结构的制造。
技术介绍
高质量III族氮化物薄层的形成给目前的高性能半导体器件造成了严重的问题， 所述的高性能半导体器件例如是晶体管器件和光电器件，特别是作为垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的激光器器件。通常，通过在诸如蓝宝石衬底的晶种衬底(seed substrate)上外延生长来形成高 质量III族氮化物薄层，所述外延例如是分子束外延、金属有机气相外延或混合气相外延。 晶种衬底上的外延生长通常涉及高质量III族氮化物薄层生长之前的厚的III族氮化物层 (通常被称为过渡层)的生长，其中厚的III族氮化物层有利于提高III族氮化物材料的质量。然后，通过现有技术中已知的一些晶片转移工艺，例如键合和激光剥离(laser lift-off)或SMART Cut 工艺，生长的层可以被转移到目标晶片上。通过在晶片转移之后 去除厚的过渡层，可以实现用于制造高质量III族氮化物薄层的III族氮化物层的减薄。例 如，可以通过研磨、抛光或等离子蚀刻来实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：ａ）提供第一衬底（１）和形成在所述第一衬底（１）上的ＩｎＧａＮ晶种层（３）的堆叠；ｂ）在所述ＩｎＧａＮ晶种层（３）上生长ＩｎＧａＮ层（４），以便获得衬底上ＩｎＧａＮ结构；ｃ）形成覆盖ＩｎＧａＮ层（４）的表面的第一反光镜层（６）；ｄ）分离第一衬底（１）；以及ｅ）形成覆盖ＩｎＧａＮ（４）的相对表面的第二反光镜层（７）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·勒泰特，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR