半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有容易被加工误差改变特征的功能部分的半导体器件，以及一种该半导体器件的制造方法。
技术介绍
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中，成对的多层膜反射器被形成在基板上，且作为发光区域的有源层被形成于成对的多层膜反射器之间。在一个多层膜反射器中，为了提高注入到有源层的电流效率并降低阈值电流，提供了具有限制电流注入区域的结构的电流限制层。而且，柱状台被形成于半导体层中。上部电极被提供于台的上面侧。下部电极被提供于基板的背面侧。用于发射激光的孔被提供于上部电极中。在VCSEL中，从上部电极和下部电极注入的电流由电流限制层限制，并且之后被注入到发射光的有源层中。虽然光重复地被成对的多层膜反射器反射，但是光作为激光从孔中发射。前述电流限制层通常通过自台的侧面氧化AlAs层来形成。过去，例如，电流限制层通过由氧化时间控制氧化限制直径(作为非氧化区域的电流注入区域直径)来形成。另外，如日本公开号为2001-210908未审专利申请中所描述的，电流限制层通过在一个晶片中形成用于监控的台和通过由与包括在台中的AlAs层叠层面中的氧化区域对应的反射系数变化来控制氧化限制直径而形成。然而，AlAs层的氧化速度主要依赖于AlAs层的厚度、杂质浓度等，以及基板温度和反应气体的供应流速。因此，大体上，氧化限制直径的再现性差，且氧化限制直径即使在一个晶片面上也会变化。结果，即使当使用前述方法时，由这种差的再现性和晶片面中氧化限制直径变化所导致的氧化限制直径的误差通常都大于氧化限制直径所必须的精确值 (例如士 0.5μπι或更多)，从而导致由一个晶片获得的VCSEL数量(产量)的减少。
技术实现思路
因此，例如有以下方法。即，如图43中所示，具有相互不同台直径RlOl至R103的多个台MlOl至Μ103被形成于一个晶片面中。包括于其中的AlAs层(未示出)被氧化以形成其中形成有相互不同的氧化限制直径a1(ll至^l3的非氧化区域115B。因此，在这些台中的一个中，形成具有与给定标准( 士 Δχ)对应的氧化限制直径的非氧化区域115Β(参考图44)。图43中的虚线示出了在氧化处理之后将晶片分成小的芯片的切片位置。当使用前述方法时，容易形成具有与给定标准对应的氧化限制直径的VCSEL。然而，当然也设置了具有不与给定标准对应的氧化限制直径的VCSEL。因此，存在的不足在于， 由于台直径的类型数增加了，因此产量降低了。而且，在具有容易被加工误差改变特征的功能部分的半导体器件中也会发生上述不足。考虑到上述情况，在本专利技术中希望提供一种能够显著增加产量的半导体器件制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。根据本专利技术的实施例，提供了一种包括具有至少一个参数值相互不同的多个功能部分的半导体器件。在本专利技术实施例的半导体器件中，提供了具有至少一个参数值相互不同的多个功能部分。因此，通过适当地调整单个参数值，在制造步骤中能形成与给定标准对应的至少一个功能部分。前述给定标准可以是一个或多个。根据本专利技术的实施例，提供了一种包括下述步骤A至C的半导体器件的第一种制造方法A 第一形成步骤，在基板上形成半导体层，之后对于每个单位芯片面积，在半导体层中形成具有至少一个参数值相互不同的作为一组的多个功能部分；B.测量和评估步骤，测量和评估根据参数值而改变的对象；和C.分割步骤，对于每个芯片面积分割基板，从而，作为评估结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。前述给定标准可以是一个或多个。在制造半导体器件的第一种方法中，对于每个单元芯片面积，具有相互不同的至少一个参数值的多个功能部分形成于半导体层中。因此，通过适当地调整单个参数值，对于每个单位芯片面积都能形成与给定标准对应的至少一个功能部分。例如，当制造具有容易被加工误差改变特征的功能部分的半导体器件时，通过考虑到该误差设置单个功能部分的至少一个参数值相互不同，对于每个单位芯片面积都能必定形成与给定标准对应的至少一个功能部分。