半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有容易被加工误差改变特征的功能部分的半导体器件，以及一种该半导体器件的制造方法。
技术介绍
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中，成对的多层膜反射器被形成在基板上，且作为发光区域的有源层被形成于成对的多层膜反射器之间。在一个多层膜反射器中，为了提高注入到有源层的电流效率并降低阈值电流，提供了具有限制电流注入区域的结构的电流限制层。而且，柱状台被形成于半导体层中。上部电极被提供于台的上面侧。下部电极被提供于基板的背面侧。用于发射激光的孔被提供于上部电极中。在VCSEL中，从上部电极和下部电极注入的电流由电流限制层限制，并且之后被注入到发射光的有源层中。虽然光重复地被成对的多层膜反射器反射，但是光作为激光从孔中发射。前述电流限制层通常通过自台的侧面氧化AlAs层来形成。过去，例如，电流限制层通过由氧化时间控制氧化限制直径(作为非氧化区域的电流注入区域直径)来形成。另外，如日本公开号为2001-210908未审专利申请中所描述的，电流限制层通过在一个晶片中形成用于监控的台和通过由与包括在台中的AlAs层叠层面中的氧化区域对应的反射系数变化来控制氧化限制直径而形成。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件的制造方法，包括：第一形成步骤，在基板上形成半导体层，之后对于每个单位芯片面积，在所述半导体层中形成作为一组并具有至少一个参数值相互不同的多个功能部分；测量和评估步骤，测量并评估根据所述参数值变化的对象；和分割步骤，对于每个芯片面积分割所述基板，使得不断开作为所述评估的结果的与给定标准对应的功能部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：增井勇志，荒木田孝博，山内义则，菊地加代子，幸田伦太郎，山口典彦，大木智之，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP