在静电吸盘（ESC）中包括用于吸收热应力的缓冲层，所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体以及设置在所述主体上的基板。所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被暴露出来的电极。所述ESC包括端子单元，所述端子单元具有通过所述穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极接触的端子；以及缓冲层，其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域，并吸收所述主体的热应力。因此，ESC的热应力被吸收到所述缓冲层，从而充分减少了由热应力造成的裂纹由此增加了ESC的耐久性寿命。
【技术实现步骤摘要】
示例的实施例涉及一种在处理腔内的静电吸盘，尤其是涉及一种覆盖有缓冲层的静电吸盘，该缓冲层用于减小使用静电吸盘进行处理的过程中的热应力并使所述热应力导致产生的静电吸盘的裂纹最小。
技术介绍
大体而言，用于制造半导体装置和诸如液晶显示器(LCD)装置之类的平板装置的工艺，包括诸如化学气相沉积(CVD)之类的沉积工艺和诸如反应离子蚀刻工艺之类的蚀刻工艺。在上述沉积工艺和蚀刻工艺中，需要将诸如硅晶片和玻璃面板之类的衬底紧固在处理腔内的电极片上，以提高工艺可靠性。通常用静电吸盘(ESC)将所述衬底紧固在所述处理腔内的电极片上。图1是图示在处理腔中的现有的静电吸盘的剖视图。参考图1，现有的静电吸盘100包括含有铝的主体101、上面固定地定位有衬底的基板102、安装在基板102内部且产生静电力的电极103、用于将高压施加到所述电极的端子104以及包围住端子104的绝缘构件105。通过端子104将高压从外部电源施加到电极103上，会在电极103处产生静电力，然后，在静电力的作用下，基板102上的衬底被吸向基板102，并被紧固到静电吸盘100上。在现有的沉积工艺或者蚀刻工艺中，基板102由所述处理腔内的等离子体(plasma)加热，由于处理腔内的等离子体温度高，通常静电吸盘100的基板102是处于大的热应力下。尤其是，热从基板102传递到铝主体101，从而使主体101在各个方向热膨胀。由于主体101、基板102和绝缘构件105的热系数通常互不相同，热应力会施加在主体101、基板102和绝缘构件105 上。在现有的静电吸盘100中，在主体101、基板102和绝缘构件105互相接触的边界区域的上端部A处热应力最大。由于基板102的强度比主体101和绝缘构件105的强度小得多，在所述边界区域的上端部A处的热应力对基板102的影响比对主体101和绝缘构件105的影响大得多，因此在靠近所述边界区域的上端部A处的基板102的下方部分产生裂纹。随着静电吸盘100被重复操作，所述裂纹会扩散到基板102的上方部分直到整个基板102，最终，基板102由于裂纹而断裂。因此，强烈需要一种改进的静电吸盘，其中因热应力而产生的裂纹可以被最小化，从而防止静电吸盘的故障。
技术实现思路
示例实施例提供一种包括缓冲层的用于静电吸盘的的端子单元以及形成所述端子单元的方法，所述缓冲层用于吸收在使用静电吸盘的操作过程中的热应力。示例实施例还提供具有上述端子单元的静电吸盘和制造该静电吸盘的方法。根据一些示例实施例，提供一种静电吸盘(ESC)，包括具有穿透孔的主体；设置在所述主体上的基板，在该基板上通过静电力紧固有衬底，所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及定位于所述基板的内侧且通过所述插入部分局部暴露出来的电极；具有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子单元；以及缓冲层，所述缓冲层设置在所述端子与所述主体和所述基板中的至少一个之间的边界区域处且吸收所述主体的热应力。在示例实施例中，所述主体包括传导性材料,所述端子单元包括介入在所述主体和所述穿透孔中的端子之间的绝缘构件，使得所述缓冲层被设置在所述主体和所述绝缘构件之间的边界区域处。所述缓冲层进一步被设置在所述绝缘构件和所述基板之间的边界区域处。在一个示例实施例，所述基板和所述缓冲层包括基于陶瓷材料的材料。所述缓冲层的孔隙度等于或者高于所述基板的孔隙度。所述缓冲层的孔隙度是在大约2%至大约10%的范围内。所述缓冲层的厚度是在大约100 μ m至大约250 μ m的范围内。所述缓冲层的表面粗糙度是在大约0.1 μ m至大约2 μ m的范围内。根据一些示例实施例，提供一种用于静电吸盘的端子单元，包括电连接到电源且将电施加给电极以产生静电力的端子；局部包围住所述端子的绝缘构件，使得所述端子与周围环境由所述绝缘构件电绝缘开；以及设置在所述端子和所述绝缘构件中的至少一个上并吸收从周围施加的热应力的缓冲层。根据一些示例实施例，提供一种制造静电吸盘的方法。制备具有穿透孔的主体，对应于所述穿透孔提供端子单元。所述端子具有用于吸收在所述主体表面上的热应力。所述主体和所述端子单元可以互相组合，使得所述端子单元穿透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出。在所述主体上形成下基板，使得所述端子的顶部表面暴露出来，在所述下基板上形成电极，使得所述电极与所暴露出来的端子单元接触。在所述下基板和所述电极上形成上基板。根据一些示例实施例，提供一种形成用于静电吸盘的端子单元的方法。以这种方式制备端子，即使得所述 端子穿透所述静电吸盘的主体，并电连接到外部电源。