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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:6098285
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本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后,对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后,测量和评估根据参数值改变的...
该专利属于索尼株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过索尼株式会社授权不得商用。
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