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本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据该半导体器件的制造方法，能够以良好制造效率和低成本制造半导体器件，同时抑制在密封区域中产生气孔，所述方法包括步骤：(A)通过热压键合法将半导体芯片的外部连接端子键合到膜衬底的布线；和(B)树脂密封半导体...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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