防止衬底表面上烟雾生长的装置和方法制造方法及图纸

公开了防止衬底表面上烟雾生长的装置和方法。该装置包括可经操作以储存衬底的容器以及连接至该容器的气体源。为了防止该衬底表面上烟雾生长，该气体源可经操作以向该容器内排放气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的来说涉及半导体制造，尤 及防止衬底表面上烟雾生长(haze growth)的装置和方法。
技术介绍
由于半导，件制造商不断制造更小的器件，对于用于制造这些器件的光 掩模的需求不断加强。光掩模，也被称为分划板(reticle)或掩模(mask)，典 型地由具有形成在衬底上的吸收层(例如，铬掘oSO的衬底(例如，高纯度 石英或玻璃)构成。吸收层包括代表电路图象的图案，该电路图象在光刻系统 中可被转印至半导体晶片上。随着半导体器件特征尺寸的减小，光掩模上的相 应的电路图象也变得更小更复杂。因此，在建立稳定和可靠的半导体制造工艺 中，掩膜的质量己经成为最关键的因素之一。定义光掩模质量的光掩模特点包括衬底的平坦度、由不透明层所形成的特 征尺寸以及衬底和吸收层的透射特性。在制造工艺中，这些特点可能会通过不 同的禾辨发生改变，其可能会斷氐光掩模的质量。由于行业为提高光刻分辨率以及印刷日益减小的几何形状而采用更低的波 长，所以光学表面例如光掩模和薄膜膜表面(pellicle film surface)的污染物生长， 已经成为越来越多的问题。掩膜图案化工艺、清洗工艺、薄膜膜层材料和储存 环境都可能弓l入额外的污染物进入的机会，所述污染物可导致逐步生长缺陷或 使逐步生长缺陷成为可能。例如在清洗工艺中，由清洗剂所产生的化学残留可能会保留在暴露的表面 上。如果衬底长时间保存在储存容器中，清洗工艺中产生的残留(例如，硫酸 盐和/或氨)可能与容器中圈闭的水分发生反应并导致烟雾在暴露表面上的生长。 具体来说，烟雾可能通过硫酸(H2S04)、氢氧化铵(NHtOH)以及硫酸铵 (NHtS04)的吸收产生。烟雾能改变衬底的邀抖寺性和/或在衬底上弓胞缺陷。 如果光掩模衬底的透射特性发生变化，来自光掩模的图案可能不能精确地转印到半导体晶片上，从而导致在形成在晶片上的微电子:^件中产生缺陷或误差。
技术实现思路
根据本专利技术，与防止衬底表面上烟雾生长相关的缺点以及问题已减少或消 除。在特定的实施方案中，气体可以被分配至保持衬底的储存容器中，从而该 气体防止烟雾在衬底表面上的生长。根据本专利技术的一个实施方案，防止衬底表面上烟雾生长的装置包括可操作 以储存衬底的容器以及连接至该容器的气体源。为防止烟雾在衬底表面上的生 长，所述气体源可经操作以向该容器内分配气体。根据本专利技术的另一实施方案，防止衬底表面上烟雾生长的方法包括提供可 操作以保持衬底并将所述衬底封闭在其中的容器以及连接至该容器的气体源。 为防止烟雾在衬底表面的生长，所述气体源向该容器内分配气体。附图说明参照与附图相关的下述说明可能获得对本实 案及其优点的更完整的理 解，在附图中，相同的附图标记表示相同的特征，其中图1示出了根据本专利技术教导的光掩模组件的横截面图2A和2B分别示出了根据本专利技术教导用于保持衬底的储存容器的顶视图图3A至3C示出了根据本专利技术教导当暴露于气体中时，随着时间的过去， 衬底表面上污染物生长图。具体实施例方式ilil参照图1至3可以最好地理解本专利技术的优选实施方案以及它们的优点， 其中相同的附图标记用，示相同和相应的部件。由于光掩模充当使复杂几何形状例如集成电路(IC)在晶片上成像的模板， 所以光掩模是光刻系统中至关重要的组成部分。制皿程中，不同的气体和/或 化学品可能被弓l入接近光掩模的表面。尽管每一光掩模可能被清洗至少一次， 一些残留物也可能保留在表面上。这些残留物可能会与当光掩模用于光刻工艺 中产生的其它污染物和/或用于储存光掩模的储存容器中存在的任何污染物发生反应。这些反应物可能引起光掩模上的烟雾生长，这能改变光掩模的透射特性 并且破坏光掩模上图案化层。本专利技术提供防止衬底表面上出现烟雾生长的装置。