ＭＩＭ电容建模方法及电容值获取方法技术

一种ＭＩＭ电容建模及电容值获取方法。所述ＭＩＭ电容建模方法包括：在同一测试环境下，测量多个具有相同有效电容面积的ＭＩＭ电容值，所述多个ＭＩＭ电容所在器件的金属互连层个数不同；获得ＭＩＭ电容值与金属互连层个数变化的函数关系；将所获得的ＭＩＭ电容值与金属互连层个数变化的函数关系作为电容模型文件中描述ＭＩＭ电容的其中一个参数。以所述建模方法获得的电容模型，其仿真精度相对现有技术更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及金属/绝缘体/金属(MIM，Metal/ Insulator/Metal)电容建模方法及电容值获取方法。
技术介绍
MIM电容结构是在半导体器件的互连层间形成的电容结构，其可与半导体制造 的后道工艺较好兼容。因而被广泛地应用于例如射频集成电路以及半导体存储器的制造 中。目前的一种MIM电容结构为平行板电容器，例如中国专利200410053732.3中提 及的，其位于半导体器件的顶层金属和顶层下一层金属之间。参照图1所示，金属层下 极板11、上极板13以及金属层下极板11和上极板13间的电介质层12共同构成MIM电 容器的平行板结构。上极板13经过孔(via) 15与顶层金属14电气连接，从而形成完整的 MIM电容。随着技术的发展，集成电路后道工艺所使用的金属层也越来越多，如今使用8 层互连金属已很普遍。对于不同器件，根据其设计要求，其所需的金属互连层的个数也 不相同。现有的仿真中发现，以现有MIM电容模型分别对金属互连层个数不同的器件中 的MIM电容进行仿真，其仿真结果的准确度并不一致。因此，现有MIM电容模型无法 提供更精确、应用范围更广本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＩＭ电容建模方法，其特征在于，包括：在同一测试环境下，测量多个具有相同有效电容面积的ＭＩＭ电容值，所述多个ＭＩＭ电容所在器件的金属互连层个数不同；获得ＭＩＭ电容值与金属互连层个数变化的函数关系；将所获得的ＭＩＭ电容值与金属互连层个数变化的函数关系作为电容模型文件中描述ＭＩＭ电容的其中一个参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路向党，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]