【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于将数据写入非易失性存储器中的高压数据锁存器，且更特定'来说， 涉及用于限制从例如芯片上电荷泵电路的高压源或产生器汲取的泄漏电流的设备和方 法。
技术介绍
锁存器ffl于存储将要写入到非易失性存储器的预选定存储器单元屮的数据位。除了 当正将数据位写入存储器单元中时，锁存器通常被供应有低压电源，例如3伏或3伏以 下。在写入操作模式期问，锁存器被供应有7—15伏的高压，这是将数据写入非易失性 存储器单元中所需的。单一非易失性存储器芯片可含有大量的(例如，512个或512个 以上)高压锁存器电路。这些锁存器电路通常被称为高压锁存器电路，但仅需要高压电 源用于写入操作。例如电荷泵电路的芯片上高压源或产生器提供用于将数据位写入存储 器单元中的高压。高压产生器通常具有有限的电流能力，且某些高压锁存器中的过量泄 漏电流可能使产生器负载过重，以致导致高压电平小于将数据位正确写入非易失性存储 器的存储器单元中所需的屯平。图1说明典型的交叉耦合高压锁存器电路10,其包含第一 CMOS反相器电路12和 第二 CMOS反相器电路14。第一 CMOS反相器电路12包含第一...
【技术保护点】
一种非易失性存储器，其具有一个或一个以上高压ＣＭＯＳ锁存器，每一高压ＣＭＯＳ锁存器包括： 第一ＣＭＯＳ反相器，其连接于ＨＶ端子与接地端子之间且具有输入端子和输出端子； 第二ＣＭＯＳ反相器，其连接于所述ＨＶ端子与开关节点Ｃ之间且具 有输入端子和输出端子； 所述第二ＣＭＯＳ反相器的所述输入端子和所述第一ＣＭＯＳ反相器的所述输出端子连接到用于所述高压锁存器电路的锁存器输入节点Ａ； 数据入输入端子，其经由ＮＭＯＳ负载输入ＮＭＯＳ晶体管连接到所述锁存器输入节点Ａ， 在所述ＮＭＯＳ负载输入ＮＭＯＳ晶体管的栅极端子处提供数据加载信号以接通所述Ｎ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰尼陈，孙晋书，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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