【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术为涉及陶瓷多层基板的专利技术。
技术介绍
近年来,试图通过在陶瓷多层基板中内藏原本安装在陶瓷基板表面的电容器或感 应器等被动元件,使电子器械小型化和高密度化。为了制作这样的陶瓷多层基板,通过刮板 法将电介质瓷组合物和有机溶剂的混合浆料来制作生片,使其干燥后,在该生片上面印刷 布线导体。然后,层叠与上述同样的电介质瓷组合物的生片来作为层叠物,同时进行烧成。像这样的陶瓷多层基板由于要在高速下进行高效能的信号处理,因此,使用比电 阻小的Ag或Cu作为布线导体。由此,正在开发在比Ag的熔点962°C和Cu的溶点1084°C 低的温度下,与这些能够同时烧成的各种陶瓷材料。可是,上述陶瓷多层基板为了抑制杂散电容或布线间的耦合电容等,一般适宜地 使用介电常数为10以下的基板,而另一方面,在陶瓷多层基板内部形成电容器时,优选构 成电容器的陶瓷的介电常数高。钛酸钡系电介质瓷组合物一般介电常数高,在陶瓷多层基板内部可以形成高容量 的电容器。但是,烧结温度高,需要为1150 1200°C以上,因此,不能使用Ag或Cu作为同 时被烧成的布线导体。因此,需要在1000°C以下 ...
【技术保护点】
一种陶瓷多层基板,其为通过低介电常数层和高介电常数层的共烧结而得到的陶瓷多层基板,其特征在于,所述低介电常数层包括具有xBaO-yTiO↓[2]-zZnO(x,y,z分别表示摩尔比,x+y+z=1,0.09≤x≤0.20,0.49≤y≤0.61,0.19≤z≤0.42)组成的陶瓷成分,和相对于100重量份的该陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分,所述高介电常数层是添加有CuO和Bi↓[2]O↓[3]的钛酸钡系电介质。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川朋之,长友贵志,井出良律,小田切正,
申请(专利权)人:双信电机株式会社,日本碍子株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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