基片处理方法、输送处理材料的旋转单元及基片处理装置制造方法及图纸

在用于使基片旋转的旋转单元以及基片处理方法中，基片固定在支承部上并在支承部上旋转。包括干燥气体、蚀刻液和清洗液的处理材料有选择地输送到旋转基片的下表面上。还可有选择地将相同的处理材料输送到基片的上表面上。通过经第一和第二分喷射器同时输送处理材料，同时处理基片的上表面和下表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及一种处理基片的方法、向基片输送处理材料的旋转 单元、和具有该旋转单元的基片处理装置。更具体地，本专利技术的实施例涉 及一种同时处理基片的上表面和下表面的方法、向基片的下表面输送处理 材料的旋转单元、以及具有该旋转单元的基片处理装置。
技术介绍
通常，如半导体存储器之类的集成电路器件，通过在如硅晶片之类的 半导体基片上进行各种重复的单元操作而制成。例如，通过蚀刻基片的蚀 刻处理、清洗各种污染物的清洗处理和干燥在蚀刻处理和清洗处理中的处 理材料的干燥处理，形成集成电路。有一种已广泛用于上述如蚀刻处理、清洗处理和干燥处理之类的单元 处理中的喷射装置，以将处理材料，例如蚀刻液、清洗液和干燥气体喷到 基片上。在现有的单元处理装置的结构中，该喷射装置位于基片上方，处 理材料通过该喷射装置被喷到基片的上表面上。然后， 一般地，基片上表 面上的处理材料因离心力而均匀地铺展到基片的整个上表面上，因为基片 以高角速度快速旋转。也就是说，基片上的处理材料通常朝基片的周边部 向外流，且有一些处理材料从基片流走。因此， 一些处理材料沿基片的侧 表面流到基片的下表面上。基片下表面上的所述处理材料会产生各种颗粒 和缺陷。由于上述原因，将清洗装置和干燥气体设在基片的下表面下方，这样， 可通过清洗装置和干燥气体从基片的下表面除去残留的处理材料。例如， 去离子水和氮气(N2)分别广泛地用作清洗处理的清洗液和干燥处理的干燥气体。然而，该清洗装置和干燥气体只能对基片的下表面作清洗处理和干 燥处理，因此，在不改变基片的情况下，难以对基片的下表面实施如附加 蚀刻处理之类的其它处理。为了在基片的下表面上进行处理，将基片翻转并通过基片上方的喷射 装置将蚀刻液喷到下表面上。因此，为了处理基片，需要用于翻转基片的 附加部件，且该附加部件一定需要附加的空间，从而降低了基片处理装置的空间利用率。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供了一种同时处理基片的上表面和下表面的的方法。本专利技术另一实施例提供了一种将处理材料输送到基片的下表面上的旋 转单元。本专利技术的又一实施例提供了一种具有上述旋转单元的基片处理装置。 根据本专利技术的一些实施例，提供了一种基片处理方法。将该基片固定 在支承部上，并使其在支承部上旋转。有选择地将处理材料输送到该旋转 基片的下表面上；且有选择地将相同的处理材料输送到旋转基片的上表面 上。在实施例中，所述将处理材料输送到基片的下表面上的步骤包括，在 离开所述下表面一间距的位置将所述处理材料喷到所述下表面的中心部和 靠近该中心部的中心邻近部。在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 干燥气体在离所述下表面第一间距的第一位置喷射，而所述蚀刻液和清洗 液在离所述下表面第二间距的第二位置喷射，所述第二间距大于所述第一 间距。在实施例中，所述干燥气体喷到所述基片的下表面的中心部上，而所 述蚀刻液和清洗液喷到所述基片的下表面的中心邻近部上。在实施例中，所述蚀刻液和清洗液以第一方向喷到所述下表面上，而 所述干燥气体以不同于所述第一方向的第二方向喷到所述下表面上。在实施例中，所述将处理材料输送到下表面上的步骤以及所述将处理 材料输送到基片的上表面上的步骤，是同时进行的。根据本专利技术的一些实施例，提供了一种旋转单元，包括旋转部，基 片在其上旋转；位于所述旋转部的上表面的周边部上且支撑所述基片的支 承部；和位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的下表面分开的喷射器。 所述喷射器，在所述基片旋转时，有选择地将处理材料喷到所述基片的下 表面上。