谐振器以及谐振器的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种谐振器以及一种谐振器的加工方法，该谐振器的加工方法包括：提供一谐振器，其中，谐振器包括压电层和多个电极层；根据谐振器的预期疏水性要求，通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜。本发明专利技术通过对谐振器进行化学修饰的方式，能够以简单又省时省力的方式在谐振器表面形成疏水性有机薄膜，并通过形成的疏水性有机薄膜来提高谐振器在高温高湿环境中的可靠性，由此避免了常规操作工艺中所存在的操作难度大、复杂度高的问题，并能够使非专业人员轻松的完成对谐振器的加工；此外，本发明专利技术通过对谐振器表面进行等离子处理，使疏水性有机薄膜在谐振器表面得到了选择性的沉积，避免了加工后的谐振器对键合线连接的影响。

【技术实现步骤摘要】
谐振器以及谐振器的加工方法
本专利技术涉及半导体领域，具体来说，涉及一种谐振器，以及一种谐振器的加工方法。
技术介绍
随着半导体产业的快速发展，人们对集成电路芯片的要求也越来越高，例如器件在高温、高湿环境下的可靠性，以谐振器为例，在传统的器件生产过程中，通常会在加工完的器件表面再形成一层氮化铝钝化层，但是，该氮化铝钝化层仅仅可以实现器件的电学绝缘，也就是说，当器件处于高温、高湿的环境中时，包含氮化铝钝化层的谐振器仍然很容易失效。因此，为了避免谐振器在高温、高湿环境下发生失效的情况，在现有技术中，通常会采用常规的半导体工艺方法，即物理气相沉积、光刻、刻蚀以及剥离等方法，将特氟伦等疏水性材料物理性的沉积在器件表面，以此来避免谐振器在高温、高湿的环境下的失效。但是，现有技术中采用的上述方法是一种物理性的方法，即采用物理方式将疏水性材料直接沉积在器件表面，因此，其是存在着疏水层在器件表面沉积的可靠性差的问题，而且，由于在现有技术中，其是通过物理气相沉积、光刻、刻蚀以及剥离等方法来实现疏水材料在器件上的沉积，因此，上述传统的半导体工艺方法是存在着操作复杂度高、难度大，而且操作过程耗时费力的问题。针对相关技术中的谐振器加工方法，所存在的操作复杂度高、难度大，以及操作过程耗时费力的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的谐振器加工方法，所存在的操作复杂度高、难度大，以及操作过程耗时费力的问题，本专利技术提出一种谐振器以及一种谐振器的加工方法，能够以简单又省时省力的方式在谐振器表面形成疏水性有机薄膜，并通过形成的疏水性有机薄膜来提高谐振器在高温高湿环境中的可靠性，由此避免了常规操作工艺中所存在的操作难度大、复杂度高的问题，并能够使非专业人员轻松的完成对谐振器的加工。本专利技术的技术方案是这样实现的：根据本专利技术的一个方面，提供了一种谐振器的加工方法。该加工方法包括：提供一谐振器，其中，谐振器包括压电层和多个电极层；根据谐振器的预期疏水性要求，通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜。其中，在通过有机化合物对谐振器进行化学修饰时，可通过有机化合物与谐振器的表面发生反应，实现对谐振器的化学修饰。其中，有机化合物与谐振器的表面发生的反应可以是十八烷基硫醇与薄膜体声波谐振表面的金发生化学反应，也可以是十八烷基三氯硅烷与谐振器表面的化学官能团发生化学反应，还可以是1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷与谐振器表面的化学官能团发生化学反应。此外，化学修饰的方式可包括以下至少之一：化学气相沉积；湿法化学的方式。另外，通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜时，可在真空的环境下，通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜。此外，在通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜时，可通过有机氟化物对谐振器进行化学氟化修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜。其中，在通过有机氟化物对谐振器进行化学氟化修饰时，可通过有机氟化物与谐振器的表面发生反应，实现对谐振器的化学氟化修饰。其中，化学氟化修饰的方式可包括以下至少之一：化学气相沉积；湿法化学的方式。另外，在谐振器表面形成疏水性有机薄膜之前，该加工方法进一步包括：对谐振器进行处理，使谐振器的表面形成化学官能团；并且，与之相应的，在谐振器表面形成疏水性有机薄膜时，则是在已形成化学官能团的谐振器的表面形成疏水性有机薄膜，其中，化学官能团用于形成疏水性有机薄膜。其中，在对谐振器进行处理时，其处理方式包括以下至少之一：等离子处理；官能团修饰。其中，官能团修饰的方式包括以下至少之一：化学气相沉积；湿法化学的方式。此外，在谐振器表面形成疏水性有机薄膜后，该加工方法进一步包括：通过测量谐振器的表面与纯水的接触角，可判断在表面已形成疏水性有机薄膜的谐振器的疏水性。