而且，当提供多个给定标准时，通过考虑到误差设置单个功能部分的至少一个参数值相互不同，对于每一单位芯片面积都能必定形成与至少一个给定标准对应的至少一个功能部分。当对于每个单位芯片面积都存在与给定标准对应的多个功能部分时，例如，根据目的和用途能同时选择或使用多个功能部分。当存在与给定标准不对应的功能部分时，例如可以进行以下操作。例如，当与给定标准不对应的功能部分不会不利地影响与给定标准对应的功能部分时，原样留下与给定标准不对应的功能部分。同时，当与给定标准不对应的功能部分稍微不利地影响与给定标准对应的功能部分时，优选将不与给定标准对应的功能部分断开到不会引起不利作用的程度，或者优选地将其去除。根据本专利技术的实施例，提供了制造包括以下步骤A至D的半导体器件的第二种制造方法。A.第一形成步骤，在基板上形成半导体层，之后对于每个单位芯片面积，分别在半导体层中形成多个第一功能部分和多个第二功能部分，该第一功能部分具有相互共用的每个参数值，以及第二功能部分具有相互共用的每个参数值，并且至少一个参数值与第一功能部分中的参数值不同；B.第二形成步骤，形成与第一功能部分中的一个和第二功能部分中的一个对应的共用电极；C.测量和评估步骤，测量和评估根据参数值而变化的对象；和D.分割步骤，分割基板以将在共用电极中作为评估结果的与给定标准对应的功能部分最接近的区域与在共用电极中作为评估结果的与给定标准不对应的功能部分最接近的区域分离开。在半导体器件的第二种制造方法中，对于每个单位芯片面积，具有相互共用的每个参数值的多个第一功能部分和其中每个参数值相互共用且至少一个参数值与第一功能部分的参数值不同的多个第二功能部分分别被形成于半导体层中。因此，通过适当地调整单个参数值，与给定标准对应的至少一个功能部分能被形成在半导体层中。而且，在对应于第一功能部分中的一个和第二功能部分中的一个形成共用电极之后，分割基板使得在共用电极中与给定标准对应的功能部分最接近的区域和在共用电极中与给定标准不对应的功能部分最接近的区域分开。因此，在半导体层上形成的电极数目会比对于每个功能部分形成电极的情况降低很多。在本专利技术实施例的半导体器件中，包括至少一个参数值相互不同的多个功能部分。因此，在制造步骤中存在与给定标准对应的至少一个功能部分。由此，在制造步骤中， 不会引起如设置具有与给定标准不对应的功能部分的芯片(半导体器件)的浪费，导致很大程度上增加了产量。根据半导体器件的第一种制造方法，对于每个单位芯片面积都形成具有相互不同的至少一个参数值的多个功能部分。因此，对于每个单位芯片面积都存在与给定标准对应的至少一个功能部分。由此，不会引起如设置具有与给定标准不对应的功能部分的芯片 (半导体器件)的浪费，导致很大程度上增加了产量。根据半导体器件的第二种制造方法，在半导体层中，对于每个单位芯片区域都分别形成多个第一功能部分和多个第二功能部分。因此，在半导体层中存在与给定标准对应的至少一个功能部分。由此，不会引起如设置具有与给定标准不对应的功能部分的整个晶片的浪费，导致很大程度上增加了产量。而且，在对应于第一功能部分中的一个和第二功能部分中的一个形成共用电极之后，分割该基板，使得在共用电极中与给定标准对应的功能部分最接近的区域和在共用电极中与给定标本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件的制造方法，包括：第一形成步骤，在基板上形成半导体层，之后对于每个单位芯片面积，在所述半导体层中形成作为一组并具有至少一个参数值相互不同的多个功能部分；测量和评估步骤，测量并评估根据所述参数值变化的对象；和分割步骤，对于每个芯片面积分割所述基板，使得不断开作为所述评估的结果的与给定标准对应的功能部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：增井勇志，荒木田孝博，山内义则，菊地加代子，幸田伦太郎，山口典彦，大木智之，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP