从检查系统向数据库自动传送缺陷图像的系统和方法技术方案

一种用于从检查系统向数据库传送缺陷图像的方法，包括：　　　　识别被载入到检查系统中的光刻部件上的缺陷；　　　　捕获被识别缺陷的图像；　　　　提示操作人员为被识别缺陷选择缺陷代码；以及　　　　响应于操作人员选择缺陷代码，向数据库自动传送捕获的图像。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及光刻，更为特别地涉及从检查系统向数据库传送缺陷图像的系统和方法。
技术介绍
随着半导体制造商不断地制作更小的器件，对制作这些器件时所使用的光掩模的要求不断变得苛刻。光掩模也称为光刻板或掩模，其通常包括衬底，在该衬底的一个表面上形成非透射或者部分透射的层。该非透射或部分透射的层通常包括代表在光刻系统中可被传递到半导体晶片上的图像的图形。随着半导体器件的特征尺寸的减小，光掩模上的相应图像也变得更小和更复杂。因此，光掩模的质量成为建立坚固和可靠的半导体制作工艺时最为关键的要素之一。在光掩模的制作过程中，光掩模通常被置于检查系统中以确定是否存在任何缺陷。如果在光掩模上识别出缺陷，该缺陷在集中式数据库中被分类，使得公司或生产厂中其他人员可获得和该缺陷相关的数据。捕获缺陷的图像并将其置于集中式数据库的过程通常需要操作人员相当大量的时间。操作人员必须手动地捕获图像，将其存储在检查系统上并赋予所存储文件独特的名称。操作人员对于在质量考查期间识别出的每个缺陷重复该捕获和存储的步骤。操作人员随后从检查系统中撤走光掩模并移动到另外的计算机以将捕获的图像信息传送到数据库。在该计算机上，操作人员手动键入光掩模的识别信息并必须记住每个被识别缺陷的独特文件名。如上所述的传统过程要求操作人员执行所有的步骤。每次新缺陷被捕获时，操作人员需要三到五分钟捕获、存储、转换并传送该图像。这种劳动量大的过程浪费时间和金钱并可能降低光掩模制造厂的生产力。
技术实现思路
根据本专利技术的示范，已经相当大程度上减少或消除与从检查系统向数据库传送缺陷图像相关的缺点和问题。在一个特别实施例中，从检查系统向数据库传送缺陷图像的方法包含选择缺陷代码以启动捕获的缺陷图像和相关描述信息的自动传送。根据本专利技术的一个实施例，从检查系统向数据库传送缺陷图像的方法包括识别被载入到检查系统中的光刻部件上的缺陷并捕获该被识别缺陷的图像。检查系统的操作人员被提示为识别出的缺陷选择缺陷代码，响应于操作人员选择缺陷代码，该捕获的图像被自动传送到数据库。根据本专利技术的另一个实施例，从检查系统向数据库传送缺陷图像的方法包括将光掩模载入到检查系统中并提取和光掩模相关的描述信息。光掩模上的缺陷被识别，从显示装置捕获被识别缺陷的图像。该描述信息和捕获的图像相关联，检查系统的操作人员被提示为被识别缺陷选择缺陷代码。响应于操作人员选择缺陷代码，该方法继续自动地将捕获的图像和描述信息传送到数据库。根据本专利技术的又一个实施例，用于将缺陷图像传送到数据库的系统包含被耦合到计算机可读存储器的处理器。处理指令被编码到该计算机可读存储器内。由处理器执行这些指令以识别被载入到检查系统中的光刻部件上的缺陷并捕获被识别缺陷的图像。这些指令提示操作人员为被识别缺陷选择缺陷代码，并响应于操作人员选择缺陷代码而自动将捕获的图像传送到数据库。本专利技术的特定实施例的重要技术优点包括从检查系统中自动提取关于光掩模的信息的捕获模块。在检查过程期间，光掩模可被载入到检查系统中且和光掩模相关的描述信息可被存储到存储器内。当识别到缺陷时，捕获模块从存储器收集各个光掩模的描述信息，并将该描述信息和捕获的缺陷图像相关联。描述信息的自动提取减少了收集和缺陷图像相关信息所需的时间，也降低了潜在的操作人员过失。本专利技术的特定实施例的另一个重要的技术优点包括捕获模块，该模块允许操作人员将缺陷代码和被识别缺陷相关联。在捕获的图像被传送到数据库之前，该捕获模块提示检查系统的操作人员为被识别缺陷选择缺陷代码。