【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种降低硅片表面反射率的方法。
技术介绍
随着科技的进步，现在用于制备太阳能电池的材料越来越多，但是由于硅本身的良好的特性以及其在地球上丰富的储量，硅基太阳能电池仍然是现在以及将来在清洁能源领域的主导。由于一般硅表面对于太阳光的反射很高，因此为了进一步提高硅基太阳能电池的转换效率，就必须对硅表面进行处理，形成各种表面陷光结构，从而降低其对太阳光的反射。现在通常采取的方法是首先通过酸或者碱对硅表面进行刻蚀，形成金字塔型结构，然后再在表面镀一层防反射膜(ARCs)，如SiOx，TiOx, ZnO, SiNx, ITO等。但是这种方法要求硅片必须为单晶的Si (100)取向，不能在多晶硅以及非晶硅 上使用，此外，在进行镀防反射膜层时一般需要涉及真空技术，这就增加了工艺的复杂性以及成本。而且通过该种方法处理后的硅片也只能在某些特定的波长范围内降低光反射率(反射率平均值为8% 15% )，并不能在整个光谱范围内都降低。如果需要再大范围内降低光反射率，则需要在硅表面镀多层的防反射膜，这又进一步增加了工艺的成本和复杂性。目前有人通过激光方法或者等离子体刻蚀的...
【技术保护点】
１．一种降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：将硅片浸入氢氟酸与含有Ａｇ离子、Ｃｕ离子、Ｎｉ离子或Ｍｇ离子的盐的混合溶液中进行刻蚀；以及步骤２：将刻蚀后的硅片放入硝酸或者王水中清洗以去除表面的金属覆盖物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧平，王燕，梅增霞，杜小龙，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11
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