温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。