薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体材料层、导电层及图案化光阻层。图案化光阻层包括二个第一部及连接于第一部之间的第二部，第一部的厚度大于第二部的厚度。以图案化光阻层为掩膜，移除未被图案化光阻层覆盖的导电层与氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体通道层及位于氧化物半导体通道层与图案化光阻层之间的图案化导电层。移除部分图案化光阻层，以减少第一部的厚度直到第二部被移除。以未被移除的第一部为掩膜，移除未被第一部覆盖的图案化导电层，以于氧化物半导体通道层上形成源极与漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别是有关于一种能够避免氧化物半导体通道层受到损伤的。
技术介绍
随着显示科技的日益进步，人们借着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示器轻、薄的特性，促使平面显示器(flat panel display，FPD)成为目前的主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、等离子体显示器(plasma display)、电激发光显示器(electroluminescent display)等。以目前最为普及的液晶显示器为例，其主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及夹于二者之间的液晶层所构成。特别是，在显示器中被大量使用到的薄膜晶体管，其结构设计或是材料的选择更是会直接影响到产品的性能。在公知的薄膜晶体管阵列基板上，多采用非晶硅(amorphous silicon, a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为各个子像素的切换元件。近年来，已有研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有较高的载子移动率(carrier mobility)；而氧化物半导体薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一栅极；在该基板上依序形成一栅绝缘层、一氧化物半导体材料层以及一导电层；在该导电层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层包括二第一部以及一连接于这些第一部之间的第二部，各该第一部的厚度大于该第二部的厚度；以该图案化光阻层为掩膜，移除未被该图案化光阻层覆盖的该导电层与该氧化物半导体材料层，以形成一氧化物半导体通道层以及位于该氧化物半导体通道层与该图案化光阻层之间的一图案化导电层；移除部分的该图案化光阻层，以减少这些第一部的厚度直到该第二部被移除；以及以未被移除的这些第一部为掩膜，移除未被这些第一部覆盖的该图案化导电层，以于该氧化物半导体...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高逸群，陈惠军，林俊男，吴淑芬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71