根据本专利技术的另一方面，提供了一种谐振器。该谐振器包括：压电层；多个电极层；一表面，压电层和多个电极层均位于表面的下方；疏水性有机薄膜，位于表面的上方，其中，疏水性有机薄膜用于对谐振器进行疏水钝化。其中，谐振器的类型包括：薄膜体声波谐振器、声表面波谐振器、轮廓模式谐振器。此外，压电层的组成材料可选自包括以下材料的组：氧化锌、氮化铝。并且，该谐振器进一步包括：界定空腔的衬底；种子层，安置在衬底上方，并且种子层的至少一部分安置在衬底中的空腔上方；并且，第一电极安置在种子层上方。其中，衬底为硅衬底。并且，种子层的组成材料选自包括以下材料的组：氮化铝材料。此外，该谐振器进一步包括：钝化层，用于实现谐振器的电学绝缘，并防止谐振器被氧化；金薄膜，用于实现谐振器与外围印制电路板(PCB)金线的键合；其中，钝化层和金薄膜均位于第一电极、压电层和第二电极以外，并且，疏水性有机薄膜形成于钝化层的外表面。其中，钝化层的组成材料选自包括以下材料的组：氮化铝材料、硅材料、二氧化硅材料、石英材料。本专利技术通过对谐振器进行化学修饰的方式，能够以简单又省时省力的方式在谐振器表面形成疏水性有机薄膜，并通过形成的疏水性有机薄膜来提高谐振器在高温高湿环境中的可靠性，由此避免了常规操作工艺中所存在的操作难度大、复杂度高的问题，并能够使非专业人员轻松的完成对谐振器的加工。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本专利技术实施例的谐振器的加工方法的流程图；图2根据本专利技术一具体实施例的一种薄膜体声波谐振器的剖视图；图3根据本专利技术一具体实施例的谐振器的氟化流程图；图4根据本专利技术一具体实施例的谐振器在真空干燥器中进行氟化的状态剖视图；图5根据本专利技术一具体实施例的在薄膜体声波谐振器表面进行选择性氟化修饰后的剖视图，也是根据本专利技术实施例的谐振器剖视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。根据本专利技术的实施例，提供了一种谐振器的加工方法。如图1所示，根据本专利技术实施例的加工方法包括：步骤S101，提供一谐振器，其中，谐振器包括压电层和多个电极层；步骤S103，根据谐振器的预期疏水性要求，通过有机化合物对谐振器进行化学修饰，使谐振器表面形成疏水性有机薄膜。通过本专利技术的上述方案，能够以简单又省时省力的方式在谐振器表面形成疏水性有机薄膜，并通过形成的疏水性有机薄膜来提高谐振器在高温高湿环境中的可靠性，由此避免了常规操作工艺中所存在的操作难度大、复杂度高的问题，并能够使非专业人员轻松的完成对谐振器的加工。在一个实施例中，在通过有机化合物对谐振器进行化学修饰时，可通过有机化合物与谐振器的表面发生反应，实现对谐振器的化学修饰。其中，在一个实施例中，有机化合物与谐振器的表面发生的反应可以是十八烷基硫醇与谐振器表面的金发生化学反应，也可以是十八烷基三氯硅烷与谐振器表面的化学官能团发生化学反应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振器的加工方法，其特征在于，包括：提供一谐振器，其中，所述谐振器包括压电层和多个电极层；根据所述谐振器的预期疏水性要求，通过有机化合物对所述谐振器进行化学修饰，使所述谐振器表面形成疏水性有机薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种谐振器的加工方法，其特征在于，包括：提供一谐振器，其中，所述谐振器包括压电层、多个电极层和实现所述谐振器与外围PCB金线键合的金薄膜；根据所述谐振器的预期疏水性要求，通过有机化合物对所述谐振器进行化学修饰，使所述谐振器的表面形成疏水性有机薄膜；在所述谐振器的表面形成疏水性有机薄膜之前，所述加工方法进一步包括：对所述谐振器进行处理，使所述谐振器的表面形成化学官能团，所述处理为等离子处理，使疏水性有机薄膜在所述谐振器的表面得到选择性的沉积；并且，在所述谐振器表面形成疏水性有机薄膜包括：在已形成化学官能团的所述谐振器的表面形成所述疏水性有机薄膜，其中，所述化学官能团用于形成所述疏水性有机薄膜。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，通过有机化合物对所述谐振器进行化学修饰包括：通过所述有机化合物与所述谐振器的表面发生反应，实现对所述谐振器的化学修饰。3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，所述有机化合物与所述谐振器的表面发生的反应包括：十八烷基硫醇与所述谐振器表面的金发生化学反应；十八烷基三氯硅烷与所述谐振器表面的化学官能团发生化学反应；1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷与所述谐振器表面的化学官能团发生化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：段学欣，刘文朋，王经纬，张代化，庞慰，张浩，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12