谐振器制造技术

谐振器具有：在电介质基板（14）内形成的通路电极部（20）；以包围通路电极部（20）的方式形成于电介质基板（14）的多个屏蔽导体；以及在电介质基板（14）内连接于通路电极部（20）并且至少与屏蔽导体相向的条带线路（18），第1输入输出端子（22A）和第2输入输出端子（22B）连接于多个屏蔽导体之中的、连接了通路电极部（20）的短路端后的屏蔽导体。

resonator

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振器
本专利技术涉及例如在电介质形成的利用通路孔的谐振器。
技术介绍
以往，为了抑制Q值的降低，在周围形成了屏蔽导体的电介质基板形成横截面形状为圆形状的利用通路孔的电极（以下，称为通路电极）（参照日本特开2002-009513号公报）。此外，在以往，在电介质基板的下表面形成2个接地电极和输入输出电极，在电介质内形成板状的内部电极，进而，在电介质内在2个接地电极与内部电极间分别形成通路电极，在输入输出电极与内部电极间形成通路电极（参照日本特许第4506903号公报）。进而，在以往，仅在电介质基板的下表面形成接地用导体层，在该接地用导体层上经由通路电极（接地连接路径）形成条带线路（电感器结构部）（例如参照日本特许第4985999号公报）。
技术实现思路
然而，关于日本特开2002-009513号公报和日本特许第4506903号公报所记载的通路电极，通过使直径变大，从而能够使电流密度降低，能够期待Q值的提高。可是，当使通路电极的直径变大时，存在通路电极与屏蔽导体的距离变小而Q值降低这样的问题。即，由于通路电极与屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振器，其特征在于，具有：/n在电介质基板（14）内形成的通路电极部（20）；/n以包围所述通路电极部（20）的方式形成于所述电介质基板（14）的多个屏蔽导体；以及/n在所述电介质基板（14）内连接于所述通路电极部（20）并且至少与所述屏蔽导体（12B）相向的条带线路（18），/n第1输入输出端子（22A）和第2输入输出端子（22B）连接于所述多个屏蔽导体之中的、连接了所述通路电极部（20）的短路端后的屏蔽导体（12A）。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170522 JP 2017-1008151.一种谐振器，其特征在于，具有：
在电介质基板（14）内形成的通路电极部（20）；
以包围所述通路电极部（20）的方式形成于所述电介质基板（14）的多个屏蔽导体；以及
在所述电介质基板（14）内连接于所述通路电极部（20）并且至少与所述屏蔽导体（12B）相向的条带线路（18），
第1输入输出端子（22A）和第2输入输出端子（22B）连接于所述多个屏蔽导体之中的、连接了所述通路电极部（20）的短路端后的屏蔽导体（12A）。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
所述多个屏蔽导体具有：
第1屏蔽导体（12A），被形成在所述电介质基板（14）的第1主面侧；
第2屏蔽导体（12B），被形成在所述电介质基板（14）的第2主面侧；
第3屏蔽导体（12Ca），被形成在所述电介质基板（14）的第1侧面侧；以及
第4屏蔽导体（12Cb），被形成在所述电介质基板（14）的第2侧面侧，
所述通路电极部（20）的短路端及所述第1输入输出端子（22A）和所述第2输入输出端子（22B）连接于所述第1屏蔽导体（12A）。


3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
所述通路电极部（20）具有以相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：元山洋人，
申请(专利权)人：双信电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP