线路板及其制程制造技术

一种线路板，其包括一线路基板、一第一介质层、一抗活化层、一第一导电层、一第二导电层以及一第二介质层。线路基板具有一第一表面与一第一线路层。第一介质层配置在线路基板上且覆盖第一表面与第一线路层。第一介质层具有一第二表面、至少一从第二表面延伸至第一线路层的盲孔以及一凹刻图案。抗活化层配置在第一介质层的第二表面上。第一导电层配置在盲孔内。第二导电层配置在凹刻图案与盲孔内，且覆盖第一导电层。第二导电层借由第一导电层电性连接至第一线路层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种线路板(circuit board)及其制程，且特别是有关于一种具 有较佳可靠度的线路板及其制程。
技术介绍
现今的线路板技术已从一般常见的非内埋式线路板发展为内埋式线路板 (embedded circuit board)。详细地说，一般常见的非内埋式线路板的特征在于其线路是 突出在介质层的表面上，而内埋式线路板的特征在于其线路是内埋在介质层中。线路板的 线路结构通常都是通过光刻制程或激光烧蚀方式所分别形成。以传统利用激光烧蚀方式所形成的内埋式线路板的增层线路结构的制程为例，其 包括以下步骤。首先，提供一介质层在一具有一线路层的线路基板上。接着，在介质层的表 面照射一激光束，以形成一凹刻图案以及一连接至线路层的盲孔。之后，进行电镀制程以形 成填满盲孔以及凹刻图案的导电层。至此，内埋式线路板的增层线路结构已大致完成。然而，进行电镀制程时，由于盲孔的深度与凹刻图案的深度不同，因此容易因电镀 条件控制不佳，而使得所形成的导电层有厚度分布不均勻的现象。如此一来，当后续进行移 除位于凹刻图案与盲孔以外的导电层时，将不易控制所移除的导电层的厚度，以致于容易 在移除的过程中不当薄化内埋式的导电层或者是不当残留多余的导电材料在介质层上。此 外，后续再在此介质层上进行增层线路层制作时，电镀制程易有品质不良与良品率不高等 问题产生，如此一来，易降低增层线路结构的制程良品率，进而降低线路板的可靠度。
技术实现思路
本专利技术提供一种线路板及其制程，可提升线路板的可靠度。本专利技术提出一种线路板，其包括一线路基板、一第一介质层、一抗活化层、一第一 导电层以及一第二导电层。线路基板具有一第一表面与一第一线路层。第一介质层配置在 线路基板上且覆盖第一表面与第一线路层。第一介质层具有一第二表面、至少一从第二表 面延伸至第一线路层的盲孔以及一凹刻图案。抗活化层配置在第一介质层的第二表面上。 第一导电层配置在盲孔内。第二导电层配置在凹刻图案与盲孔内，且覆盖第一导电层。第 二导电层借由第一导电层电性连接至第一线路层。在本专利技术的一实施例中，上述的盲孔的高度为H，而第一导电层的厚度为h，且 0. 2 ^ (h/H) ^ 0. 9。在本专利技术的一实施例中，上述的凹刻图案与盲孔相连接。在本专利技术的一实施例中，上述的线路板还包括一活化层，配置在第一介质层的凹 刻图案与第二导电层之间以及配置在第一导电层与第二导电层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的抗活化层的材质包括一不含羟基(OH)官能基团 或羧基(COOH)官能基团的高分子材料。在本专利技术的一实施例中，上述的高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树 脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。在本专利技术的一实施例中，上述的抗活化层的厚度介于1纳米(nm)至15微米(μ m) 之间。在本专利技术的一实施例中，上述的第一线路层内埋在线路基板中，且第一线路层的 一表面与第一表面实质上切齐。在本专利技术的一实施例中，上述的第一线路层配置在线路基板的第一表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的线路板还包括一第二介质层，配置在第一介质层 上，且覆盖抗活化层与第二导电层。在本专利技术的一实施例中，上述的第一介质层的材质与第二介质层的材质相同。在本专利技术的一实施例中，上述的第一介质层的材质与第二介质层的材质不同。本专利技术还提出一种线路板的制程。首先，提供一线路基板。线路基板具有一第一表 面与一第一线路层。接着，形成一第一介质层在线路基板上。第一介质层具有一第二表面， 且第一介质层覆盖第一表面与第一线路层。形成一抗活化层在第一介质层的第二表面上。 对抗活化层照射一激光束，以形成至少一从抗活化层延伸至第一线路层的盲孔以及一凹刻 图案。然后，形成一第一导电层在盲孔内。