直边型金属盖半导体封装制造技术

技术编号:6281710 阅读:139 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种直边型金属盖半导体封装,涉及印刷电路板上的半导体封装,目的是解决现有技术存在的封装体强度、上表面面积存在矛盾的问题,包括安装在印刷电路基板上的芯片,还包括金属盖和金属围墙,所述金属盖和金属围墙的上端面连接,金属围墙的下端面与印刷电路基板连接,所述芯片位于金属盖和金属围墙构成的空间内,所述金属盖与金属围墙连接部位的内角为直角。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及印刷电路板上的半导体封装。
技术介绍
电子产品的印刷电路制作中,存在需要将芯片等半导体器件封装在印刷电路基板 上。现有技术主要采用两种结构,一是如图1所示采用金属拉伸变形而成,造成封装 体截面图上存在两处圆弧,则其上表面的面积减小,不能满足客户需求;另一种是如图2所 示采用塑料注塑成型,虽然解决了金属拉伸造成的圆弧问题,但一方面塑料强度有限,另一 方面为了静电屏蔽,还需要在塑料内表层涂覆金属层做屏蔽层,造成工艺复杂。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术存在的封装体强度、上表面面积存在矛盾的问 题,提供一种直边型金属盖半导体封装体,一方面相比现有的金属封装体的上表面面积更 大,另一方面相比现有塑料封装体强度更高,且无需屏蔽层、工艺更简单。本技术的目的通过下述技术方案来实现直边型金属盖半导体封装,包括安装在印刷电路基板上的芯片,还包括金属盖和 金属围墙,所述金属盖和金属围墙的上端面连接,金属围墙的下端面与印刷电路基板连接, 所述芯片位于金属盖和金属围墙构成的空间内,所述金属盖与金属围墙连接部位的内角为 直角。—种实施方式是,所述金属盖和金属围墙为一体成形结构。另一种实施方式是,所述金属盖上设置有贯穿内外的通孔。更具体的实施方式有,所述金属盖和金属围墙的上端面之间通过树脂或焊锡粘接 剂连接。更具体的实施方式还有,所述金属围墙下端面与印刷电路基板之间通过树脂或焊 锡粘接剂连接。一个实施例中,所述芯片包括通过导线连接的MEMS芯片和控制芯片,MEMS芯片和 控制芯片通过环氧树脂粘接剂与印刷电路基板固定连接。另一个实施例中,所述印刷电路基板上矩阵排布有若干个金属围墙,整块金属板 上与金属围墙对应地矩阵排布有若干个金属盖。上述实施例中,每个金属盖和金属围墙构成的空间内,所述芯片包括通过导线连 接的MEMS芯片和控制芯片,MEMS芯片和控制芯片通过环氧树脂粘接剂与印刷电路基板固 定连接。本技术通过化学蚀刻或冲压拉伸成形的方法,整体制作金属盖和金属围墙, 或是分别制作金属盖和金属围墙,使金属盖和金属围墙连接处的内角为直角,而不会产生 过渡圆弧,从而使金属封装体的上表面面积相比原来有圆弧的结构更大,以满足客户需求,而且金属封装体又比现有的塑料封装体强度更高,减少了制作内部屏蔽层的工序,制作工 艺更简单,结构更简单。附图说明图1是现有技术中采用金属封装体的结构示意图;图2是现有技术中采用塑料封装体的结构示意图;图3是本技术实施例1的结构示意图;图4是本技术实施例2的结构示意图;图5是本技术实施例3的结构示意图;图6是本技术实施例4的结构示意图;图7-图8是本技术实施例1的制作过程示意图;图9-图10是本技术实施例2的制作过程示意图;图11-图13是本技术实施例3的制作过程示意图;图14-图16是本技术实施例5的制作过程示意图;图17-图19是本技术实施例4的制作过程示意图;图20-图22是本技术实施例6的制作过程示意图;图中标号1是金属盖,2是控制芯片,3是印刷电路基板,4是导线,5是MEMS芯片, 6是环氧树脂粘接剂,7是塑料盖,8是整体成形的金属盖,9是金属围墙与印刷电路基板之 间的树脂或焊锡粘接剂,10是平板金属盖,11是金属围墙,12是平板金属盖与金属围墙之 间的树脂或焊锡粘接剂,13是带通孔的金属盖,14是带通孔的平板金属盖。具体实施方式下面结合具体实施例和附图对本技术作进一步的说明。