谐振器及滤波器制造技术

提供Q值良好的谐振器及使用该谐振器的滤波器。谐振器（10）具有：通路电极部（20），形成在电介质基板（14）内；多个屏蔽导体，以将通路电极部包围的方式形成于电介质基板；第1条带线路（18A），在电介质基板内与通路电极部的一端连接，并且与多个屏蔽导体中的第1屏蔽导体（12A）对置；以及第2条带线路（18B），在电介质基板内与通路电极部的另一端连接，并且与多个屏蔽导体中的第2屏蔽导体（12B）对置。蔽导体中的第2屏蔽导体（12B）对置。蔽导体中的第2屏蔽导体（12B）对置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振器及滤波器


[0001]本专利技术涉及谐振器及滤波器。

技术介绍

[0002]提出了一种谐振器，具有：条带（strip）线路，与形成在电介质基板的一方的主面侧的屏蔽导体对置；以及通路（via）电极，一端与形成在电介质基板的另一方的主面侧的屏蔽导体连接，另一端与条带线路连接（日本特开2017-195565号公报、日本特许第3501327号公报、及日本特表2011-507312号公报）。通路电极的一端与屏蔽导体连接的这样的谐振器能够作为λ/4谐振器动作。

技术实现思路

[0003]但是，上述那样的λ/4谐振器虽然对于小型化是有效的，但在谐振时，电流集中于通路电极与屏蔽导体接触的部分即短路部。对此，可以考虑增大电流路径的截面积，以通过消除电流向短路部的集中来提高Q值。例如，可以考虑增大通路直径、增加通路的条数。但是，在这样做的情况下，谐振器的大小变大，不能满足谐振器的小型化的要求。
[0004]本专利技术的目的在于提供Q值良好的谐振器及使用该谐振器的滤波器。
[0005]基于本专利技术的一技术方案的谐振器具有：通路电极部，形成在电介质基板内；多个屏蔽导体，以将前述通路电极部包围的方式形成于前述电介质基板；第1条带线路，在前述电介质基板内与前述通路电极部的一端连接，并且与前述多个屏蔽导体中的第1屏蔽导体对置；以及第2条带线路，在前述电介质基板内与前述通路电极部的另一端连接，并且与前述多个屏蔽导体中的第2屏蔽导体对置。
[0006]基于本专利技术的另一技术方案的滤波器具备上述那样的谐振器。
[0007]根据本专利技术，能够提供Q值良好的谐振器及使用该谐振器的滤波器。
附图说明
[0008]图1是表示基于第1实施方式的谐振器的立体图。
[0009]图2是表示基于第1实施方式的谐振器的剖视图。
[0010]图3是表示基于第1实施方式的谐振器的俯视图。
[0011]图4是表示基于第1实施方式的变形例1的谐振器的立体图。
[0012]图5是表示基于第1实施方式的变形例1的谐振器的剖视图。
[0013]图6是表示基于第1实施方式的变形例1的谐振器的俯视图。
[0014]图7A及图7B是表示基于第1实施方式的变形例2的谐振器的俯视图。
[0015]图8是表示基于第1实施方式的变形例3的谐振器的俯视图。
[0016]图9A～图9C是表示基于第1实施方式的变形例4的谐振器的俯视图。
[0017]图10是表示基于第1实施方式的变形例5的谐振器的俯视图。
[0018]图11A及图11B是表示基于第1实施方式的变形例6的谐振器的俯视图。
[0019]图12是表示基于第1实施方式的变形例6的谐振器的等效电路的图。
[0020]图13是表示基于第1实施方式的变形例7的谐振器的俯视图。
[0021]图14是表示基于第1实施方式的变形例8的谐振器的立体图。
[0022]图15是表示基于第1实施方式的变形例9的谐振器的立体图。
[0023]图16是表示基于第1实施方式的变形例9的谐振器的剖视图。
[0024]图17是表示基于第1实施方式的变形例9的谐振器的俯视图。
[0025]图18是表示基于第1实施方式的变形例10的谐振器的立体图。
[0026]图19是表示基于第1实施方式的变形例10的谐振器的剖视图。
[0027]图20是表示基于第1实施方式的变形例10的谐振器的俯视图。
[0028]图21是表示基于第1实施方式的变形例11的谐振器的立体图。
[0029]图22是表示基于第1实施方式的变形例11的谐振器的剖视图。
[0030]图23是表示基于第1实施方式的变形例11的谐振器的俯视图。
[0031]图24是表示基于第1实施方式的变形例12的谐振器的立体图。
[0032]图25是表示基于第1实施方式的变形例12的谐振器的剖视图。
[0033]图26是表示基于第1实施方式的变形例12的谐振器的俯视图。
[0034]图27是表示基于第1实施方式的变形例13的谐振器的立体图。
[0035]图28是表示基于第1实施方式的变形例13的谐振器的剖视图。
[0036]图29是表示基于第1实施方式的变形例13的谐振器的俯视图。
[0037]图30是表示基于第2实施方式的滤波器的立体图。
[0038]图31是表示基于第2实施方式的滤波器的剖视图。
[0039]图32是表示基于第2实施方式的滤波器的俯视图。
