一种半导体基片的大面积邦定结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，其特征在于：邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。采用本发明专利技术的方法，可以大幅提高邦定工艺的成品率，还可以大幅减少划片时金属粘连造成的漏电等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，特别是。
技术介绍
发光二极管在固态照明领域的应用范围越来越广，相应的，对提高发光功率和可靠性都有了较高的要求，采用整片邦定工艺制备的垂直结构LED具有很好的器件散热性、较高的光萃取效率，可以很好的应用于高端LED应用中。很多公司在现有的整片邦定工艺方面申请了专利，基本的工艺特点均在LED外延片和支撑基片表面采用光滑的金属结合面，通过提高温度和压力使结合面发生结合。但是，现有技术的整片邦定工艺的成品率很低，对工艺环境的洁净度、对邦定用LED外延片和支撑基片的表面颗粒度等要求很高，同时邦定工艺需要的工艺温度和压力也比较高，种种因素造成整片邦定LED工艺的应用大受限制。同时，随着LED外延片尺寸的增加和硅衬底LED外延片的出现， 此类工艺限制造成的问题越来越突出。同样的，在多结太阳能电池领域、微电子领域，大面积邦定技术存在同样的技术难题。但是邦定工艺的优势很大，例如，在聚光多结太阳能电池应用中，利用金属支撑基板与多结太阳能电池外延材料进行邦定，结合剥离工艺移除原外延衬底，可以减低重量，降低成本，提高散热性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，可以极大提闻这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，其特征在于：邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。

【技术特征摘要】
1.一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，其特征在于:邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。2.根据权利要求1所述的半导体基片的大面积邦定结构，其特征在于:邦定用半导体基片表面制备有接触层，在接触层之上形成键合层；邦定用支撑基片包括支撑基片和接触层，接触层形成于支撑基片上，在接触层之上形成键合层。3.根据权利要求1所述的半导体基片的大面积邦定结构，其特征在于:所述邦定用半导体基片和邦定用支撑基片键合层上的微凸块的厚度介于(T15微米之间，厚度为均匀分布；所述微凸块的形状包括圆形、环形、长条形、多边形或其组合。4.根据权利要求1所述的半导体基片的大面积邦定结构，其特征在于:键合层及微凸块的材料为 In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、T1、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe> AuGe> N1、PbSn 或 AuZn 中的至少一种材料或上述材料的任意组合。5.根据权利要求1所述的半导体基片的大面积邦定结构，其特征在于:邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行点接触或线接触方式的键合。6.根据权利要求1或5所述的半导体基片的大面积邦定结构，其特征在于:邦定用半导体基片与邦定用支撑基片进行邦定工艺时，优选邦定用半导体基片键合层的微凸块与邦定用支撑基片键合层的微凸块以交叉方向进行键合，形成点接触键合；邦定用半导体基片与邦定用支撑基片进行邦定工艺时，优选邦...

【专利技术属性】
技术研发人员：许玉方，
申请(专利权)人：江苏微浪电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：