自对准金属硅化物的形成方法技术

一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明专利技术形成的金属硅化物层均匀性好且器件不会出现桥接现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。
技术介绍
在半导体制造技术中，金属硅化物由于具有较低的电阻率且和其他材料具有很好 的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属与硅发生 反应生成金属硅化物，通过一步或者多步退火工艺可以形成低电阻率的金属硅化物。随着 半导体工艺水平的提高，特别是在90nm及其以下技术节点，为了获得更低的接触电阻，镍 及镍的合金成为形成金属硅化物的主要材料。在已经公开的申请号为200780015617. 9的中国专利申请中公开了一种自对准金 属硅化物的形成方法，该方法选择镍合金作为形成金属硅化物的材料。图1至图3给出了 该方法形成自对准硅化物各阶段的剖面结构示意图。如图1所示，首先提供半导体基底100，所述半导体基底100形成有隔离区110，所 述隔离区110内填充有绝缘材料；在半导体基底100上形成有栅介质层104 ；在所述栅介质 层104上形成有栅电极103，在所述栅电极103及栅介质层104的两侧形成有侧墙105，所 述栅电极103两侧半导体基底100内形成有源极101和漏极102。如图2所示，在所述半导体基底100的表面形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石永昱，王栩，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]