【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，以及通过该制造方法制造的半导体器件，所述方法包括通过热压键合法将半导体芯片的外部连接端子键合到膜衬底的布线的步骤(A)，和树脂密封半导体芯片和膜衬底的键合部分外围的步骤(B)。
技术介绍
由于COF(膜上芯片)安装可以使得在高柔性的膜衬底上方安装半导体芯片(IC 芯片)，所以其被用于如液晶面板的驱动IC的应用。参考图4A和4B描述通过COF安装来制造半导体器件的现有方法。图4A是示出将半导体芯片键合到膜衬底的步骤的截面图，而图4B是吸附阶段的平面图。图4A中示出的键合装置102包括处于要被键合的半导体芯片110外部的区域中的吸附台130、和用来吸附和保持膜衬底120的吸附机构131、以及用来挤压安装在膜衬底 120上方的半导体芯片110的键合工具140。吸附机构131包括多个抽气孔131X，所述多个抽气孔131X在吸附台130的高度方向上延伸和开口，并与减压泵连接；以及一个吸附孔131Y，所述一个吸附孔131Y的宽度大于抽气孔131X的直径，其形成在多个抽气孔131X的顶部上，并且在所有抽气孔131X上方延伸。如图4B所示...
【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：（Ａ）通过热压键合法将半导体芯片的外部连接端子键合到膜衬底的布线；以及（Ｂ）树脂密封所述半导体芯片和所述膜衬底的键合部分的外围，其中，在从所述半导体芯片的键合侧的相反侧吸附面向所述半导体芯片的一部分膜衬底的情况下进行所述步骤（Ａ），以及其中，在降低所述半导体芯片和所述膜衬底的温度而使得所述膜衬底不存在热膨胀的情况下进行所述步骤（Ｂ）。
【技术特征摘要】
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