离子注入机及其内部结构及在注入机中形成涂层的方法技术

一种离子注入机，包括处理室和涂层。处理室容纳基板，并且提供用于在基板上进行离子注入处理的空间。涂层设在处理室的内壁上以减小基板的污染，并且包括与基板相同的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及离子注入机、离子注入机的内部结构、及在离子注入机中形成涂层的方法。本专利技术尤其涉及将离子注入基板的离子注入机，离子注入机的内部结构、及在离子注入机中形成涂层的方法。
技术介绍
可在半导体器件或平板显示器的制造过程中进行离子注入将离子注入基板的预定区域。例如，在半导体制造处理中进行离子注入以在半导体基板的表面部形成源/漏区。 用于执行离子注入处理的装置，S卩，离子注入机，包括使得源气体离子化的离子生成器、从离子生成器析出离子的离子析出器、在析出的离子中选择所需离子的离子质谱计、加速所选离子以获得预定量能量而形成离子束的加速器、调整离子束方向以使之可对设于处理室中的基板表面进行扫描的离子偏转器、支撑基板的支撑件等。 离子注入机中，例如由离子和基板的撞击产生的粒子以及未注入基板而在处理室中散射的离子之类的杂质可能会附在处理室的内壁上。该附着的杂质可能成为污染源。即，这些杂质可能离开内壁并且可能污染基板。由此，可对内壁进行清洁处理以去除所附杂质。从而，执行离子注入处理的所需的时间可能增加，由此降低离子注入处理的效率。 为了解决上述问题，可在处理室的内壁上形成喷瓷层。喷瓷层可包括氧化铝(A1203)或氧化钇(Y203)。可形成喷瓷层以使杂质容易地吸收入其中。 然而，所吸收的杂质容易腐蚀喷瓷层，而且被腐蚀的喷瓷层会产生包括铝和钇的其他杂质。从而，基板可能被包括铝和钇的杂质污染。此外，由于喷瓷层的面电阻较高，在离子注入处理过程中可能会产生电弧。
技术实现思路
技术问题 本专利技术的实施例提供了一种离子注入机，其能够吸收离子注入处理期间产生的杂质，并且减小基板的污染。 此外，本专利技术的实施例还提供了一种离子注入机的内部结构，其能够吸收离子注入处理期间产生的杂质，并且减小基板的污染。 再者，本专利技术的实施例还提供了一种形成离子注入机的涂层的方法，所述涂层能够吸收离子注入处理期间产生的杂质，并且减小基板的污染。 技术手段 根据本专利技术的一个方面，一种离子注入机，包括处理室，提供用于容纳基板以及在所述基板上进行离子注入处理的空间；及涂层，其设在所述处理室中的内壁或内部部件的表面上以防止所述基板的污染，并且包括与设在所述处理室中的所述基板相同的材料。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层具有预定的表面粗糙度。具体地，所述涂层的平均粗糙度为约4 约8ym。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层的厚度为约100 约1000 iim。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层包括硅。 根据本专利技术的另一方面，一种离子注入机的内部结构，包括设在处理室中的内部部件，在所述处理室中对基板进行离子注入处理；及涂层，其设在所述内部部件的表面上，并且包括与所述基板相同的材料。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层包括硅。 根据本专利技术的再一方面，一种在离子注入机中形成涂层的方法，包括在处理室的内壁上形成涂层，所述涂层包括与要在所述处理室中进行离子注入的基板相同的材料；并且调整所述涂层的表面粗糙度。 本专利技术的一些实施例中，通过对硅粉进行熔融并且朝向所述处理室的所述内壁喷射所述熔融的硅粉来形成所述涂层。所述硅粉的纯度高于约99% ，且颗粒尺寸为约30 约100iim。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层的平均粗糙度为约4 8 ii m。 本专利技术的一些实施例中，在大气压力或低于大气压力之压力下形成所述涂层。 本专利技术的一些实施例中，所述涂层的厚度为约100 约1000 iim。 有益效果 根据本专利技术的上述实施例，可在处理室的内壁或内部部件的表面形成含硅的涂层。可增进涂层的形成率，并且涂层的厚度容易进行调整。