具体实施方式
[0040]对于有关本专利技术的谐振器及滤波器，以下举优选的实施方式并参照附图详细地进行说明。
[0041]［第1实施方式］使用图1～图3对基于第1实施方式的谐振器进行说明。图1是表示基于本实施方式的谐振器的立体图。图2是表示基于本实施方式的谐振器的剖视图。图2对应于图1的II－II线。图3是表示基于本实施方式的谐振器的俯视图。
[0042]如图1所示，基于本实施方式的谐振器10至少具有在上部及下部分别形成有上部屏蔽导体12A及下部屏蔽导体12B的电介质基板14、以及形成在电介质基板14内的1个构造体16。上部屏蔽导体12A被形成在电介质基板14的一方的主面侧。下部屏蔽导体12B被形成在电介质基板14的另一方的主面侧。构造体16具有与上部屏蔽导体12A对置的上部条带线路18A、以及与下部屏蔽导体12B对置的下部条带线路18B。构造体16还具有形成在电介质基板14内并且从上部条带线路18A到下部条带线路18B形成的通路电极部20。上部条带线路18A及下部条带线路18B的俯视形状例如是长方形。
[0043]电介质基板14通过层叠多个电介质层而构成。电介质基板14例如被形成为长方体状。在电介质基板14的4个侧面中的第1侧面14a，形成有第1输入输出端子22A。在与第1侧面14a对置的第2侧面14b，形成有第2输入输出端子22B。在电介质基板14的4个侧面中的第3侧
面14c，形成有第1侧面屏蔽导体12Ca。在与第3侧面14c对置的第4侧面14d，形成有第2侧面屏蔽导体12Cb。
[0044]在本实施方式中，通路电极部20由单一的通路电极24构成。通路电极24被埋入到形成于电介质基板14的通路孔中。
[0045]上部屏蔽导体12A经由第1连接线路32a而与第1输入输出端子22A耦合。更具体地讲，上部屏蔽导体12A经由第1连接线路32a而与第1输入输出端子22A导通。此外，上部屏蔽导体12A经由第2连接线路32b而与第2输入输出端子22B耦合。更具体地讲，上部屏蔽导体12A经由第2连接线路32b而与第2输入输出端子22B导通。
[0046]通路电极部20和第1侧面屏蔽导体12Ca及第2侧面屏蔽导体12Cb如半同轴谐振器那样动作。流到通路电极部20的电流的朝向与流到第1侧面屏蔽导体12Ca的电流的朝向相反，此外，流到通路电极部20的电流的朝向与流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振器，其特征在于，具有：通路电极部，形成在电介质基板内；多个屏蔽导体，以将前述通路电极部包围的方式形成于前述电介质基板；第1条带线路，在前述电介质基板内与前述通路电极部的一端连接，并且与前述多个屏蔽导体中的第1屏蔽导体对置；以及第2条带线路，在前述电介质基板内与前述通路电极部的另一端连接，并且与前述多个屏蔽导体中的第2屏蔽导体对置。2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，前述通路电极部与前述第1条带线路及前述第2条带线路一起构成λ/2谐振器。3.如权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，第1输入输出端子及第2输入输出端子与前述第1屏蔽导体耦合。4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，第1输入输出端子及第2输入输出端子与前述第1屏蔽导体导通。5.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，第1输入输出端子及第2输入输出端子不与前述第1屏蔽导体导通；前述第1屏蔽导体和前述第1输入输出端子经由第1间隙被电容耦合；前述第1屏蔽导体和前述第2输入输出端子经由第2间隙被电容耦合。6.如权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，第1输入输出端子及第2输入输出端子与前述第1条带线路耦合。7.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，前述第1输入输出端子及前述第2输入输出端子与前述第1条带线路导通。8.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，前述第1输入输出端子及前述第2输入输出端子不与前述第1条带线路导通；前述第1条带线路与前述第1输入输出端子经由第1间隙被电容耦合；前述第1条带线路与前述第2输入输出端子经由第2间隙被电容耦合。9.如权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，第1输...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川圭介，
申请(专利权)人：双信电机株式会社，
类型：发明
国别省市：