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本发明公开了一种降低硅表面光反射率的方法，该方法包括如下步骤：步骤1：将硅片浸入氢氟酸与含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的混合溶液中进行刻蚀；步骤2：将刻蚀后的硅片放入硝酸或者王水中超声清洗以去除表面的金属覆盖物。该方法工艺简...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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