离子植入系统中用于经改良的均匀度调整的技术技术方案

本发明专利技术提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体设备，尤其涉及一种离子植入系统中用于经改良的均勻度 调整的技术。
技术介绍
离子植入是一种利用高能离子直接轰击基板(substrate)，以在基板中沉积化 学物质(chemical species)的方法。在半导体制程中，离子植入机主要应用于掺杂制程 (doping process)中，以改变靶材的导电性(conductivity)的类型与等级(level)。集成 电路(integrated circuit, IC)基板及其薄膜结构中的精确掺杂分布(doping profile) 对于确保IC性能相当重要。为了达到期望的掺杂分布状态，会使用不同的剂量(dose)与 不同的能量位准(energy level)来进行一种或多种离子物质的植入。离子种类、离子剂量 以及能量的规格(specification)常被称为离子植入的配方(recipe)。图1显示一种现有的离子植入系统100。如同大部分的离子植入系统一般，离子 植入系统100是设置在高真空环境中。离子植入系统100可具有一离子源101以及复合 系列的组件，且一离子束10穿过前述复合系列的组件。举例来说，系列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子束均匀度调整的方法，包括：　　于一离子植入系统中产生一离子束；　　沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；　　沿着该离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及　　沿着该离子束路径至少部分地依据该第一离子束电流密度分布以及该第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-3-28 12/058,5941.一种离子束均勻度调整的方法，包括于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着该离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着该离子束路径至少部分地依据该第一离子束电流密度分布以及该第二离子束电 流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。2.根据权利要求1所述的离子束均勻度调整的方法，其中量测该第一离子束电流密度 分布的步骤还包括在一或多个预定位置以一或多个固定式量测元件来量测该第一离子束 电流密度分布。3.根据权利要求2所述的离子束均勻度调整的方法，其中该一或多个固定式量测元件 的该一或多个预定位置是位于该离子束路径的一侧或多侧。4.根据权利要求2所述的离子束均勻度调整的方法，其中该一或多个固定式量测元件 包括至少一闭环法拉第杯。5.根据权利要求1所述的离子束均勻度调整的方法，其中量测该第一离子束电流密度 分布系测得该第一离子束电流密度分布为一时间的函数。6.根据权利要求1所述的离子束均勻度调整的方法，其中沿着该离子束路径量测该第 二离子束电流密度分布的步骤还包括藉由一移动式量测元件来扫描该离子束的一横截面。7.根据权利要求6所述的离子束均勻度调整的方法，其中该移动式量测元件实质上平 行于一晶圆平面。8.根据权利要求6所述的离子束均勻度调整的方法，其中该移动式量测元件为一分布 式法拉第杯。9.根据权利要求6所述的离子束均勻度调整的方法，其中量测该第二离子束电流密度 分布系测得该第二离子束电流密度分布为时间与空间位置的函数。10.根据权利要求1所述的离子束均勻度调整的方法，其中该第三离子束电流密度分 布为一空间位置的函数。11.根据权利要求1所述的离子束均勻度调整的方法，还包括决定一信赖程度，该信赖程度是关于该第三离子束电流密度分...

【专利技术属性】
技术研发人员：摩根D艾文斯，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]