【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤波器
[0001]本专利技术涉及滤波器
。
技术介绍
[0002]在日本特表
2011
‑
507312
号公报中,公开了在2个谐振器之间设有耦合调整用过孔的谐振器设备
。
依据日本特表
2011
‑
507312
号公报,2个谐振器之间的电感耦合
(
耦合度
)
能够通过耦合调整用过孔来调整
。
[0003]在日本特开
2020
‑
198482
号公报中,提出了能够解决日本特表
2011
‑
507312
号公报所记载的谐振器设备的课题的特性良好的小型的滤波器
。
即,在日本特开
2020
‑
198482
号公报中,提出了能够解决在增大了谐振器之间的距离的情况下滤波器的大小变大这一课题的滤波器
。
[0004]另外,在日本特开
2020
‑
198482
号公报中,提出了如下的构造:通过适合地确保谐振器之间的距离和与屏蔽导体的距离,与以往相比,能够使
Q
值提高
。
通过适用该构造,能够研究出与以往相比而插入损失更小的滤波器或衰减量更大的滤波器
。
技术实现思路
[0005]在日本特开
2020
‑
198482
号公报中,通过适用
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种滤波器
(10)
,其具有:电介质基板
(14)
;多个谐振器
(11A
至
11E)
,其形成于所述电介质基板内且周围被屏蔽导体
(12A、12B、12Ca、12Cb)
包围;以及第一输入输出端子
(22A)
和第二输入输出端子
(22B)
,其形成于未形成所述屏蔽导体的部分,多个所述谐振器中的最接近所述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器
(11A)
和多个所述谐振器中的最接近所述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器
(11E)
,以俯视下的所述电介质基板的中心
(C)
为对称中心而处于点对称的位置关系,多个所述谐振器中的第三谐振器
(11B)
和多个所述谐振器中的第四谐振器
(11D)
,以俯视下的所述电介质基板的所述中心为对称中心而处于点对称的位置关系,所述第三谐振器在所述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置,是所述第一谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间,所述第四谐振器在所述第一方向上的位置,是所述第二谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间
。2.
根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器还具有在所述谐振器之间所具备的电容耦合构造
(54)
,所述电容耦合构造具有:第一电极
(50A)
,其从一个所述谐振器延伸;第二电极
(50B)
,其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸,且前端部在侧视下从所述第一电极远离;以及第三电极
(50C)
,其一端在俯视下与所述第一电极重合,并且另一端在俯视下与所述第二电极重合
。3.
根据权利要求2所述的滤波器,其中,所述电容耦合构造还具有:第四电极
(50Ab)
,其从所述一个谐振器延伸,并且与所述第一电极
(50Aa)
在俯视下重合;以及第五电极
(50Bb)
,其从所述另一个谐振器朝向所述第四电极延伸,并且与所述第二电极
(50Ba)
在俯视下重合,且前端部从所述第四电极远离,所述第三电极的所述一端
(50Ca)
在侧视下位于所述第一电极与所述第四电极之间,所述第三电极的所述另一端
(50Cb)
在侧视下位于所述第二电极与所述第五电极之间
。4.
根据权利要求3所述的滤波器,其中,所述第三电极的所述一端与所述第一电极的至少1个角部在俯视下重合,所述第三电极的所述另一端与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合
。5.
根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器具有:第一电极
(50A)
,其从一个所述谐振器延伸;第二电极
(50B)
,其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸,且前端部在俯视下与所述第一电极重合;第三电极
(50C)
,其从所述一个谐振器延伸;以及
第四电极
(50D)
,其从所述另一个谐振器朝向所述第三电极延伸,且前端部在俯视下与所述第三电极重合
。6.
根据权利要求5所述的滤波器,其中,所述第一电极,与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合,所述第四电极,与所述第三电极的至少1个角部在俯视下重合
。7.
根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器具有在多个所述谐振器之间分别具备的电容耦合构造
(61A
至
61F)
,所述电容耦合构造具有从一个所述谐振器延伸的电容电极
(60ac、60ab)
和从另一个所述谐振器延伸的电容电极
(60ca、60ba)
,从所述一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分和从所述另一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分彼此接近
。8.
根据权利要求7所述的滤波器,其中,多个所述电容耦合构造中的第一电容耦合构造
(61A)
中的所述电容电极
(60ac、60ca)
之间的距离
(g2)
,比多个所述电容耦合构造中的第二电容耦合构造
(61C)
中的所述电容电极
(60ab、60ba)
之间的距离
(g1)
更大
。...
【专利技术属性】
技术研发人员:今井嘉治,宫田祐一,西尾元太,铃木瞬,足立和哉,矶野浩之,小坂一马,
申请(专利权)人:双信电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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