一种反向电压保护电路及功率管装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用于功率管领域，提供了一种反向电压保护电路及功率管装置；反向电压保护电路包括：第一ＭＯＳ管、第二ＭＯＳ管、第三ＭＯＳ管、第四ＭＯＳ管、第五ＭＯＳ管、反相器以及开关模块；开关模块的第一输入端连接至第一连接端，第二输入端连接至反相器的输出端，控制端接收控制信号，输出端连接主功率管的栅极，开关模块根据控制信号驱动主功率管工作。本发明专利技术提供的反向电压保护电路可以根据主功率管源极与漏极两端的电压的高低自动选择Ｎ阱的偏置电压，从而避免了主功率管体内寄生二极管的导通，达到了保护主功率管的目的；且该电路结构简单，所需要面积小，功耗低，具有很好的防范发生闩锁效应的能力，适用于不同的应用环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率管领域，尤其涉及一种反向电压保护电路及功率管装置。
技术介绍
随着便携式电子产品的发展，对供电电源也提出了新的要求高性能，低功耗，成 本低。因此直流-直流(DC-DC)开关转换器，线性降压转换器(Low DropoutRegulator,LD0) 以及锂电池充电器的使用越来越广泛。出于成本的考虑，这些电源中所需要用到的功率管大部分都集成在芯片中。然而， 在实际应用中，功率管会出现反向电压(Reverse-Voltage)的情况，即功率管的源，漏两端 中的最高电压会出现来回交替的情况，或者其两端中的一端有电压，而另一端没有电压。而 由于阱或者衬底电压没有正确偏置，功率管体内寄生的二极管就会导通，就会出现很大反 向电流(Reverse-Current)，这种过大的反向电流会毁坏芯片。为了解决上述问题，现有技术1提供了一种反向电压保护电路，其电路图如图1所 示，该反向电压保护电路包括比较器CMPl、缓冲器BUFl以及PMOS功率管M2，其中，比较 器CMPl的正向输入端连接至PMOS功率管Ml的漏极，比较器CMPl的反向输入端连接至电 源VCC，比较器CMPl的输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反向电压保护电路，其特征在于，所述反向电压保护电路包括：第一ＭＯＳ管，其栅极连接偏置电压；第二ＭＯＳ管，其栅极连接电源，所述第二ＭＯＳ管的源极连接至所述第一ＭＯＳ管的漏极，所述第二ＭＯＳ管的漏极接地；将所述第二ＭＯＳ管的源极与所述第一ＭＯＳ管的漏极连接的连接端作为第一连接端；第三ＭＯＳ管，其栅极连接至所述第一连接端，所述第三ＭＯＳ管的源极连接至电源；反相器，其输入端连接至所述第一连接端；第四ＭＯＳ管，其栅极连接至所述反相器的输出端，所述第四ＭＯＳ管的源极连接至所述第三ＭＯＳ管的漏极；将所述第三ＭＯＳ管的漏极与所述第四ＭＯＳ管的源极连接的连接端作为第三连接端；第五ＭＯＳ管，其栅极连接至所述反...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁光，胡胜发，
申请(专利权)人：安凯广州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]