保护带剥离方法及采用该保护带剥离方法的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供保护带剥离方法及使用该保护带剥离方法的装置。对粘贴在载置保持于剥离台的晶圆上的保护带的表面高度进行检测，基于该检测结果算出针的下降动作距离，并且，算出使粘贴构件接近保护带直到使缠挂于粘贴构件的剥离带与保护带接触为止的下降动作量。基于这些算出的下降动作量，一边控制各构件的高度，一边形成保护带的剥离部位并剥离保护带。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及这样的保护带剥离方法及采用该该保护带剥离 方法的装置，即，在利用粘贴构件将剥离带的非粘接面按压在 粘贴于半导体晶圆表面的保护带的表面上的同时，将剥离带粘 贴，通过剥离该剥离带，将保护带与剥离带一体地自半导体晶 圆的表面剥离。
技术介绍
作为将半导体晶圆(以下简称作"晶圆，，)加工成薄型的方 法，存在磨削或研磨等机械方法、或者利用蚀刻的化学方法等。 另外，在利用这些方法来加工晶圆时，为了保护形成有配线图 案的晶圆表面，在其表面粘贴有保护带。粘贴有保护带而被研 磨处理后的晶圆通过切割胶带从背面粘接保持于环形架。之后， 自保持于环形架的晶圆的表面剥离除去保护带。作为剥离除去该保护带的方法公知有如下方法通过辊状 的粘贴构件将剥离带粘贴于保护带的表面上，通过剥离该剥离 带，将剥离带与保护带一体地自晶圆表面剥离除去而巻成巻(例 如，参照日本特开平5 - 63077号公报)。但是，上述以往的保护带剥离方法存在如下问题。 在保护带相对于晶圆的粘着性较高的情况下，存在即使剥 离粘贴于保护带的剥离带，也处于难以在晶圆的周缘部分形成 作为保护带的剥离开端的折回部位的状况。因而，存在无法剥 离保护带这样的问题。保护带的表面到晶圆的粘着面而宽度变宽的、倾斜的面(台形状)。因此存在这样的问题，即，由于难以使剥离带紧贴于保护 带的周缘，因此，剥离时难以施加应力，无法高精度地将其剥离。可以通过辊状的粕贴构件有力地按压剥离带来实现剥离带 紧贴于保护带的周缘。但是，在提高按压力的情况下，产生损 伤被加工成薄型的晶圆这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种保护带剥离方法及釆用该保护 带剥离方法的装置，即，将剥离带粘贴在半导体晶圆表面上所 粘贴的保护带上，通过剥离该剥离带，可以不损伤半导体晶圆 且高精度地将保护带与剥离带一体剥离。为了形成作为保护带的剥离开端的折回部位(剥离部位)，专利技术人等进行了如下实验使顶端尖锐的剥离构件不与晶圆接 触地作用于保护带的周缘，预先剥离保护带的一部分而形成剥 离部位之后，将剥离带粘贴于保护带，以该剥离部位为起点来 剥离保护带。通过该实验，可以确认提高了保护带的剥离精度。但是，可知在使剥离构件作用于保护带端部时发生了如下 问题。作为剥离构件的作用，产生如下新问题将其顶端卡在 或刺入保护带时，受到该按压力等的影响而损坏晶圆。为了解决该问题，专利技术人等进行了深入研究，结果，着眼 于作用于保护带的剥离构件的高度、以及将剥离带粘贴于保护 带时粘贴构件的高度，根据保护带的表面高度反复进行保护带 的剥离实验。结果获得这样的见解，即，通过根据剥离保护带 时的条件分别控制这些构件的高度，不损伤半导体晶圆地、高 精度地将保护带与剥离带 一体剥离。本专利技术为了达到这样的目的，采用如下的构造。根据本专利技术的半导体晶圆的缺陷位置检测方法，有一种保 护带剥离方法，该保护带剥离方法在利用粘贴构件从剥离带的 非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表面的保护带上的同时、将剥离带粘贴于该保护带上，通过剥离该剥离带，将 保护带与剥离带一体地自半导体晶圆表面剥离，上述方法包括 以下过程高度检测过程，对粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离带 粘贴开始位置以及表面高度进行检测，该半导体晶圓载置保持于剥离台上；运算过程，算出第1动作量及第2动作量，该第l动作量是基于上述保护带表面高度的检测信息使剥离构件移动，直到将 顶端尖锐的剥离构件卡在剥离带粘贴位置的保护带周缘而形成作为剥离起点的剥离部位为止的动作量，该第2动作量是使粘 贴构件接近保护带，直到使缠挂于上述粘贴构件的剥离带接触 于保护带为止的动作量；第l剥离过程，基于上述第l动作量将剥离构件卡在保护带 周缘，剥离保护带周缘部分的至少一部分而形成剥离部位；粘贴过程，在使剥离了上述保护带的周缘部分的剥离构件 退避之后，基于第2动作量，在以粘贴构件将剥离带按压于保 护带的同时、使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向相 对移动，从而将剥离带粘贴于保护带；第2剥离过程，以上述剥离部位为起点，使半导体晶圆和 粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动，将剥离带与保护带一 体地自半导体晶圆表面剥离。根据本专利技术(第l专利技术)的保护带剥离方法，通过检测保 护带的表面高度，算出剥离构件及粘贴构件直到相对于保护带 的作用位置的各动作量。