该捕获模块自动地将缺陷代码和光掩模的描述信息相关联，并把描述信息、缺陷代码、和捕获的图像传送到数据库。该缺陷代码提供了在将图像发送到数据库之前对被识别缺陷进行分类的技术。本专利技术的各种实施例中可能出现这些技术优点的全部或部分、或者不出现这些优点。结合下述附图、描述及权利要求，本领域技术人员将容易地透彻了解其它技术优点。附图说明参照结合附图进行的如下描述，可获得对实施例及其优点的更为完整和彻底的了解，其中相同的参考数字表示相同的特征。其中图1描述了根据本专利技术的示范被检查的光掩模的截面视图；图2描述了根据本专利技术的示范用于将缺陷图像从检查系统传送到数据库的计算机系统的方框图；图3描述了根据本专利技术的示范用于选择缺陷代码的检查系统上的用户界面的示例实施例；以及图4描述了根据本专利技术的示范将光掩模上缺陷的图像从检查系统传送到数据库的方法的流程图。具体实施例方式通过参考图1至图4，可以最大限度地了解本专利技术的优选实施例及其优点，图中的相同数字用于表示相同或者相应的部分。图1示出了可通过将缺陷图像从检查系统自动传送到数据库而被检查的光掩模组件10的截面视图。光掩模组件10包括被耦合到薄膜组件14的光掩模12。衬底16和图形化层18相互合作形成光掩模12的部分。光掩模12也可以被描述为掩模或者光刻板，其可具有各种尺寸和形状，包括但不限于大致圆形、圆形、矩形、或方形。光掩模12也可以为任何种类的光掩模类型，包括但不限于一次性底版、5英寸光刻板、6英寸光刻板、9英寸光刻板、或者可用于将电路图形的图像投影到半导体晶片上的任何其它尺寸适当的光刻板。光掩模12可进一步为二进制掩模、相移掩模(PSM)、光学邻近校正(OPC)掩模、或者适用于光刻系统的任何其它类型的掩模。光掩模12包含形成在衬底16上的图形化层18，当在光刻系统中暴露于电磁能量时，该图形化层将图形投影到半导体晶片的表面上(未明显示出)。衬底16可以为透明材料，例如石英、人造石英、熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、或者对波长为约10纳米(nm)到约450nm之间的入射光能透射至少百分之七十五(75％)的任何其它适合的材料。在可供选择的实施例中，衬底16为反射材料，例如硅或者对波长为约10nm到约450nm之间的入射光能反射大于约百分五十(50％)的任何其它适合的材料。图形化层18可以为金属材料，例如铬、氮化铬、金属的氧化-碳化-氮化物(M-O-C-N)(其中金属可以从包含铬、钴、铁、锌、钼、铌、钽、钛、钨、铝、镁、和硅的组中选择)、或者吸收波长位于紫外(UV)范围、深紫外(DUV)范围、真空紫外(VUV)范围和极紫外范围(EUV)的电磁能量的任何其它适合的材料。在一个可供选择的实施例中，图形化层18可以是部分透射的材料，例如硅化钼(MoSi)，该材料在UV、DUV、VUV和EUV范围内的透射率为约百分之一(1％)到约百分之三十(30％)。框架20和薄膜22可形成薄膜组件14。框架20通常由阳极氧化铝制成，尽管其可以选择由不锈钢、塑料、或者在光刻系统中暴露于电磁能量后不退化或排气的其它适合的材料。薄膜22可以是由例如如下材料形成的薄膜隔膜(membrabe)硝化纤维、乙酸纤维素、非晶形含氟聚合物(例如由E.I.du Pont de Nemours and Company生产的TEFLONAF或者是由Asahi Glass生产的CYTOP)、或者对于UV、DUV、EUV、与/或VUV范围内的波长为透明的其它适合的薄膜。可以通过诸如旋转浇铸的传统技术制备薄膜22。通过确保污染物与光掩模12保持规定的距离，薄膜22保护光掩模12免受诸如灰尘颗粒的污染物的污染。这在光刻系统中是特别重要的。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：R·E·斯塔夫利，
申请(专利权)人：凸版光掩膜公司，
类型：发明
国别省市：