非易失性存储装置、存取装置及非易失性存储系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种非易失性存储装置、存取装置及非易失性存储系统。该存取装置（１００）具有将存取装置（１００）记录数据时所需要的存取速度通知给非易失性存储装置（２００）的存取速度通知部（１１２）。该非易失性存储装置具有：用于决定为了满足所通知的存取速度而需要的存取条件的存取条件决定部（２１２）；以及基于所决定的存取条件决定存取区域的存取区域决定部（２１３）。存取装置（１００）将需要的存取速度事先通知给非易失性存储装置（２００），以使非易失性存储装置（２００）内的存取条件决定部（２１２）和存取区域决定部（２１３）在数据记录时实现满足了事先所通知的存取速度的数据记录。由此，无论根据非易失性存储装置不同而不同的记录速度的特性的差异如何，对所有的非易失性存储装置都能够以希望的速度进行存取。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在从存取装置向非易失性存储装置内的记录元件记录 数据时，保证在该记录元件上的记录速度的非易失性存储装置、存取 装置及非易失性存储系统。
技术介绍
关于记录音乐内容及影像数据等数字数据的记录介质，有磁盘、 光盘、磁光盘等各不相同种类。作为这些记录介质中的一种的半导体 存储卡等非易失性存储装置，由于其实现了记录介质的小型化，以数码相机(digital still camera )及移动电话终端等小型的移动设备为中 心而迅速普及。半导体存储卡主要使用被称作NAND型闪速存储器的半导体元件 作为记录元件。NAND型闪速存储器在写入数据之前需要先删除数据。 由于删除处理仅以作为删除的单位的、被称作物理块的块单位进行， 所以，具有以物理块单位进行的写入速度最快的特性。另外，半导体 存储卡中作为记录元件使用的NAND型闪速存储器的枚数不限于1枚， 存在通过使用多枚NAND型闪速存储器并行处理来提高存取性能的半 导体存储卡。在这种半导体存储卡中，将多个物理块作为一个管理单 位来控制NAND型闪速存储器，在以该管理单位进行写入的情况下的 写入速度最快。这样，半导体存储卡的记录速度根据所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，其特征在于，具有：　非易失性存储器，由规定大小的多个管理单位区域构成，用于存储数据；　存取条件决定部，在向所述非易失性存储器记录数据时，为了以规定以上的存取速度进行记录，决定包括数据的管理单位的开始位置及记 录数据量的存取条件；以及　存取区域决定部，基于由所述存取条件决定部决定的所述存取条件，决定在所述非易失性存储器中记录数据的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：本多利行，加藤勇雄，前田卓治，小野正，中西雅浩，足立达也，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]