【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及光刻，并且更具体地说涉及光掩模以及用来在光掩模上形成非正交特征(nonorthogonal feature)的方法。
技术介绍
由于装置制造者不断制造更小和更复杂的装置，因此用来制作这 些装置的光掩模不断需要更宽范围的能力。光掩模，也称为掩模版 (reticle)或掩模，通常包括衬底，其具有形成在衬底上的图案化的 层。所述图案化的层通常包括形成在吸收体材料(例如铬)中的图案， 其描绘在光刻系统中可以被转移到晶片上的图像。对 一 些应用而言， 这些装置可能需要形成非正交特征。随着装置特征尺寸减小，制造具 有非正交图案的复杂特征变得更加困难。以前的用来制造具有大于大 约300纳米(nm)的临界尺寸的非正交特征(例如圓形特征)的技术 包括将这些特征模型化为三十二边形。然而，当制造更小装置所需要 的特征的尺寸减小到大约300 nm以下时，写这些小特征需要的大量曝 光和减小的分辨率使这些技术变得无效。另一个用于具有小于大约120 nm尺寸的特征的技术使用步进和闪光压印光刻(SFIL)工艺。在较小 尺寸情况下，非正交特征可以被模型化为正方形使得这些特征在...
【技术保护点】
一种用来在光掩模坯件上形成非正交特征的方法，包括：提供包括原始形状的掩模图案文件；将原始形状分裂成多个可写形状；以及通过利用光刻系统将可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上来在光掩模坯件上形成非正交特征，所述可写形状在光掩模坯件上形成非正交特征。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：SS麦唐纳，D梅伦欣，
申请(专利权)人：凸版光掩膜公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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