一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和／或有机膦酸类化合物、硝酸钾和水，所述的二氧化硅溶胶颗粒的粒径为２０～４５ｎｍ。本发明专利技术为满足用于抛光氧化物介电质的化学机械抛光液的要求，提供了一种氧化物介电质去除速率高的化学机械抛光液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，硅晶圆基片上往往构建了成千上万的结构单元，这些 结构单元通过多层金属互连进一步形成功能性电路和元器件。在多层金属互连结构中，金 属导线之间填充二氧化硅或掺杂其他元素的二氧化硅作为层间介电质(ILD)。随着集成电 路金属互连技术的发展和布线层数的增加，化学机械抛光(CMP)已经广泛应用于芯片制造 过程中的表面平坦化。这些平坦化的芯片表面有助于多层集成电路的生产，且防止将电介 层涂覆在不平表面上引起的畸变。CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫抛光集成电路表面。在典型的化 学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛 光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常 称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行 抛光过程。在氧化物抛光过程中，抛光浆料主要用于去除氧化物介电质。在浅沟槽隔离层抛 光时，抛光液主要用于去除以及平坦化氧化物介电质和氮化硅。在氧化物和浅沟槽隔离层 抛光工艺中，都要求较高的氧化物介电质去本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和／或有机膦酸类化合物、硝酸钾和水，所述的二氧化硅溶胶颗粒的粒径为２０～４５ｎｍ。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和/或有机膦酸类化合 物、硝酸钾和水，所述的二氧化硅溶胶颗粒的粒径为20 45nm。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机羧酸为碳原子数 2 6的二元和三元羧酸中的一种或多种。3.如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机羧酸为草酸、酒石 酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和柠檬酸中的一种或多种。4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机膦酸类化合物为含 有1 4个膦酸基团，且碳原子数为2 20的膦酸类化合物。5.如权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机膦酸类化合物为羟 基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸和多 氨基多醚基亚甲基膦酸中的一种或多种。6.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机羧酸和/或有机膦 酸类化合物的含量为质量百分比0. 2 3%。7.如权利要求6所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机羧酸和/或有机膦 酸类化合物的含量为质量百分比0. 2% 1%。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王淑敏，俞昌，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]