【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及步进和闪光压印光刻,并且更具体地说涉及用来制作双波紋(dual damascene)结构的光掩才莫及其形成方法。技术背景由于装置制造者不断制造更小和更复杂的装置,因此用来制作这 些装置的光掩模不断需要更宽范围的能力。先进的微处理器可能需要 八层或更多层布线以在装置之中以及向外部电路传输信号和功率。每 个布线层可以通过通路层连接到它之上和之下的层。在标准双波紋工艺中,仅可以使用单金属沉积步骤来同时形成金 属层和通路层。可以利用两个光刻步骤以及至少两个刻蚀步骤限定通 路和沟槽。在通路和沟槽被刻蚀后,可以利用在相同步骤中^皮用来填 充限定金属层的沟槽的金属材料。可以通过化学机械抛光(CMP)工艺 除去沉积在沟槽外部的多余金属以便形成具有金属插入物的平面结 构。 一旦实现平面化的表面,就不必在介电层上执行CMP。因此,可以 通过使用所述的双波紋工艺来消除CMP步骤。步进和闪光压印光刻(SFIL)工艺使用类似于铸模的模板 (template)在衬底上形成图案。可以在衬底表面上沉积可聚合流体, 并且在模板被施加到晶片上的流体时所述流体可以填充由模板中 ...
【技术保护点】
一种用来制造多层步进和闪光压印光刻(SFIL)模板的方法,包括: 提供包括衬底、吸收层、和第一抗蚀剂层的坯件; 利用光刻系统在衬底中第一深度处形成双波纹结构的金属层图案; 从所述坯件除去第一抗蚀剂层; 在所述坯件上增 加第二抗蚀剂层;以及 在同时形成第二深度处的金属层图案时利用光刻系统在第一深度处形成双波纹结构的通路层图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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