在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离所 述基片的下表面第一间距，所述干燥气体经该第一分喷射器喷到所述基片 的下表面上；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所述基片下表面第二间距，所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射器喷 到所述基片的下表面上。在实施例中，所述第二间距大于所述第一间距。例如，所述第一间距与第二间距之比为约1:2至约1:4。在实施例中，所述第一和第二间距分别被相互独立地控制。在实施例中，多个所述第二分喷射器围绕所述第一分喷射器，使得所 述第一分喷射器被所述第二分喷射器包围。在实施例中，所述第一分喷射器和第二分喷射器，以基本上与所述基 片垂直的方向，将所述处理材料喷到所述基片的下表面上。或者，所述第 一分喷射器和第二分喷射器将处理材料以不同的方向喷到所述基片的下表 面上，使得所述干燥气体经所述第一分喷射器以第一方向喷射，而所述蚀 刻液和清洗液经第二分喷射器以不同于所述第一方向的第二方向喷射。在实施例中，所述喷射器还包括封住所述喷射器的第一分喷射器和第 二分喷射器的下部的罩盖，从而防止经所述喷射器喷射的处理材料从所述 基片弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分喷射器的下部。所述罩盖的 周边部以倒置碟形方向向下倾斜，所述周边部相对所述罩盖的下表面倾斜 呈一角度。根据本专利技术的一些实施例，提供了一种基片处理装置，包括旋转单 元，具有基片在其上旋转的旋转部、位于所述旋转部的上表面的周边部上 且支撑所述基片的支承部、和位于所述旋转部的上表面上且与所述基片的 下表面分开的下喷射器；以及位于所述基片上方的上喷射器。所述下喷射 器在所述基片旋转时有选择地将处理材料输送到所述基片的下表面上，并 且在所述基片旋转时，所述处理材料通过所述上喷射器有选择地被输送到 所述基片的上表面上。在实施例中，所述处理材料包括干燥气体、蚀刻液和清洗液，且所述 下喷射器包括第一分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心部且离 所述基片的下表面第一间距；和第二分喷射器，其位于所述旋转部的上表面的中心邻近部且离所述基片下表面第二间距。所述干燥气体经该第一分 喷射器喷到所述基片的下表面上，而所述蚀刻液和清洗液经该第二分喷射 器喷到所述基片的下表面上。在实施例中，所述干燥气体经所述第一分喷射器以第一方向喷到所述 基片的下表面上，而所述蚀刻液和清洗液经第二分喷射器以不同于所述第 一方向的第二方向喷到所述基片的下表面上。在实施例中，所述下喷射器还包括封住所述喷射器的第一分喷射器和第二分喷射器的下部的罩盖，且所述罩盖的周边部以倒置碟形方向向下倾 斜，所述周边部相对罩盖的下表面倾斜呈一角度，从而防止所述经该喷射 器喷射的处理材料在从所述基片弹回后残留在所述第一分喷射器和第二分 喷射器的下部。在实施例中，所述下喷射器和上喷射器同时将所述处理材料分别喷到 所述基片的下表面和上表面上。根据本专利技术的一些实施例，处理材料输送到基片的下表面上。具体地， 在离开所述下表面的位置将处理材料有选择地喷到所述基片的下表面上， 从而所述处理材料可均匀地喷到所述基片的下表面上。还有，以一倾斜角 向所述基片的周边部喷射蚀刻液或清洗液，从而防止喷射器因弹回的蚀刻 液和清洗液而堵塞。而且，通过经下喷射器和上喷射器同时喷射，可充分 地防止处理材料从所述基片的上表面流下而导致的颗粒。附图说明通过下面结合附图的详细描述，将使实施例更加清楚。图1至图6表 示下面描述的非限制性的实施例。图1为流程图，示出了根据本专利技术实施例的基片处理方法；图2为剖视图，示出了本专利技术实施例的旋转单元的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片处理方法，包括：　使固定在支承部上的基片旋转；　有选择地将处理材料输送到该旋转基片的下表面上；且　有选择地将该处理材料输送到该旋转基片的上表面上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋吉勳，朴平宰，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]