薄膜晶体管的制作方法技术

一种薄膜晶体管的制作方法。于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极。于基材上形成一栅绝缘层，以覆盖栅极并隔绝栅极与源极以及栅极与漏极。于栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层。于基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖源极、漏极以及具有绝缘特性的金属氧化物材料层。形成含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束沉积程序之前，于沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体结构的制作方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
近来环保意识抬头，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、等离子体显示器(plasma displays)、有机电激发光显示器(electroluminescent displays)等。以目前最为普及的液晶显示器为例，其主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及夹于二者之间的液晶层所构成。在习知的薄膜晶体管阵列基板上，多采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为各个子像素的切换组件。近年来，已有研究指出金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor) 薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有较高的载子移动率(mobility)，而金属氧化物半导体薄膜晶体管相较于低温多晶硅薄膜晶体管，则具有较佳的临界电压(threat hold voltage, Vth)均勻性。因此，金属氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极；于该基材上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极并隔绝该栅极与该源极以及该栅极与该漏极；于该栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层；以及于该基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖该源极、该漏极以及具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，其中形成该含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束该沉积程序之前，于该沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的该金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极；于该基材上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极并隔绝该栅极与该源极以及该栅极与该漏极；于该栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层；以及于该基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖该源极、该漏极以及具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，其中形成该含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束该沉积程序之前，于该沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的该金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，于形成具有绝缘特性的该金属氧化物材料层之后，形成该源极与该漏极，且该源极与该漏极暴露出部分该金属氧化物材料层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，于形成该源极与该漏极之后，形成具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，该金属氧化物材料层的一部分位于该源极与该漏极之间，而该金属氧化物材料层的另一部分位于该源极与该漏极上。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该金属氧化物材料层的材质包括II-VI族化合物。5.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜信铨，赖宥豪，李怀安，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32