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一种等离子体刻蚀方法,包括:提供介质层,所述介质层表面形成有有机材料层,所述有机材料层表面形成有光刻图形层;以所述光刻图形层掩膜,对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化,采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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一种等离子体刻蚀方法,包括:提供介质层,所述介质层表面形成有有机材料层,所述有机材料层表面形成有光刻图形层;以所述光刻图形层掩膜,对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化,采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO...