一种静电放电保护装置制造方法及图纸

一种静电放电保护装置，将所有电源供电单元、输入输出单元、静电总线单元中的任意一个单元接收的ＥＳＤ电流，都只通过与静电释放总线建立ＥＳＤ电流释放通路，从而将该ＥＳＤ电流从未接收该ＥＳＤ电流的任意一个单元释放出去。与现有技术相比，通过固定设置若干条宽度足够的静电释放总线，使所有供电单元、输入输出单元、静电总线单元都分别通过静电放电钳位单元（ＥＳＤ　ｃｌａｍｐ，简称ＥＣ）与这些静电释放总线连接，所有单元之间的静电释放都通过该静电释放总线建立释放通路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电保护装置。
技术介绍
随着集成电路制造工艺水平进入线宽的深亚微米时代，集成电路中的MOS元 件都采用浅掺杂LDD (Lightly Doped Drain)结构，并且硅化物工艺已广泛应用于MOS元 件的扩散层上。同时为了降低栅极多晶的扩散串联电阻，采用了多晶化合物的制造工 艺。随着集成电路元件的缩小，MOS元件的栅极氧化层厚度越来越薄，这些制造工艺的 改进可大幅度提高集成电路内部的运算速度，并可提高电路的集成度。但是这些改进带 来了一个很大的弊端，即深亚微米集成电路更容易遭受到静电放电(ESD，Electro Static Discharge)冲击而失效，从而造成产品的可靠性下降。ESD是指一定量的电荷从一个物体(例如人体)转移到另一个物体上(例如芯 片)的过程。目前对集成电路的防ESD危害要求都是以防人体静电为主，并建立了人体 模型(HBM，Human Body Model)，HMB是ESD模型中建立最早和最主要的模型之一。 它描述的是当一个带有静电的人用手接触集成电路芯片的引脚时发生的人体向芯片引脚 的放电现象。因此，ESD常常在集成电路的输入、输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：供电单元、输入输出单元、静电总线单元、第一静电放电钳位单元、第二静电放电钳位单元，以及电源总线、静电释放总线；所述供电单元直接连接所述电源总线，并通过所述第一静电放电钳位单元连接至所述静电释放总线；所述输入输出单元通过所述第二静电放电钳位单元连接至所述静电释放总线；所述静电总线单元连接至所述静电释放总线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单毅，何军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31