剥离构件的第l动作量可以算出为将自待机位置、即原点位置的高度获取的保护带的表面高度和剥 离构件顶端的卡住部分的长度相加而得到的值。另外，粘贴构件的第2动作量可以算出为自待机位置、即 原点位置的高度获取的保护带的表面高度减去缠挂于粘贴构件 的剥离带的厚度而获得的值。这样，可算出各动作量。接着，控制处于原点位置的剥离构件移动所算出的第l动 作量而使其停止。由此，粘贴于半导体晶圆(以下简称作"晶 圆，，)表面的保护带的周缘部分以向下方被施加规定的按压力的 状态卡着剥离构件的顶端。由此，可根据保护带的表面高度剥 离保护带周缘部分的 一 部分。在剥离构件退避之后，控制处于原点位置的粘贴构件向保 护带接近第2动作量而停止。由此，剥离带以规定的按压力接 触于保护带的表面。在剥离带接触于保护带的表面时，粘贴构 件和剥离台基于所算出的保护带的表面高度，沿着保护带表面 方向相对移动，剥离带粘贴于保护带的表面。另外，通过自在之前过程中剥离的保护带的剥离部位剥离 该粘贴的剥离带，将粘贴有剥离带的保护带与剥离带一体地自 半导体晶圆的表面剥离。其结果，在形成作为保护带剥离起点的剥离部位时，不会 对晶圆施加过度的负荷。另外，同样地不对晶圆施加过度的负 荷就可以将剥离带粘贴于保护带，并且，可以可靠且顺畅地将 保护带与剥离带一体地自半导体晶圆剥离。即，可以不由各构 件的按压力损伤晶圆，可靠地剥离保护带。另外，本专利技术为了达到这样的目的，采用如下的构成。一种保护带剥离方法，该保护带剥离方法在利用粘贴构件 从剥离带的非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表面 的保护带的同时、将剥离带粘贴于该保护带上，通过剥离该剥离带，将保护带与剥离带一体地自半导体晶圆表面剥离，上述 方法包括以下过程高度检测过程，对粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离带 粘贴开始位置以及表面高度进行检测，该半导体晶圆载置保持 于剥离台上；运算过程，算出第l动作量及第2动作量，该第l动作量是 基于上述保护带表面高度的检测信息使剥离构件移动，直到将 剥离构件刺入作为剥离带粘贴位置的保护带的周缘部分而形成作为剥离起点的剥离部位为止的动作量，该第2动作量是使粘贴构件接近保护带，直到使缠挂于上述粘贴构件的剥离带接触于保护带为止的动作量；第1剥离过程，基于上述第1动作量将剥离构件刺入保护带 的周缘部分，剥离保护带周缘部分的一部分而形成剥离部位；粘贴过程，在使剥离了上述保护带端部的剥离构件退避之 后，基于第2动作量，在以粘贴构件将剥离带按压于保护带的 同时，使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动， 从而将剥离带粘贴于保护带；第2剥离过程，以上述剥离部位为起点，使半导体晶圆和 粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动，将剥离带与保护带一 体地自半导体晶圆表面剥离。根据本专利技术的保护带剥离方法，通过检测保护带的表面高 度，算出剥离构件及粘贴构件直到向保护带的作用位置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护带剥离方法，该保护带剥离方法在利用粘贴构件从剥离带的非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表面的保护带上的同时、将剥离带粘贴于该保护带上，通过剥离该剥离带，将保护带与剥离带一体地自半导体晶圆表面剥离，其中，　上述方法包括以下 过程：　高度检测过程，对粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离带粘贴开始位置以及表面高度进行检测，该半导体晶圆载置保持于剥离台上；　运算过程，算出第１动作量及第２动作量，该第１动作量是基于上述保护带表面高度的检测信息使剥离构件移动，直 到将顶端尖锐的剥离构件卡在剥离带粘贴位置的保护带周缘而形成作为剥离起点的剥离部位为止的动作量，该第２动作量是使粘贴构件接近保护带，直到使缠挂于上述粘贴构件的剥离带与保护带接触为止的动作量；　第１剥离过程，基于上述第１动作量将剥离构件卡 在保护带周缘，剥离保护带周缘部分的至少一部分而形成剥离部位；　粘贴过程，在使剥离了上述保护带的周缘部分的剥离构件退避之后，基于第２动作量，在以粘贴构件将剥离带按压于保护带上的同时，使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动，从而 将剥离带粘贴于保护带上；　第２剥离过程，以上述剥离部位为起点，使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动，将剥离带与保护带一体地自半导体晶圆表面剥离。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本雅之，宫本三郎，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]