陶瓷基板型发光二极管的封装结构及其制程制造技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷基板型发光二极管的封装结构及其制程，该制程包含有钻孔程序、充填程序、金属镀膜程序、组装程序、真空扩散融合程序、蚀刻程序及封装程序，借由真空扩散融合程序封装陶瓷基板型发光二极管，此陶瓷基板型发光二极管的封装结构可同时具有电路导电区与散热区，可达到最好的散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光二极管的封装结构及其制造方法，特别是关于一种陶瓷基 板型发光二极管的封装结构及其制程。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)自专利技术以来，便逐渐的被应用至各个领 域，至今已在日常生活中扮演相当重要的角色。在过去因为发光二极管的亮度不足，所以大 多用在指示信号灯上。随着发光二极管技术的进步与芯片制造技术的进步，发光二极管的 用途也更加的多样化。而随着发光二极管亮度的增加，其热度也跟着增加，因此为了让高功 率发光二极管的芯片完全发挥其发光效能，发光二极管封装技术的散热功能与发光效率便 变得相当的重要。尤其对于Mmil以上的芯片来说，发光二极管封装技术的散热能力便成 为封装是否能成功的重要因素。而发光二极管的封装方式分成许多种类，陶瓷基板型为其 中相当普遍的一种。一般的陶瓷基板型发光二极管是将发光二极管设置于陶瓷基板上以加强发光二 极管的散热作用。此例中，陶瓷基板具有凹陷，而发光二极管设置于此凹陷中。此外，传统 陶瓷基板型发光二极管的封装方式，大多是利用还氧树脂(Epoxy Resin)与金属粉末(银) 的混和物(大约2 3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷基板型发光二极管的封装制程，其特征在于，该陶瓷基板型发光二极管的封装制程包含：进行钻孔程序以便在陶瓷基板上穿透形成孔洞；进行充填程序以在所述孔洞内形成金属填充材；进行金属镀膜程序以在所述陶瓷基板的表面上形成金属镀层；进行组装程序以便于将上金属板与下金属板分别置于所述陶瓷基板的上下表面的所述金属镀层上，并形成组装陶瓷基板；进行真空扩散融合程序以形成陶瓷复合基板，且所述孔洞内的金属填充材与所述上金属板以及所述下金属板融合成一体；进行蚀刻程序以在所述陶瓷复合基板的上金属板上形成电路导电区，且于所述孔洞位置上蚀刻至所述陶瓷基板的表层为止；与进行封装程序以在所述陶瓷复合基板的所述孔洞位置的表层上...

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板型发光二极管的封装制程，其特征在于，该陶瓷基板型发光二极管的 封装制程包含进行钻孔程序以便在陶瓷基板上穿透形成孔洞； 进行充填程序以在所述孔洞内形成金属填充材； 进行金属镀膜程序以在所述陶瓷基板的表面上形成金属镀层； 进行组装程序以便于将上金属板与下金属板分别置于所述陶瓷基板的上下表面的所 述金属镀层上，并形成组装陶瓷基板；进行真空扩散融合程序以形成陶瓷复合基板，且所述孔洞内的金属填充材与所述上金 属板以及所述下金属板融合成一体；进行蚀刻程序以在所述陶瓷复合基板的上金属板上形成电路导电区，且于所述孔洞位 置上蚀刻至所述陶瓷基板的表层为止；与进行封装程序以在所述陶瓷复合基板的所述孔洞位置的表层上封装发光二极管芯片， 并借由原陶瓷材料做绝缘将所述陶瓷复合基板分为所述电路导电区与位于所述下金属板 的散热区。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板型发光二极管的封装制程，其特征在于，所述金属 镀膜程序更包含电镀步骤。3.根据权利要求1所述的陶瓷基板型发光二极管的封装制程，其特征在于，所述金属 镀膜程序更包含溅镀步骤。4.根据权利要求1所述的陶瓷基板型发光二极管的封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡东宝，
申请(专利权)人：皓亮企业有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]