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本发明描述一种具备切换电路（１１６）的改进的交叉耦合ＣＭＯＳ高压锁存器（１００），其用于存储将要写入到非易失性存储器的存储器单元的数据位，所述切换电路（１１６）在将数据位写入到所述锁存器的所述存储器单元中期间在所述锁存器的一个支脚与接地之间...
该专利属于爱特梅尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特梅尔公司授权不得商用。

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