【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种化学机械抛光设备的研磨头装置。
技术介绍
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片 的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得衬底表面不平整 度加剧，由此引发的一系列问题(如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限)严重影响了 大规模集成电路(ULSI)的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋 涂膜层等，但效果并不理想。80 年代末，IBM 公司将化学机械抛光(Chemica卜Mechanical Planarization， CMP)技术进行了发展使之应用于衬底的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦 化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技 术。化学机械抛光工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫。抛光 垫的尺寸通常比衬底要大。抛光垫和衬底被一个可活动的研磨头压在一起，衬底和抛光 垫同时转动(通常是以相反的方向转)，但是它们的中心并不重合。在这个过程中衬底 表面的材料和不规则结构都被除...
【技术保护点】
一种化学机械抛光设备的研磨头装置，其特征在于，所述研磨头装置包括：功能台，所述功能台用于放置待研磨衬底；设置于所述功能台的多重功能孔配置区，其中至少部分所述功能孔配置区配置有功能孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李健康，李海松，李志国，王雷，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。