【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小和对于半导体工艺的要求越来越高，等离子体刻蚀工艺成为现在半导体器件制备的重要工艺之一。现有的等离子体刻蚀工艺通常在等离子体处理装置中通入刻蚀气体，并电离所述刻蚀气体成等离子体，利用所述等离子体对待刻蚀的晶圆进行刻蚀。现有的通常在待刻蚀层表面形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜对所述待刻蚀层进行刻蚀，具体地，包括如下步骤请参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有刻蚀目标层 110 ；所述刻蚀目标层110形成有光刻胶图形120 ；具体的，所述刻蚀目标层110材料为介质层；请参考图2，采用等离子体处理所述光刻胶图形120，使得所述光刻胶图形120的线宽满足刻蚀要求；请参考图3，以处理后的所述光刻胶图形120为掩膜，刻蚀所述刻蚀目标层110直至在所述刻蚀目标层110内形成待形成的图形。在公开号为CM101465^7A的中国专利文件中披露更多有关的内容。但是，随着半导体器件的集成度进一步提高，采用等离子体处理所述光刻胶图形 120的难度越来...
【技术保护点】
１．一种等离子体刻蚀方法，包括：提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；其特征在于，以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为Ｏ２与ＣＯ的混合气体或者ＣＯ２与ＣＯ的混合气体等离子化，采用等离子化的Ｏ２与ＣＯ的混合气体或者ＣＯ２与ＣＯ的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王兆祥，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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