涂层与处理室之间的附着力较之使用喷瓷层的现有技术得以增大。由于涂层由与基板相同的材料制成，因涂层造成的基板污染得以减小。由于涂层具有预定的表面粗糙度，涂层可容易地吸收离子注入处理期间产生的杂质。由于涂层的面电阻低于现有陶瓷涂层的面电阻，电弧的产生可减少。附图说明 结合附图，参考下文的详细描述可更清楚本专利技术的实施例，其中 图1为示出根据本专利技术实施例的离子注入机的剖视图； 图2为示出根据本专利技术另一实施例之离子注入机的内部结构的剖视图； 图3为示出根据本专利技术另一实施例的在离子注入机中形成涂层之方法的流程图。具体实施例方式参见示出本专利技术实施例的附图，下文将更详细地描述本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本
的技术人员完全了解本专利技术的范围。通篇中相同的附图标记表示相同的元件。 应理解，当将元件或层称为在另一元件"上"时，其可为直接在另一元件上，或者存在居于其间的元件。与此相反，当将元件称为"直接在另一元件"时，并不存在居于其间的元件。如本文中所使用的，用语"及/或"包括一或多个相关的所列项目的任何或所有组合。 应理解，尽管本文中使用第一、第二等来描述多个元件，但这些元件并不受这些用语的限制。这些用语仅用于使一个元件与另一个区别开来。例如，第一薄膜可称为第二薄膜，类似地，第二薄膜可称为第一薄膜，而不脱离本专利技术教导。 本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并且并不意欲限制本专利技术。如本 文所述，单数形式的冠词意欲包括复数形式，除非其上下文明示。还应理解，当本说明书中 使用表述"包括"之时，明确说明存在所描述的部件、区域、整体、步骤、操作、元件及/或组 件，但并不排除存在或附加有一或多个其它部件、区域、整体、步骤、操作、元件、组件及/或 它们的组合。 此外，与空间相关的表述，如"下(lower)"或"底部(bottom)"以及"上(upper)" 或"顶部(top)"等，在本文中使用是为了容易地表述如图所示的一个元件或部件与另一元 件或部件的关系。应理解，这些与空间相关的表述除图中所示方位之外，还意欲涵盖该设 备在使用或工作中的不同方位。例如，若一幅图中的该设备翻转，描述为在其它元件"下" 侧的设备则会确定为在其它元件的"上"侧。由此，根据图中的具体方位，该示范性的表述 "在...下"可同时涵盖"在...上"与"在...下"两者。类似地，若一副图中的该设备翻 转，描述为在其它元件"下方(below)"或"之下(beneath)"的设备则会确定为在其它元件 "上方"。因此，示范性表述"下方"或"之下"可涵盖上方和下方这两个方位。 除非另行详细说明，本文所使用的所有术语(包括科技术语)的意思与本技术领 域的技术人员所通常理解的一致。还应理解，诸如一般字典中所定义的术语应解释为与相 关
和本公开中的意思一致，并且不应解释为理想化的或过度刻板的含义，除非在 文中另有明确定义。 对于本专利技术的实施例，本文中是参照本专利技术的理想化实施例的示意剖视图来描述的。照此，预期会产生例如因制造工艺及/或公差而造成形状上的变化。由此，本专利技术的实施例不应解释为将其限制成本文所示之特定区域的形状，还应包括，例如因制造而导致的形状偏差。例如，示为或描述为平的区域一般会有粗糙及/或非线性的特征。此外，所示的锐角可为圆角。由此，图中所示的区域的本质是示意性的，并且其形状并不意欲示出部件区域的精确形状，也不意欲限制本专利技术的范围。 图1为示出根据本专利技术实施例的离子注入机的剖视图。 参考图l，离子注入机100包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入机，包括处理室，提供用于容纳基板以及在所述基板上进行离子注入处理的空间；及涂层，其设在所述处理室中的内壁或内部部件的表面上以防止所述基板的污染，并且包括与设在所述处理室中的所述基板相同的材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敬翼，芮庚焕，金三雄，林容涉，
申请(专利权)人：高美科株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]