【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及结合了涂料制作工艺与液相 磊晶薄膜层的生长原理，在一平坦的载板表面生长一层液相磊晶薄膜层，利用此薄膜的特 性，可以制作出所谓的P-N接合，成为一种半导体组件的基板的方法。
技术介绍
现有技术的多晶硅薄膜可以通过一种制程，在玻璃或陶瓷基板上沉积非晶硅与金 属铝的迭层，并经高温热处理而形成，即是所谓的MIC(Metal-Induced-Crystalline)制程。然而现有技术虽然可以提供低成本的太阳能电池，但是由于需要使用高真空的溅 镀系统或气相薄膜沉积系统等薄膜生长设备，不是结晶硅太阳能电池厂的标准生产设备， 需要另外投入资金及制程开发，且其光电转换效率仍待加强。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种，其中本专利技术利用印刷涂 布技术与液相磊晶薄膜层的生长原理，在一平坦的载板表面生长一层液相磊晶薄膜层，利 用此薄膜的特性，藉以制作出所谓的P-N接合，可成为一种半导体组件的基板。为了达到上述目的，本专利技术提供一种，用以成为一种半 导体组件的基板，该包括以下步骤利用印刷技术将一第一涂布层印刷于一载板的平坦表面上；利用印刷技术将一第二...
【技术保护点】
一种局限液相磊晶层形成方法，用以成为一种半导体组件的基板，其特征在于，该局限液相磊晶层形成方法包括以下步骤：利用印刷技术将一第一涂布层印刷于一载板的平坦表面上；利用印刷技术将一第二涂布层印刷于该第一涂布层的上方；将已涂布有该第一涂布层及该第二涂布层的载板放置于一石墨生长舱中，该石墨生长舱包含一石墨上盖及一石墨舱体，该石墨舱体具有一容置室，该容置室用以安置该已涂布有第一涂布层及第二涂布层的载板，并使该石墨上盖密合于该石墨舱体，藉以形成一封闭的反应舱：将石墨生长舱放入一加热舱内，首先令加热舱内充满还原或惰性气氛，然后将加热舱内加热到能使该第一涂布层及该第二涂布层烘干的温度，接着...
【技术特征摘要】
1.一种局限液相磊晶层形成方法，用以成为一种半导体组件的基板，其特征在于，该局 限液相磊晶层形成方法包括以下步骤利用印刷技术将一第一涂布层印刷于一载板的平坦表面上；利用印刷技术将一第二涂布层印刷于该第一涂布层的上方；将已涂布有该第一涂布层及该第二涂布层的载板放置于一石墨生长舱中，该石墨生长 舱包含一石墨上盖及一石墨舱体，该石墨舱体具有一容置室，该容置室用以安置该已涂布 有第一涂布层及第二涂布层的载板，并使该石墨上盖密合于该石墨舱体，藉以形成一封闭 的反应舱将石墨生长舱放入一加热舱内，首先令加热舱内充满还原或惰性气氛，然后将加热舱 内加热到能使该第一涂布层及该第二涂布层烘干的温度，接着让加热舱温度升到600°c 1000°C并保持恒温；将加热舱的温度调降至室温，随降温过程，一局限液相磊晶层逐渐长成，其中该第二涂 布层的硅元素在该第一涂布层融熔...
【专利技术属性】
技术研发人员：林庆浩，张嘉甫，吴庆丰，
申请(专利权)人：致嘉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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