衬底，例如光掩模、薄 膜或半导体晶片，可以放置于储存容器中用于向另一生产设备传送或用于储存 直到在生产工艺中需要该衬底为止。该储存容器可以包括向该容器中排放气体 的气体源。 一旦衬底被放置在储存容器中，附着在该容器上的盖子可以关闭以 将该衬底密封在该储存容器中。该盖子的关闭动作可能触发该气体源向该容器 中释放气体。当该衬底被密封在该储存容器中时，这气体可以防止烟雾在衬底 表面上的生长。图1示出了示例光掩模组件10的横截面图。光掩模组件10包括安装在光掩模12上的薄膜组件(pellicle assembly) 14。衬底16以及图案化层18构成光 掩模12，也被称为掩模或分划板(reticle)，其可能具有各种各样的尺寸和形状， 包括但不限于圆形、矩形或正方形。光掩模12也可以是任何种类的光掩模类型， 包括但不限于一次原版(one-time master)、五英寸分划板、六英寸分划板、九 英寸分划板、或其它任何可以用于向半导体晶片上投影电路图案图象的适当尺 寸的分划板。光lt模12可进一步是双^t模(binaiymask)、相移掩模(PSM) (例如，交变光圈相移掩模，也称为Levenson形掩模)、光学邻近效应校正(OPC) 掩模或其它任何类型的适用于光刻系统中的掩模。在其它实施方案中，光掩模 12可以是步进快闪式压印光刻(SFTL)模板，用于在可聚合的流体组合物中形 成图案的压印体，所述图案的压印体经固化在晶片上形成器件。该模板可以是半透明材料，该可聚合流体可以通过暴露在辐i中源中固化以在晶片上形成器件。光掩模12包括形成在衬底16的上表面17上的图案化层18，当暴露于光 刻系统中的电磁能量中时，在半导体晶片(未明显示出)的表面之上投影出图 案。衬底16可以是透明材料例如石英、合成石英、熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、 氟化f丐(GaF2)或其它任何it31波长大约10纳米(nm)至大约450纳米的入 射光的至少百分之七十五(75%)的合适材料。在替换性的实施方案中，衬底 16可以是反射性材料，例如硅或其它任何Mlt大于大约百分之五十(50%)的 具有大约10纳米(nm)和450纳te间波长的入射光的合适材料。图案化层18可以是金属和/或金属化合物，例如铬、氮化铬、金属的氧碳 氮化物(例如，MaCyNz，其中M选自由铬、钴、铁、锌、钼、铌、钽、钛、钩、铝、镁、以及硅构成的组)，或者其他任何吸收波长在紫外线(uv)范围、深紫外线(DUV)范围、真空紫外线(VUV)范围和远紫外线(EUV)范围内 的电磁能量的合适材料。在替换性实施方案中，图案化层18可以是部，明材 料，例如硅化钼(MoSi)，在紫外线、深紫外线、真空紫外线和远紫外线范围 内具有大约百分之一 (1%)至大约百分之三十(30%)的透射率。框架20以及薄膜22可以构成薄膜组件14。框架20典型地由阳极化铝形 成，但是它能够可替换地由不锈钢、塑料或其它暴露于光刻系统中的电磁能量 中时不发生糊 ,放气体的合适材料形成。薄膜22可以是由材料例如硝化纤 维素、醋酸纤维素、非晶含氟聚合物，如杜邦公司生产的TEFLON^AF或^sahi Glass生产的CYTOP8、或其它在紫外、深紫外、远紫外和/或真空紫外范围内的 波长透明的合适膜形成。薄膜22可以3I31如旋转铸造的常规技术制成。薄膜22 M31确保污染物保持在离光掩模12限定距离来防止光掩模12受到 例如灰尘颗粒的污染物的污染。这在光刻系统中可能是特本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于减少衬底上烟雾生长的装置，包括：　可操作以储存衬底的容器；以及　连接至所述容器的气体源，所述气体源可经操作以分配气体到所述容器中，用于防止在所述衬底表面上生长烟雾。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：EM弗赖伊，LE弗里萨，
申请(专利权)人：凸版光掩膜公司，
类型：发明
国别省市：US[]