最后，形成一第二导电层在凹刻图案与盲孔内， 其中第二导电层覆盖第一导电层，且第二导电层借由第一导电层电性连接至第一线路层。在本专利技术的一实施例中，上述的形成抗活化层的方法包括贴附具有一具有影像转 移特性的树脂薄膜。在本专利技术的一实施例中，上述的抗活化层的厚度介于1纳米(nm)至15微米(μ m) 之间。在本专利技术的一实施例中，上述的抗活化层的材质包括一不含羟基(OH)官能基团 或羧基(COOH)官能基团的高分子材料。在本专利技术的一实施例中，上述的高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合 物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树 脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。在本专利技术的一实施例中，上述的形成抗活化层的方法包括喷涂一纳米级抗活化材 料。在本专利技术的一实施例中，上述的抗活化层的厚度介于1纳米(nm)至15微米(μ m) 之间。在本专利技术的一实施例中，上述的激光束为红外线或紫外线激光光源。在本专利技术的一实施例中，上述的形成第一导电层在盲孔内的方法包括化学沉积法。在本专利技术的一实施例中，上述的盲孔的高度为H，而第一导电层的厚度为h，且 0. 2 ^ (h/H) ^ 0. 9。在本专利技术的一实施例中，上述的形成第二导电层之前，还包括形成一活化层于介 质层的凹刻图案内以及第一导电层上。在本专利技术的一实施例中，上述的形成第二导电层在凹刻图案与盲孔内的方法包括 化学沉积法。在本专利技术的一实施例中，上述的第一线路层内埋在线路基板中，且第一线路层的 一表面与第一表面实质上切齐。在本专利技术的一实施例中，上述的第一线路层配置在线路基板的第一表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的凹刻图案与盲孔相连接。在本专利技术的一实施例中，上述的形成第二导电层在凹刻图案与盲孔内之后，还包 括形成一第二介质层在第一介质层上，其中第二介质层覆盖抗活化层与第二导电层。在本专利技术的一实施例中，上述的第一介质层的材质与第二介质层的材质相同。在本专利技术的一实施例中，上述的第一介质层的材质与第二介质层的材质不同。基于上述，由于本专利技术的线路板的制程是先在盲孔内形成第一导电层，以降低盲 孔与凹刻图案之间高度差，而后，再形成第二导电层在盲孔内的第一导电层上与凹刻图案 内。如此一来，可使形成在盲孔与凹刻图案内的导电层能具有较佳的厚度均勻度以及表面 平整度。此外，本专利技术的抗活化层除了可用来限制第二导电层的沉积位置，以避免第二导电 层过度沉积的问题之外，亦可作为第一介质层与第二介质层的界面层。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。附图说明图1为本专利技术的一个实施例的一种线路板的剖面示意图。图2A至图2E为本专利技术的一个实施例的一种线路板的制程的剖面示意图。图2F为本专利技术的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。主要元件符号说明100、100a 线路板110:线路基板112:第一表面114:第一线路层120 第一介质层122 第二表面lMa、124b:盲孔126:凹刻图案130 抗活化层140:第一导电层150:第二导电层160 第二介质层170 活化层L 激光束H、h:厚度具体实施例方式图1为本专利技术的一个实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，线路板100包括一线路基板110、一第一介质层120、一抗活化层130、一第一导电层140 以及一第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种线路板，包括：一线路基板，具有一第一表面与一第一线路层；一第一介质层，配置在该线路基板上且覆盖该第一表面与该第一线路层，该第一介质层具有一第二表面、至少一从该第二表面延伸至该第一线路层的盲孔以及一凹刻图案；一抗活化层，配置在该第一介质层的该第二表面上；一第一导电层，配置在该盲孔内；以及一第二导电层，配置在该凹刻图案与该盲孔内，且覆盖该第一导电层，其中该第二导电层借由该第一导电层电性连接至该第一线路层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾子章，江书圣，陈宗源，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]