现有的在印刷电路基板上的半导体封装,主要包括如图1所示的金属封装和如图 2所示的塑料封装,两者的区别是图1中的盖体是由金属拉伸变形制作的金属盖1,在拉伸 过程中不可避免形成了图1中所示的两处圆弧,从而使金属盖1的上表面面积小于其底部 与印刷电路基板3接触的面积;而图2中的盖体是塑料注塑形成的塑料盖7,可以形成直 边、直角,但塑料的强度却较低,且为了静电屏蔽,塑料盖7的内壁还需要涂覆一层金属层, 从而导致结构更复杂、工艺更繁复。而本技术的技术方案是在印刷电路基板上安装(粘接、插接或其它现有的固 定安装结构)芯片,然后在印刷电路基板上固定安装包括金属盖和金属围墙的盖体,芯片位 于金属盖和金属围墙之间的空间内,金属盖和金属围墙的内角为直角。实施例1 本实施例如图3所示,该图上部分为纵截面图,下部分为俯视图。图3中,直边型金属盖半导体封装包括印刷电路基板3,在印刷电路基板3上,通过 环氧树脂粘接剂6固定安装有MEMS芯片5和控制芯片2,MEMS芯片5和控制芯片2通过导 线4 (如金线)连接。还包括整体成型的金属盖8 (其与金属围墙整体成型),该金属盖8包括平面部分 和金属围墙部分,两者的衔接处内壁为直角,外壁在拐角处设置有内凹倒角圆弧,一方面可以尽可能增大金属盖8上表面的面积,减少外表面的尖角对电气性能的影响,另一方面也增加了金属盖8的强度。金属盖8通过树脂或焊锡粘接剂9固定安装在印刷电路基板3上。 本实施例的制作过程如下 1.测试晶圆(wafer incoming) 3.晶圆贴膜,切割(wafer mount/die saw) 5.焊线(wire bond) 6.芯片包裹(die coating)(此工序为可选,针对不同的产品而定)[0042l 7.贴盖(Lid attach)[0043l 贴盖有两种方法。一种是以矩阵形式的多颗同时粘贴(如图7)一种是单颗的贴盖工艺(如图8)。其中单颗的盖子的加工方式有单颗加工和矩阵切割成形两种。 8.打印(Marking) 9.产品切割(Package Sawing) 11.包装(Packing) 12.出货(shipping) 实施例2 本实施例如图4所示,该图上部分为纵截面图,下部分为俯视图。 图4中,与印刷电路基板3固定安装、扣合在MEMS芯片5和控制芯片2之上的金属盖体为带通孔的金属盖13,其它结构如实施例l。 本实施例的制作过程如下 1.测试晶圆(wafer incoming) 2.晶圆厚度减薄(wafer back grinding) 3.晶圆贴膜,切割(wafer mount/die saw) 4.贴片(die attach) 5.焊线(wire bond) 6.芯片包裹(die coating)(此工序可选,针对不同的产品而定) 7.贴盖(Lid attach) 贴盖有两种方法。一种是以矩阵形式的多颗同时粘贴(如图i0)一种是单颗的贴盖工艺(如图9)。其中单颗的盖子的加工方式有单颗加工和矩阵切割成形两种。 同时,金属盖子是用化学蚀刻加工的方法,可以加工0.20mm左右的小孔,有隔离一定的灰尘,连接内外空间的作用。 8.打印(Marking) 9.产品切割(Package Sawing) i0.分拣、放置(Pick and Place) 11.包装(Packing)12.出货(shipping)实施例3 本实施例如图5所示,该图上部分为纵截面图,下部分为俯视图。图5中,直边型金属盖半导体封装包括印刷电路基板3,在印刷电路基板3上,通过 环氧树脂粘接剂6固定安装有MEMS芯片5和控制芯片2,MEMS芯片5和控制芯片2通过导 线4 (如金线)本文档来自技高网...

【技术保护点】
直边型金属盖半导体封装,包括安装在印刷电路基板上的芯片,其特征在于,还包括金属盖和金属围墙,所述金属盖和金属围墙的上端面连接,金属围墙的下端面与印刷电路基板连接,所述芯片位于金属盖和金属围墙构成的空间内,所述金属盖与金属围墙连接部位的内角为直角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:管军华
申请(专利权)人:宇芯成都集成电路封装测试有限公司
类型:实用新型
国别省市:90[中国|成都]

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