包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘制造技术

在静电吸盘（ESC）中包括用于吸收热应力的缓冲层，所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体以及设置在所述主体上的基板。所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被暴露出来的电极。所述ESC包括端子单元，所述端子单元具有通过所述穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极接触的端子；以及缓冲层，其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域，并吸收所述主体的热应力。因此，ESC的热应力被吸收到所述缓冲层，从而充分减少了由热应力造成的裂纹由此增加了ESC的耐久性寿命。

【技术实现步骤摘要】

示例的实施例涉及一种在处理腔内的静电吸盘，尤其是涉及一种覆盖有缓冲层的静电吸盘，该缓冲层用于减小使用静电吸盘进行处理的过程中的热应力并使所述热应力导致产生的静电吸盘的裂纹最小。
技术介绍
大体而言，用于制造半导体装置和诸如液晶显示器(LCD)装置之类的平板装置的工艺，包括诸如化学气相沉积(CVD)之类的沉积工艺和诸如反应离子蚀刻工艺之类的蚀刻工艺。在上述沉积工艺和蚀刻工艺中，需要将诸如硅晶片和玻璃面板之类的衬底紧固在处理腔内的电极片上，以提高工艺可靠性。通常用静电吸盘(ESC)将所述衬底紧固在所述处理腔内的电极片上。图1是图示在处理腔中的现有的静电吸盘的剖视图。参考图1，现有的静电吸盘100包括含有铝的主体101、上面固定地定位有衬底的基板102、安装在基板102内部且产生静电力的电极103、用于将高压施加到所述电极的端子104以及包围住端子104的绝缘构件105。通过端子104将高压从外部电源施加到电极103上，会在电极103处产生静电力，然后，在静电力的作用下，基板102上的衬底被吸向基板102，并被紧固到静电吸盘100上。在现有的沉积工艺或者蚀刻工艺中，基板102由所述处理腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造静电吸盘的方法，包括：制备具有穿透孔的主体；形成对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元，所述缓冲层用于吸收热应力；组合所述主体和所述端子单元，使得所述端子单元穿透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出，并且所述缓冲层设于所述主体和端子单元之间；在所述主体上形成下基板，使得所述端子的顶部表面暴露出来，并且所述缓冲层设于所述下基板和端子单元之间；在所述下基板上形成电极，使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触；以及在所述下基板和所述电极上形成上基板。

【技术特征摘要】
2008.09.09 KR 10-2008-00889721.一种制造静电吸盘的方法，包括: 制备具有穿透孔的主体； 形成对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元，所述缓冲层用于吸收热应力； 组合所述主体和所述端子单元，使得所述端子单元穿透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出，并且所述缓冲层设于所述主体和端子单元之间； 在所述主体上形成下基板，使得所述端子的顶部表面暴露出来，并且所述缓冲层设于所述下基板和端子单元之间； 在所述下基板上形成电极，使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触；以及 在所述下基板和所述电极上形成上基板。2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述端子单元包括: 将端子插入绝缘体中，使得所述端子的端部暴露出来，从而形成所述端子和部分地包住所述端子的绝缘体的组合；以及 在所述端子和绝缘体的组合表面上形成所述缓冲层。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述缓冲层包括: 从所述端子和绝缘体的组合部分地除去所述绝缘体，从而在所述端子和绝缘体的组合的表面上形成缓冲区域；以及 将所述缓冲层涂覆在所述缓冲区域上。4.根据权利要求3所述的方法，其中涂覆所述缓冲层包括在所述缓冲区域上进行常压等离子喷涂工艺。5.根据权利要求2所述的方法，在形成所述缓冲层之后，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镇植，崔正德，
申请(专利权)人：高美科株式会社，
类型：发明
国别省市：