非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用制造技术

本发明专利技术公开了重复单元中含有－（ＲＯ）－或－（ＲＣＯＯ）－基团的聚合物在可实现自停止机制的多晶硅化学机械抛光液的制备及其使用中的应用，其中Ｒ为碳原子数为１～１０的烷基。本发明专利技术所述的聚合物用于抛光液的制备及其使用，可在固定的常规工艺参数抛光条件下实现自停止机制的多晶硅化学机械抛光过程，从而避免二氧化硅沟道中多晶硅碟形凹损缺陷的发生，及去除二氧化硅碟形凹损中的多晶硅残留，增高抛光后晶片表面的平坦度，且具有工艺窗口宽的特点，可使得生产率大大提高，生产成本大大降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春晓，荆建芬，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31