具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法技术

一种具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，该半导体芯片的组装是将一半导体芯片附着于一具金属基核心载体（Ｍｅｔａｌ－Ｂａｓｅｄ　Ｃｏｒｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ）的多层增层载板（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ　Ｂｕｉｌｄ－Ｕｐ），当该金属基核心载体为半导体组装提供不可或缺的机械性支撑时，该增层载板（Ｂｕｉｌｄ－Ｕｐ　Ｌａｙｅｒｓ）各层板提供电路功能。最后，由于该金属基核心载体为消耗性对象，因此最终将会移除，而该增层载板则予以保留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤指一种在一具 有金属基核心载体(Metal-Based Core Carrier)的增层载板(Build-Up Layers)上组装 集成电路(Integrated Circuit, IC)芯片的方法。
技术介绍
由于集成电路功能的增进，加上信号完整性(Signal Integrity)及规格小型化( Smaller Form-Factor)等需求，致使范围广泛地进化封装革新，包括覆晶(Flip Chip, FC )及芯片尺寸封装(Chip-Scale Packaging, CSP)。该些技术是利用高密度互连(High Density Interco皿ect， HDI)载板，有效地分配IC至板面的输出入信号，使得芯片能够在 一极其局限的空间内进行封装，利用该高密度互连载板不仅能縮减封装组件的封装面积( Foot Print)，同时也可增进信号完整性，例如减少噪音、降低电子干扰辐射及减少能量衰 减等。在一些已经发展可提供高密度互连的新制程中，其使用最为广泛的是为一逐次增层( Sequential Build Up， SBU)载板的制程。传统的增层载板是由二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：至少包含下列步骤：　　　　Ａ、提供一多层增层载板；该多层增层载板包含一增层载板及一金属基核心载体，该增层载板包括一第一表面及一相对的第二表面，且该第一表面面对第一方向，由该第二表面接触该金属基核心载体，并在第一方向垂直延伸于该金属基核心载体之外，且该增层载板透过该金属基核心载体作电性连接；　　　　Ｂ、将一半导体芯片以机械方式附着于该多层增层载板上；该半导体芯片包含一第一表面及一相对的第二表面，且该半导体芯片的第一表面包含一电极；　　　　Ｃ、形成电子连接接合点，电性连接该增层载板与该半导体芯片的电极；　　　　Ｄ、构成封装结构，覆盖该...

【技术特征摘要】
1.一种具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于至少包含下列步骤A、提供一多层增层载板；该多层增层载板包含一增层载板及一金属基核心载体，该增层载板包括一第一表面及一相对的第二表面，且该第一表面面对第一方向，由该第二表面接触该金属基核心载体，并在第一方向垂直延伸于该金属基核心载体之外，且该增层载板透过该金属基核心载体作电性连接；B、将一半导体芯片以机械方式附着于该多层增层载板上；该半导体芯片包含一第一表面及一相对的第二表面，且该半导体芯片的第一表面包含一电极；C、形成电子连接接合点，电性连接该增层载板与该半导体芯片的电极；D、构成封装结构，覆盖该半导体芯片及该增层载板；该封装结构包含一面对第一方向的第一表面、及一面对于相对该第一方向的第二方向的第二表面，且该封装结构在该第一方向垂直延伸于该半导体芯片、该增层载板及该金属基核心载体之外；以及E、蚀刻该金属基核心载体，从而形成该半导体芯片的组装。2.如权利要求l所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组 装方法，其特征在于所述增层载板的构装包含在该金属基核心载体上形成数个凹洞后，置 放终端于该数个凹洞中，以及于该金属基核心载体上逐次置放线路层。3.如权利要求2所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组 装方法，其特征在于所述数个凹洞的形成包含在该金属基核心载体上形成介电层，且该介 电层包含开口，该开口显露出部分的金属基核心载体，以及透过该介电层的开口，蚀刻显露 的金属基核心载体，而不蚀刻穿透该金属基核心载体。4.如权利要求2所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组 装方法，其特征在于所述终端导电体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]