所述端子插入在绝缘体中，使得所述端子的端部暴露出来。在所述端子的暴露面上形成缓冲层，该缓冲层吸收周围环境施加的热应力。在一个示例实施例中，所述缓冲层按照下述方式形成:从所述端子上除去所述绝缘体，从而将所述端子的端部暴露出来，并且在暴露出来的端子上涂覆有所述缓冲层。所述缓冲层可以通过常压等离子喷涂工艺涂覆在所述端子上。在形成所述缓冲层之后，可以进一步在所述缓冲层上进行倒角工艺，从而使缓冲层的边沿部分变圆。根据一些示例实施例，所述ESC的热应力可以被吸收到所述ESC中的缓冲层，因此可以充分减少由所述热应力造成的裂纹，从而增加了 ESC的耐久性寿命。附图说明从下面的详细描述结合附图将会更清楚地理解示例实施例。图1是图示在处理腔内的现有技术的静电吸盘的剖视图；图2是图示根据本专利技术构思的示例实施例的静电吸盘的剖视图。具体实施例方式下文将参考示出了一些示例实施例的附图来更充分地描述各种示例实施例。本专利技术可以具体化为许多不同的形式，而并不能解释为受到此处所罗列的实施例的限制。相反，提供这些示例实施例是为了使得本披露详尽和完整，并且使本领域的技术人员完全了解本专利技术的范围。在附图中，为了清楚起见，其中的层和区域的尺寸和相对尺寸可能会被放大。应理解，当称元件或者层是在另一元件或者层“上”、与另一元件或者层“耦接”或者“连接”时，它可以是直接在另一元件或者层上、与其他元件或者层直接连接或者耦接，或者是有居于中间的元件或者层。相反，当称一个元件是“直接在另一元件或者层之上”、与另一元件或者层“直接耦接”或者“直接连接”，那么就没有居于中间的元件或者层。通篇中相同标号指的是相同的元件。本说明书中所使用的措词“和/或”包括所罗列的相关联的项目中的一项或多项的所有组合。应理解，虽然此处可能使用第一、第二、第三等等措词来描述各种部件、元件、区域、层和/或部分，但这些部件、元件、区域、层和/或部分不应当受到这些措词的限制。这些措词仅用于区分一个部件、元件、区域、层或者部分与另一个区域、层或者部分。因此，在不偏离本专利技术的教导时，下文讨论的第一部件、组件、区域、层或者部分可以被称为是第二部件、组件、区域、层或者部分。在本说明书中，可能会使用诸如“在……下方”、“在......下面”、“下”、“在......上方”、“上”等等之类与空间位置相关的措词，以使附图中图示的一个部件或者特征与另一个部件或者特征的关系描述起来容易。要理解的是，与空间位置相关的措词旨在涵盖除了附图中所描述的装置的方位之外，装置在使用中或者操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置翻转过来，则描述为在其它部件或者特征本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造静电吸盘的方法，包括：制备具有穿透孔的主体；形成对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元，所述缓冲层用于吸收热应力；组合所述主体和所述端子单元，使得所述端子单元穿透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出，并且所述缓冲层设于所述主体和端子单元之间；在所述主体上形成下基板，使得所述端子的顶部表面暴露出来，并且所述缓冲层设于所述下基板和端子单元之间；在所述下基板上形成电极，使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触；以及在所述下基板和所述电极上形成上基板。
【技术特征摘要】
2008.09.09 KR 10-2008-00889721.一种制造静电吸盘的方法，包括: 制备具有穿透孔的主体； 形成对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元，所述缓冲层用于吸收热应力； 组合所述主体和所述端子单元，使得所述端子单元穿透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出，并且所述缓冲层设于所述主体和端子单元之间； 在所述主体上形成下基板，使得所述端子的顶部表面暴露出来，并且所述缓冲层设于所述下基板和端子单元之间； 在所述下基板上形成电极，使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触；以及 在所述下基板和所述电极上形成上基板。2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述端子单元包括: 将端子插入绝缘体中，使得所述端子的端部暴露出来，从而形成所述端子和部分地包住所述端子的绝缘体的组合；以及 在所述端子和绝缘体的组合表面上形成所述缓冲层。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述缓冲层包括: 从所述端子和绝缘体的组合部分地除去所述绝缘体，从而在所述端子和绝缘体的组合的表面上形成缓冲区域；以及 将所述缓冲层涂覆在所述缓冲区域上。4.根据权利要求3所述的方法，其中涂覆所述缓冲层包括在所述缓冲区域上进行常压等离子喷涂工艺。5.根据权利要求2所述的方法，在形成所述缓冲层之后，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔镇植，崔正德，
申请(专利权)人：高美科株式会社，
类型：发明
国别省市：
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