【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光生电压的装置及方法，尤其涉及一种连续调制半导体异质结光 生电压的装置及方法。
技术介绍
半导体异质结光生电压是光生伏特效应中重要体现；目前，由于能源危机，半导体 异质结光伏发电得到了广泛的研究，但是由于光生电压较低导致光电转换效率不高，应用 前景仍然有限；所以，提高半导体异质结光生电压的方法仍然在不断的研究中，其是光伏发 电领域重要的技术研究方向。目前，人们大多关注于如何利用半导体异质结材料种类变化(Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 92，PP909_913，2008)，异质结掺杂浓度的变化(J. App 1. Phys.，101， 0M504，2007)，以及异质结结构的改变(高云等，一种S i / F e S i 2 / S i组成三明治 结构的太阳能电池及其制造方法，专利技术专利申请号200910273050)，来调制异质结的禁 带宽度，以便提高异质结内建电场，提高光生电压，最终提高异质结的光电转换效率。但是 到目前为止，研究结果发现以上方法无法实现连续调制内建电场，实现光生电压的连续变 化。为此，有的小组(...
【技术保护点】
一种连续调制半导体异质结光生电压的装置，它包括氦氖激光器、斩波器、可编程恒流电流源、直流数字电压表、锁相放大器、四端样品座和计算机，其特征是氦氖激光器、斩波器和四端样品座依次相距预定距离在同一光路上，可编程恒流电流源与四端样品座的两端并联，四端样品座的另外两端与直流数字电压表和锁相放大器并联连接，可编程恒流电流源和锁相放大器连接计算机。
【技术特征摘要】
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