发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供了一种发光器件封装。该发光器件封装包括封装主体、发光器件和瞬态电压抑制二极管。封装主体包括多个电极。发光器件电连接到多个电极。瞬态电压抑制二极管电连接到多个电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光器件封装。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而被视为诸如发光二极管(LED)和 激光二极管(LD)之类的发光器件的核心材料。III-V族氮化物半导体通常由组成分子式为 InxAlyGai_x_yN(其中，0彡χ彡1、0彡y彡1和0彡x+y彡1)的半导体材料形成。LED是一种半导体器件，其可以通过使用化合物半导体的特性将电转换成红外线 或光来用作光源或者交换信号。基于氮化物半导体的LED或LD广泛地用于发光器件，并且用作诸如移动电话的键 盘照明单元、电子显示板和照明装置之类的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供包括瞬态电压抑制二极管的发光器件封装。实施例提供在封装主体中包括瞬态电压抑制二极管的发光器件封装。实施例提供包括并联连接到多个电极的瞬态电压抑制二极管和发光器件。实施例提供在封装主体中包括倒装连接到多个电极的瞬态电压抑制二极管的发 光器件封装。实施例提供了一种发光器件封装，其包括封装主体，所述封装主体包括多个电 极；发光器件，所述发光器件电连接到所述多个电极；以及瞬态电压抑制(TVS) 二极管，所 述瞬态电压抑制二极管电连接到所述多个电极。实施例提供了一种发光器件封装，其包括封装主体，所述封装主体具有腔体；多 个电极，所述多个电极设置在所述腔体中；发光器件，所述发光器件电连接到所述多个电 极；以及在所述封装主体中的瞬态电压抑制二极管，所述瞬态电压抑制二极管电连接到所 述多个电极。在以下的附图和说明书中阐述了一个或多个实施例的细节。从说明书和附图中以 及从权利要求书中，其它特征将是显而易见的。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的侧面剖视图。图2是沿着与图1的方向不同的方向截取的另一个剖视图。图3是示出图1中的发光器件和瞬态电压抑制二极管的电路图。图4是示出图1中的瞬态电压抑制二极管的操作特性的曲线图。图5是示出如图1所示的另一个示例性瞬态电压抑制二极管的电路图。图6是示出根据第二实施例的发光器件封装的侧面剖视图。图7是示出根据第三实施例的发光器件封装的侧面剖视图。3图8是示出根据第四实施例的发光器件封装的侧面剖视图。图9是示出使用图1中的发光器件的面光源装置的侧面剖视图。具体实施例方式现在，将详细参照本专利技术的实施例，在附图中示出这些实施例的实例。将参照附图详细描述根据实施例的发光器件封装。然而，本专利技术可以以许多不同 的形式实施，并且不应该理解为限于本文阐述的实施例；更确切地讲，包括在其它倒退专利技术 中或者落入本专利技术的精神和范围内的可供选择的实施例可以通过添加、变化和改变而容易 地推导出，并且将本专利技术的范围充分传达给本领域的技术人员。下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的侧面剖视图。图2是沿着与图1的 方向不同的方向截取的另一个剖视图。图3是示出图1中的发光器件和瞬态电压抑制二极 管的电路图。图4是示出图1中的瞬态电压抑制二极管的操作电压的曲线图。参照图1和图2，发光器件封装100可以包括具有腔体115的封装主体110、多个 电极131和132、发光器件120和瞬态电压抑制(TVS) 二极管140。发光器件封装100可以实现为侧视型或顶视型，并且可以用作光单元、电子显示 板和照明装置的光源。下文中，为了便于说明，将参照侧视型发光器件封装。封装主体110可以由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)和间规聚苯乙烯 (SPS)注模成型。腔体115可以形成为在封装主体110的上部112中具有特定深度。腔体115可以 具有杯形、凹形或浴缸形，但是不限于此。腔体115的外部形状可以形成为圆形或多边形。腔体115的侧壁114可以相对于腔体115的底表面垂直或倾斜，并且可以被用于 光学反射的反射材料涂覆。这里，封装主体110和其上部112可以被一体地注模成型，或者可以单独地形成并 组合在一起。在实施例中，可以在封装主体Iio中不设置腔体115。多个电极131和132可以穿过封装主体110水平设置。电极131和132可以由包 含诸如Al、Ag、Au、Cu、Pd、Ir和Rh这样的金属的引线框架形成。多个电极131和132的一端可以设置在腔体115中，彼此分隔开。在这种情况下， 多个电极131和132中的至少一者可以具有通孔结构，但是实施例不限于此。多个电极131和132的另一端可以延伸到封装主体110的侧表面或者后表面，并 且可以用作外部电极。电极131和132可以与封装主体110 —起被注模成型。在将封装主体110注模成 型之前，可以将瞬态电压抑制二极管140安装在多个电极131和132上。瞬态电压抑制二 极管140可以设置在多个电极131和132下。瞬态电压抑制二极管140可以通过倒装芯片 连接(flip-chip bonding)而连接到多个电极131和132。瞬态电压抑制二极管140与电极131和132可以通过连接构件145彼此连接，该 连接构件145选择性地包括导电粘合剂、焊料球、Ag膏等。在封装主体110注模成型之前，可以在不使用布线的情况下将瞬态电压抑制二极 管140安装在多个电极131和132下。这里，瞬态电压抑制二极管140的尺寸可以不影响封装主体110，并且可以设置在封装主体110中。用于将封装主体110注模成型的工艺可以包括将瞬态电压抑制二极管140安装 在多个电极131和132上，然后将液体材料注入模具中。在这种情况下，即使在液体材料被 注入模具中时，瞬态电压抑制二极管140也不会受到电损害。也就是说，由于瞬态电压抑制 二极管140没有使用布线，因此在将封装主体110注模成型的过程中，可以克服由于使用布 线导致的电限制。发光器件120可以与多个电极131和132 —起设置在腔体115中。发光器件120 可以附着到多个电极131和132的第一电极上，并且可以通过布线电连接到第一电极131 和第二电极132。发光器件120可以由诸如蓝色LED芯片、绿色LED芯片、红色LED芯片和黄绿色 LED芯片这样的有色LED芯片以及UV LED芯片中的一者或其组合形成。发光器件120可以 基于芯片的类型被布线连接或者倒装芯片连接，但是不限于此。树脂材料135可以设置在腔体115中。树脂材料135可以由诸如硅或环氧树脂这 样的透明树脂来模制，并且可以包括至少一种类型的荧光体。如果发光器件120是蓝色LED 芯片，则荧光体可以是黄色荧光体。在发光器件120是UV LED芯片的情况下，荧光体可以 是红色、蓝色或绿色荧光体。发光器件和荧光体的组合可根据目标光而变化。瞬态电压抑制二极管140可以反并联地连接到发光器件120。例如，发光器件120 的第一电极焊盘(未示出)和瞬态电压抑制二极管140的第二电极焊盘(未示出)可以连 接到第一电极，并且发光器件120的第二电极焊盘(未示出)和瞬态电压抑制二极管140 的第一电极焊盘(未示出)可以连接到第二电极132。瞬态电压抑制二极管140可以是单向雪崩二极管或齐纳二极管，其是用于保护发 光器件120的电路免受电冲击的组件。瞬态电压抑制二极管140可以用于吸收输入到发光 器件120的瞬态电压。例如，瞬态电压抑制二极管140可以保护发光器件120免受由雷击 引发的高电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装主体，所述封装主体包括多个电极；发光器件，所述发光器件电连接到所述多个电极；瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管，所述瞬态电压抑制二极管电连接到所述多个电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安重仁，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]