【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过将至少一层转移到支撑件上制成的多层半导体结构或衬底(也被称为多层半导体晶片)的制造领域。
技术介绍
多层结构的制造一般包括将诸如硅或SOI (绝缘体上硅)晶片之类的第一晶片直接晶片键合或熔接键合(fusion bonding)到诸如由硅或蓝宝石制成的第二晶片或支撑件上，键合强化退火以及减薄第一晶片以便形成转移到第二晶片上的层。本专利技术更特别涉及由于键合强化退火的温度限制而具有相对较弱的键合界面的多层结构。在完成直接晶片键合之后，通常对结构进行退火以便加强两个晶片之间的键合， 即增大两个晶片之间的键合的表面能。键合强化退火的温度越高，得到的键合或粘附能量越大。现在，键合退火温度必须被限制在相对较低的值的多层结构存在几种情况。第一种情况涉及被称为“异质”多层结构的制造，异质是指两个待组装的晶片具有不同的热膨胀系数，例如在室温(20°C )下相差至少10%或20%。这种异质结构特别为微电子学或光电子学中经常使用的S0S(蓝宝石(Al2O3)上硅)结构。在温度增加的过程中， 例如从200°C开始往上，两个晶片的其中一个相对于另一个的性能变化导致异质结...
【技术保护点】
１．一种用于制造多层结构（１３０）的过程，包括－将第一晶片（１１０）键合到第二晶片（１２０）上，至少所述第一晶片具有倒角边缘（１１７ａ，１１７ｂ），键合界面具有小于或等于１Ｊ／ｍ２的粘附能量；以及－减薄所述第一晶片（１１０），以便形成转移层（１１５），其特征在于，该过程在减薄所述第一晶片（１１０）之前，包括使用砂轮（１５０）来执行的修整所述第一晶片（１１０）的边缘的修整步骤，所述砂轮（１５０）的工作面（１５１）包括平均尺寸大于或等于８００目或者小于或等于１８微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟５微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于３０μｍ处的高度（...
【技术特征摘要】
2010.03.02 FR 10514871.一种用于制造多层结构(130)的过程，包括-将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘 (117a，117b)，键合界面具有小于或等于lj/m2的粘附能量；以及-减薄所述第一晶片(110)，以便形成转移层(115)，其特征在于，该过程在减薄所述第一晶片(110)之前，包括使用砂轮(150)来执行的修整所述第一晶片(110)的边缘的修整步骤，所述砂轮(150)的工作面(151)包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18 微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30 μ m处的高度(h1KI)使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降， 从而执行所述修整步骤。2.根据权利要求1所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在至少等于所述倒角边缘(117a，117b)所延伸的宽度的宽度(Idlltl)上执行所述修整步骤。3.根据权利要求2所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在介于2mm和 8mm之间的宽度(Idlltl)上执行所述修整步骤。4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于， 所述第一晶片(110)在减薄之前的厚度至少为600 μ m。5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于， 减薄包括磨削步骤。6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于， ...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·沃弗里达茨，S·莫利纳里，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR
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